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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1471页 > AT27C516-45JI
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 44引脚PLCC
- 40引脚VSOP
5V
±
10 %的电力供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 50微秒/字(典型值)
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业温度范围
512K ( 32K ×16 )
OTP EPROM
AT27C516
1.描述
该AT27C516是一款低功耗,高性能的524,288位一次性可编程
只读存储器( OTP EPROM )举办32K由16位。它仅需要一个5V
在正常读模式操作电源。任何词可以在不到访问
45纳秒,省去了减速等待状态。是次组织16
使这器件非常适合高性能的16位和32位微处理器系统。
在读取模式下, AT27C516典型功耗15毫安。待机模式下电源电流
租金通常小于10 μA 。
该AT27C516是提供行业标准的JEDEC批准的一次性编程
梅布尔( OTP)塑料PLCC和VSOP封装。该器件具有两线控制
(CE, OE) ,以消除在高速系统总线争用。
用32K字的存储容量, AT27C516允许固件进行可靠存储
和要由所述系统,而不大容量存储媒体的延迟访问。
Atmel公司的AT27C516具有附加功能,以确保优质,高效的亲
duction使用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分,并保证可靠的编程。编程时间通常只
50微秒/字。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0362E–EPROM–1/08
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A14
O0 - O15
CE
OE
PGM
NC
注意:
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
这两个GND引脚都必须连接。
2.1
40引脚VSOP (类型1 )顶视图
A9
A10
A11
A12
A13
A14
NC
NC
PGM
VCC
VPP
CE
O15
O14
O13
O12
O11
O10
O9
O8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
O0
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
GND
2.2
44引脚PLCC顶视图
O13
O14
O15
CE
VPP
NC
VCC
PGM
NC
NC
A14
注: PLCC封装引脚1和23不连接。
2
AT27C516
0362E–EPROM–1/08
O3
O2
O1
O0
OE
NC
A0
A1
A2
A3
A4
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
O12
O11
O10
O9
O8
GND
NC
O7
O6
O5
O4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6
5
4
3
2
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A13
A12
A11
A10
A9
GND
NC
A8
A7
A6
A5
AT27C516
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中,这些瞬变可
超出数据表的限制,导致设备不符合。至少,一个0.1 μF的高
频率,低固有电感,陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子,由于靠近
到设备成为可能。此外,为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列,一个4.7 μF的大容量电解电容,应使用,再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意:
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲,以7.0伏为小于20纳秒的脉冲。
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
3
0362E–EPROM–1/08
6.操作模式
模式/针
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项:
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平(V
IL
),除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW (V
IL
)选择制造商的标识字节和高(V
IH
)选择器件代码字节。
5.待机V
CC
电流(I
SB
)指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
& GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB
.
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A14 = V
IL
V
PP
X
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C516
-45
-40°C - 85°C
工业运行温度(外壳)
V
CC
电源
5V
±
10%
5V
±
10%
-70
-40°C - 85°C
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项:
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
( CMOS ) ,CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
( TTL ) , CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时,我
OUT
= 0 mA时, CE = V
IL
-0.6
2.0
最大
±
1
±
5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时除去或V后
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
PP
.
4
AT27C516
0362E–EPROM–1/08
AT27C516
9. AC波形的读操作
(1)
10. AC特性读操作
AT27C516
-45
符号
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意事项:
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
最大
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
45
45
20
20
7
7
70
70
25
25
OE或CE高到输出浮法为准先发生
从地址, CE或OE ,输出保持者为准
第一次发生
1.定时测量参考电平为1.5V为-45设备。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测
surement参考水平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.45V
和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
.
4.此参数仅取样,而不是100%测试。
5.输出浮子被定义为点时,数据将不再被驱动。
5
0362E–EPROM–1/08
AT27C516
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
100
A
最大。待机
mA(最大值) 30 。活跃在5MHz
JEDEC标准封装
44引脚PLCC
40引脚TSOP ( 10毫米x10 14毫米)
5V
±
10 %的电力供应
高可靠性的CMOS技术
2000V的ESD保护
200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 50
μS/字
(典型值)
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
512K ( 32K ×16 )
CMOS OTP
EPROM
描述
该AT27C516是一款低功耗,高性能的524,288位一次性可编
BLE只读存储器( OTP EPROM )举办32K ×16位。它仅需要一个
在正常模式下的读取操作5V电源。任何词可以在更短的访问
超过45纳秒,省去了减速等待状态。在由16 organi-
矩阵特殊积使该器件非常适用于高性能16位和32位微处理器系
TEMS 。
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
O0 - O15
CE
OE
PGM
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
AT27C516
注意:两个GND引脚必须
进行连接。
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
注: PLCC封装引脚1
和23请勿连接。
0362C
3-145
描述
(续)
在读取模式下, AT27C516典型功耗15毫安。
待机状态下的电源电流通常小于10
A.
该AT27C516是行业标准提供
JEDEC批准的一次性可编程( OTP )塑料
PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制( CE , OE )来消除在高速总线争
系统。
用32K字的存储容量, AT27C516允许
固件被可靠地存储并要由被访问
系统,而无需大容量存储媒体的延迟。
Atmel的27C516具有附加功能,以确保高
优质高效的生产使用。快速
编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分,保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为50
μS/字。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
明的算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬态电压excur-
sions 。除非容纳由系统设计中,这些
瞬变可能会超出数据表的限制,导致DE-
副不合格。至少,一个0.1
F
高频
昆西,固有的低电感,陶瓷电容
应被用于每个设备。该电容应
被连接在V之间
CC
和接地端子
该装置中,如靠近器件成为可能。另外,
以稳定的印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列, 4.7
F
大容量电解
电容应该利用,再连接之间的
V
CC
和接地端子。该电容应该是位置
tioned尽可能接近的地步的功率
电源被连接到所述阵列。
3-146
AT27C516
AT27C516
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面......................... -2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面...................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面....................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注意:
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲来 -
2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出
脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能过冲
到+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
操作模式
模式\\引脚
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H
(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A14 = V
IL
V
PP
X
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
鉴定
CODE
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入举办
LOW (V
IL
),除了A9被设定为V
H
和A0是瓶酒
GLED低(V
IL
)选择的制造商标识
字高(V
IH
)选择器件代码字。
5.待机V
CC
电流(I
SB
)指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
& GT ;
V
PP
会导致我略有增加
SB
.
3-147
直流和交流工作条件的读操作
AT27C516
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
-45
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-85
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-10
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1
(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP
(1)
读/待机电流
V
CC
(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
( CMOS ) ,CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
( TTL ) , CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时,我
OUT
= 0 mA时, CE = V
IL
-0.6
2.0
最大
±
1
±
5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
注意事项: 1, V
CC
必须同时或V前申请
PP
,
同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了亲中
编程。电源电流便会成为我的总和
CC
PP
.
AC特征的读操作
AT27C516
-45
符号
t
ACC (3)
t
CE (2)
t
OE( 2 ,3)
t
DF ( 4,5)
t
OH
注意事项:
-55
最大
-70
最大
-85
最大
-10
最大
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE = VIL
OE = V
IL
CE = V
IL
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
45
45
20
20
7
7
55
55
25
25
7
70
70
25
25
0
85
85
30
30
0
100
100
30
30
OE或CE高到输出浮动,
以先发生
从地址输出保持,
CE或OE ,无论
第一次发生
2 , 3 , 4 , 5, - 看到AC波形进行读操作。
3-148
AT27C516
AT27C516
AC波形的读操作
(1)
注:1.定时测量参考电平为1.5V为-45
-55和设备。 AC输入驱动电平为V
IL
=
0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测量
参考电平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平的
V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
.
3. OE可能会延迟到t
- t
OE
后的地址是有效的
没有对T的影响
.
4.此参数仅取样,而不是100%测试。
5.输出浮子被定义为点时,数据将不再被驱动。
输入测试波形和测量水平
为-45 , -55 , -70和
只有设备:
t
R
, t
F
< 5纳秒(10%至90%)的
输出测试负载
为-85和-10
只有设备:
t
R
, t
F
& LT ; 20毫微秒(10%至90%)的
(1)
注: CL = 100 pF包括夹具
电容除-45 , -55和-70
设备,其中CL = 30 pF的。
引脚电容
中(f = 1 MHz的T = 25℃)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样,而不是100%测试。
3-149
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
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