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当AT49BV320C （T），是在读出模式下， CE和OE为低电平和WE高，则
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出
放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这双
行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列：
当设备第一次接通电源时，将在读出模式。在
为了执行其它设备的功能，一系列命令序列将被输入到
装置。该命令序列第15页显示在“命令定义”表
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。该命令序列
写入通过应用低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和
OE高。地址和数据均通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在命令中使用的地址位置
序列不受输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取模式，
取决于控制输入的状态。
删除：
前一个字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态
存储器的位是逻辑“1”。各个扇区可以通过使用扇区擦除要擦除
命令。
扇区擦除：
该设备被组织成71扇区（ SA0 - SA70 ） ，可以是individu-
盟友删除。扇区擦除命令是一个双总线周期操作。扇区地址和
在D0H数据输入的命令被锁止在WE的上升沿。扇区擦除开始
之后的第二周期的WE的上升沿只要给定的扇区没有被亲
tected 。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。该
擦除扇区的最大时间为t
美国证券交易委员会
。删除已被保护的部门尝试
将导致操作立即终止。
WORD编程：
一旦一个存储区被擦除，它被编程（为逻辑“ 0”）的
上一个字逐个字为基础。编程是通过内部寄存器命令来完成稳压
存器和一个双总线周期操作。该装置将自动生成所需的
内部编程脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果
在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程
将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，
BP
周期
时间。如果节目状态位是“1”时，设备不能够验证该编程操作
ATION被成功执行。状态寄存器指示编程状态。而
程序顺序执行时，状态位I / O 7为“0” 。而编程，唯一有效的的COM
要求主要读状态寄存器，程序挂起和恢复计划。
VPP引脚：
该AT49BV320C的电路（ T）被设计成使得该装置不能被亲
编程，或者如果在V擦除
PP
电压小于0.4V 。当V
PP
是在1.5V以上，正常
程序和擦除操作可以被执行。 VPP引脚不能悬空。
读状态寄存器：
状态寄存器指示装置操作的状态和
该操作的成功/失败。读状态寄存器命令会导致后续
读取从状态寄存器的输出数据，直到另一个命令发出。要返回
从内存中读取，发出读命令。
状态寄存器的位是在I / O7输出 - I / O0 。高字节， I / O15 - I / O8 ，输出00H
当发出读状态寄存器命令。
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AT49BV320C(T)
3372A–FLASH–8/03
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