特点
单电源进行读写： 2.7 3.6V
快速读取访问时间 - 55纳秒
内部控制程序和定时器
部门架构
- 一个16K字节的引导与规划锁定座
- 两个8K字节的参数块
- 两个主要的存储器块（ 32K字节， 64K字节）
快速擦除周期 - 3秒
逐字节编程 - 30微秒/字节典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
1-megabit
（ 128K ×8 ）
单2.7伏
电池电压
描述
该AT49BV001A （ N） （T ）是2.7伏，只在系统内可编程Flash存储器。
它的1兆位的存储器由8位， 131,072字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间
55 ns的只有54毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。
FL灰内存
AT49BV001A
AT49BV001AN
AT49BV001AT
AT49BV001ANT
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据输入/输出
无连接
VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或
TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
PLCC顶视图
A12
A15
A16
复位*
VCC
WE
NC
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
注意：
*此引脚为NC上AT49BV001AN （T ） 。
牧师3364C -FLASH - 9月3日
1
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50微安。对于
AT49BV001AN （T ） ，引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装都没有转换
NECT引脚。以允许简单的系统重新编程，该AT49BV001A （N） （T），不
需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定读和
该装置的编程操作。读数据从装置的类似于读取从
一个EPROM ;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免总线冲突。重新编程
该AT49BV001A （N） （T），通过擦除数据的一个块，然后对编程进行
逐个字节的基础字节。字节编程时间是30快
s.
一个程序周期结束可以
可任选地通过在DATA轮询功能检测。一旦一个字节的程序周期结束了
被检测到的，用于读出或编程一个新的访问可以开始。程序的典型数量
和擦除周期中超过10,000个循环。
该设备通过执行擦除命令序列擦除;内部器件所
指令对擦除操作。有两个8K字节参数块部分，两个主要的存储器
块，和一个引导块。
该设备具有保护在引导块中的数据的功能;这个功能是通过启用
命令序列。在16K字节的引导块部分包括重新编程锁定为特色的
TURE ，以提供数据的完整性。引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护被重新编程。
在AT49BV001AN （T ） ，一旦引导块编程锁定功能启用时，
引导块的内容是永久性的，不能改变。在AT49BV001A （T）
一旦引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容
不能与5.5伏或更小的输入电压电平的改变。
框图
AT49BV001A(N)
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
8
输入/输出
缓冲器
节目
数据锁存器
Y型GATING
1FFFF
X解码器
主内存
BLOCK 2
（ 64K字节）
主内存
1座
（ 32K字节）
参数
BLOCK 2
（ 8K字节）
参数
1座
（ 8K字节）
BOOT BLOCK
（ 16K字节）
BOOT BLOCK
（ 16K字节）
10000
0FFFF
参数
1座
（ 8K字节）
参数
BLOCK 2
（ 8K字节）
主内存
1座
（ 32K字节）
主内存
BLOCK 2
（ 64K字节）
AT49BV001A(N)T
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
输入/输出
缓冲器
节目
数据锁存器
Y型GATING
1FFFF
1C000
1BFFF
控制
逻辑
Y译码
地址
输入
08000
07FFF
1A000
19FFF
06000
05FFF
18000
17FFF
04000
03FFF
00000
10000
0FFFF
00000
2
AT49BV001A(N)(T)
3364C–FLASH–9/03
AT49BV001A(N)(T)
设备
手术
阅读：
该AT49BV001A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置
上的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。
这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列：
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下根据控制线路输入状态。为了执行其它
设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令
序列显示的命令定义表中。该命令序列写入
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和OE高。
地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准的微处理器写定时被使用。
在命令序列中使用的地址位置不影响输入的COM
命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。如果RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作时，
操作可能无法成功完成并且操作将后进行重复
高的电平被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，
设备返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。
通过施加12V的
±
0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可重现
编程即使引导块锁定功能已启用（见引导块
编程锁定覆盖部分） 。复位功能不可用的
AT49BV001AN(T).
删除：
前一个字节可以被重新编程，在主存储器的块或参数
包含字节块必须被擦除。的存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个装置可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该
软件芯片擦除代码由6个字节的load命令与具体的地址位置
一个特定数据模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作
化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个
芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据将
不被擦除。
芯片擦除：
如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除
参数块1 ，参数2座，主内存块1 - 2 ，而不是引导块。如果
引导块锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。
全片擦除后，设备将返回到读取模式。芯片中的任何命令
擦除将被忽略。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区
可单独擦除。有两个8K字节参数块部分和两个主
存储器块。在8K字节的参数块段和两个主要的存储器块可
独立擦除和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期
操作。扇区地址被锁存第六周期而下降WE边缘
30H数据输入的命令被锁在WE的上升沿。之后的扇区擦除开始
第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会自动
matically时间来完成。
3
3364C–FLASH–9/03
字节编程：
一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（向
逻辑“0” ）上的逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回
一个“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期的操作（请参见命令
定义表） 。该设备将自动生成所需的内部程序脉冲。
程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。编程
明的是指定的T完成后，
BP
周期时间。在DATA轮询功能也可以是
用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
该设备具有具有一个指定的块
编程锁定功能。此功能可以防止数据的程序在指定
一旦该功能已启用阻止。该块的大小为16K字节。该块，
被称为引导块，可以包含用于调出系统的安全码。
启用锁定功能将使启动代码留在设备，而在其余的数据
该装置的被更新。此功能没有被激活;引导块的用法
一个写保护的区域是可选的用户。引导块的地址范围是00000
到03FFF为AT49BV001A （N）的同时，在引导块的地址范围是1C000到
1FFFF的AT49BV001A （N ）T 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
编程与5.5V或更低的输入电压。在主存储器中的块的数据仍然可以是
通过定期的编程方法改变。来激活锁定功能，一系列的
6程序命令与具体数据的具体地址，必须执行。请
参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定是否亲
引导块段编程被锁定。当该装置是在软件产品
识别模式（请参阅软件产品识别进入和退出部分），从读
地址位置00002H将显示，如果编程引导块被锁定为
AT49BV001A （ N） ，并从地址位置1C002H读会显示，如果编程启动
块被锁定为AT49BV001A （N ）T 。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能已被激活并
块不能编程。软件产品标识码应当用于
返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：
用户可以覆盖启动
块编程锁定，采取RESET引脚到12伏在整个芯片擦除，
扇区擦除或字节编程操作。当RESET引脚被带回TTL列弗
ELS引导块编程锁定功能是反复活跃。此功能不可用
该AT49BV001AN （T）的。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品标识。
的制造商，设备代码是相同的这两种模式。
4
AT49BV001A(N)(T)
3364C–FLASH–9/03
AT49BV001A(N)(T)
数据查询：
该AT49BV001A （ N） （ T）具有数据查询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环中的最后一个字节的企图读出加载的，将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据轮询可以随时开始
在计划周期。
触发位：
除了数据轮询AT49BV001A （N ）（T）提供了另一种方法
用于确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外计划
到AT49BV001A （N） （T），以下列方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于1.8V （典型值） ，
该程序的功能是抑制。 （二）禁止编程：持有OE低， CE为高任何一种或
WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：在WE小于15纳秒（典型值）的脉冲
或CE输入将不会启动编程周期。
5
3364C–FLASH–9/03
特点
单电源进行读写： 2.7 3.6V
快速读取访问时间 - 55纳秒
内部控制程序和定时器
部门架构
- 一个16K字节的引导与规划锁定座
- 两个8K字节的参数块
- 两个主要的存储器块（ 32K字节， 64K字节）
快速擦除周期 - 3秒
逐字节编程 - 30微秒/字节典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
1-megabit
（ 128K ×8 ）
单2.7伏
电池电压
描述
该AT49BV001A （ N） （T ）是2.7伏，只在系统内可编程Flash存储器。
它的1兆位的存储器由8位， 131,072字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间
55 ns的只有54毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。
FL灰内存
AT49BV001A
AT49BV001AN
AT49BV001AT
AT49BV001ANT
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据输入/输出
无连接
VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或
TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
* RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
PLCC顶视图
A12
A15
A16
复位*
VCC
WE
NC
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
注意：
*此引脚为NC上AT49BV001AN （T ） 。
牧师3364C -FLASH - 9月3日
1
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50微安。对于
AT49BV001AN （T ） ，引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装都没有转换
NECT引脚。以允许简单的系统重新编程，该AT49BV001A （N） （T），不
需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定读和
该装置的编程操作。读数据从装置的类似于读取从
一个EPROM ;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免总线冲突。重新编程
该AT49BV001A （N） （T），通过擦除数据的一个块，然后对编程进行
逐个字节的基础字节。字节编程时间是30快
s.
一个程序周期结束可以
可任选地通过在DATA轮询功能检测。一旦一个字节的程序周期结束了
被检测到的，用于读出或编程一个新的访问可以开始。程序的典型数量
和擦除周期中超过10,000个循环。
该设备通过执行擦除命令序列擦除;内部器件所
指令对擦除操作。有两个8K字节参数块部分，两个主要的存储器
块，和一个引导块。
该设备具有保护在引导块中的数据的功能;这个功能是通过启用
命令序列。在16K字节的引导块部分包括重新编程锁定为特色的
TURE ，以提供数据的完整性。引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被保护被重新编程。
在AT49BV001AN （T ） ，一旦引导块编程锁定功能启用时，
引导块的内容是永久性的，不能改变。在AT49BV001A （T）
一旦引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容
不能与5.5伏或更小的输入电压电平的改变。
框图
AT49BV001A(N)
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
8
输入/输出
缓冲器
节目
数据锁存器
Y型GATING
1FFFF
X解码器
主内存
BLOCK 2
（ 64K字节）
主内存
1座
（ 32K字节）
参数
BLOCK 2
（ 8K字节）
参数
1座
（ 8K字节）
BOOT BLOCK
（ 16K字节）
BOOT BLOCK
（ 16K字节）
10000
0FFFF
参数
1座
（ 8K字节）
参数
BLOCK 2
（ 8K字节）
主内存
1座
（ 32K字节）
主内存
BLOCK 2
（ 64K字节）
AT49BV001A(N)T
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
输入/输出
缓冲器
节目
数据锁存器
Y型GATING
1FFFF
1C000
1BFFF
控制
逻辑
Y译码
地址
输入
08000
07FFF
1A000
19FFF
06000
05FFF
18000
17FFF
04000
03FFF
00000
10000
0FFFF
00000
2
AT49BV001A(N)(T)
3364C–FLASH–9/03
AT49BV001A(N)(T)
设备
手术
阅读：
该AT49BV001A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置
上的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。
这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列：
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下根据控制线路输入状态。为了执行其它
设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令
序列显示的命令定义表中。该命令序列写入
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和OE高。
地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准的微处理器写定时被使用。
在命令序列中使用的地址位置不影响输入的COM
命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。如果RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作时，
操作可能无法成功完成并且操作将后进行重复
高的电平被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，
设备返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。
通过施加12V的
±
0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可重现
编程即使引导块锁定功能已启用（见引导块
编程锁定覆盖部分） 。复位功能不可用的
AT49BV001AN(T).
删除：
前一个字节可以被重新编程，在主存储器的块或参数
包含字节块必须被擦除。的存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个装置可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该
软件芯片擦除代码由6个字节的load命令与具体的地址位置
一个特定数据模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作
化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个
芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据将
不被擦除。
芯片擦除：
如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除
参数块1 ，参数2座，主内存块1 - 2 ，而不是引导块。如果
引导块锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。
全片擦除后，设备将返回到读取模式。芯片中的任何命令
擦除将被忽略。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区
可单独擦除。有两个8K字节参数块部分和两个主
存储器块。在8K字节的参数块段和两个主要的存储器块可
独立擦除和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期
操作。扇区地址被锁存第六周期而下降WE边缘
30H数据输入的命令被锁在WE的上升沿。之后的扇区擦除开始
第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会自动
matically时间来完成。
3
3364C–FLASH–9/03
字节编程：
一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（向
逻辑“0” ）上的逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回
一个“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期的操作（请参见命令
定义表） 。该设备将自动生成所需的内部程序脉冲。
程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。编程
明的是指定的T完成后，
BP
周期时间。在DATA轮询功能也可以是
用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
该设备具有具有一个指定的块
编程锁定功能。此功能可以防止数据的程序在指定
一旦该功能已启用阻止。该块的大小为16K字节。该块，
被称为引导块，可以包含用于调出系统的安全码。
启用锁定功能将使启动代码留在设备，而在其余的数据
该装置的被更新。此功能没有被激活;引导块的用法
一个写保护的区域是可选的用户。引导块的地址范围是00000
到03FFF为AT49BV001A （N）的同时，在引导块的地址范围是1C000到
1FFFF的AT49BV001A （N ）T 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
编程与5.5V或更低的输入电压。在主存储器中的块的数据仍然可以是
通过定期的编程方法改变。来激活锁定功能，一系列的
6程序命令与具体数据的具体地址，必须执行。请
参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定是否亲
引导块段编程被锁定。当该装置是在软件产品
识别模式（请参阅软件产品识别进入和退出部分），从读
地址位置00002H将显示，如果编程引导块被锁定为
AT49BV001A （ N） ，并从地址位置1C002H读会显示，如果编程启动
块被锁定为AT49BV001A （N ）T 。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能已被激活并
块不能编程。软件产品标识码应当用于
返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：
用户可以覆盖启动
块编程锁定，采取RESET引脚到12伏在整个芯片擦除，
扇区擦除或字节编程操作。当RESET引脚被带回TTL列弗
ELS引导块编程锁定功能是反复活跃。此功能不可用
该AT49BV001AN （T）的。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品标识。
的制造商，设备代码是相同的这两种模式。
4
AT49BV001A(N)(T)
3364C–FLASH–9/03
AT49BV001A(N)(T)
数据查询：
该AT49BV001A （ N） （ T）具有数据查询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环中的最后一个字节的企图读出加载的，将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。数据轮询可以随时开始
在计划周期。
触发位：
除了数据轮询AT49BV001A （N ）（T）提供了另一种方法
用于确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外计划
到AT49BV001A （N） （T），以下列方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于1.8V （典型值） ，
该程序的功能是抑制。 （二）禁止编程：持有OE低， CE为高任何一种或
WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：在WE小于15纳秒（典型值）的脉冲
或CE输入将不会启动编程周期。
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3364C–FLASH–9/03
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