初步的技术数据
特点
2Ω最大导通电阻
0.5Ω最大导通电阻平坦度
200毫安每通道的连续电流
33 V电源电压范围
在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
典型功耗： <0.03 μW
2Ω最大导通电阻，
±15 V/12 V/±5 V
iCMOS
四通道SPST开关
ADG1411/ADG1412/ADG1413
功能框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN4
D4
IN3
D3
S4
IN4
D4
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
S1
IN1
D1
S2
D2
S1
ADG1411
ADG1412
ADG1413
S3
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
继电器更换
开关所对于逻辑"1"输入
图1 。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
该ADG1411 / ADG1412 / ADG1413内置四个独立
单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG1411和
ADG1412的唯一不同在于，数字控制逻辑被反转。
该ADG1411开关接通与逻辑0的
合适的控制输入端，而逻辑1时所需要的
ADG1412 。该ADG1413有两个开关，数字控制
逻辑类似于ADG1411的;逻辑反转上
其他两个开关。每个开关导电性能相同，在
和两个方向时就具有一个输入信号范围
延伸到供应。在OFF状态时，信号电平最高
物资被封锁。
该ADG1413展品先开后合式开关动作的
在多路复用应用中使用。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
概述
该ADG1411 / ADG1412 / ADG1413均为单芯片
互补金属氧化物半导体（ CMOS）器件
设计包含四个独立可选的开关
an
iCMOS工艺
流程。
iCMOS工艺
（工业CMOS）是一种模块
制造工艺相结合的高压CMOS和
双极性技术。它可以广泛的发展
高性能的模拟能力33 V工作电压的集成电路
占用空间，没有上一代的高压器件有
之所以能够实现。与采用传统的模拟IC
CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以承受高电源
同时还能提升性能，大幅电压
更低的功耗，并减小封装尺寸。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
2Ω最大导通电阻随温度。
最小失真
3 V逻辑兼容数字输入： V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
超低功耗： <0.03 μW 。
16引脚TSSOP和4mm × 4 mm LFCSP封装包。
REV 。预
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ADG1411/ADG1412/ADG1413
目录
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 6
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ .................................. 7
引脚配置和功能描述........................... 8
初步的技术数据
术语................................................. ...................................... 9
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
牧师上一页|第17页2
初步的技术数据
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
1.5
2
0.1
0.5
0.1
0.5
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
±0.04
±1
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（ ADG1413只）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
±2.5
±5
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
ADG1411/ADG1412/ADG1413
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;图20
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= ±10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V ;我
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;图21
V
S
= ±10V, V
D
=
10 V ;图21
±2.5
±5
V
S
= V
D
= ± 10 V ;图22
±5
±5
2.0
0.8
±2.5
±0.5
nA的最大
0.005
2.5
105
125
40
50
25
50
50
60
0.015
200
35
35
150
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
185
60
10
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图24
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图27
R
L
= 110 Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图28
VS = 0 V ， F = 1兆赫
VS = 0 V ， F = 1兆赫
VS = 0 V ， F = 1兆赫
电源要求
I
DD
I
DD
0.001
1
220
牧师上一页|第17页3
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
初步的技术数据
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
版本
-40 ° C至
+85°C
单位
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
2
3
0.1
4
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V
最小/最大
ADG1411/ADG1412/ADG1413
测试条件/评论
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（ ADG1413只）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
V
DD
V
S
≤ +10 V，I
S
= -10毫安;图20
V
DD
= +10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
≤ +10 V，I
S
= -10毫安
0.1
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±0.04
±1
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 0 V ;图21
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 0 V ;图21
V
S
= V
D
= 1伏或10伏;图22
±2.5
±2.5
±5
±5
±5
±5
2.0
0.8
0.001
±0.5
3
120
155
45
65
50
50
50
60
0.015
200
35
35
150
0.001
1
220
320
5/16.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
225
85
10
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图23
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;图24
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图27
R
L
= 110 Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图28
VS = 6V ， F = 1兆赫
VS = 6V ， F = 1兆赫
VS = 6V ， F = 1兆赫
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
GND = 0V ， VSS = 0V
1
通过设计保证，不受生产测试。
牧师上一页|第17页5
