【特点单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源急流串行接口： 66 MHz最大时钟频率- 】,IC型号AT45DB161D-TU,AT45DB161D-TU PDF资料,AT45DB161D-TU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

急流

串行接口： 66 MHz最大时钟频率

- 兼容SPI模式0和3

用户可配置的页面大小

- 每页512字节

- 每页528字节

- 页面大小可在工厂预先配置为512字节

页编程操作

- 智能编程操作

- 4096页（ 528分之512字节/页）主内存

灵活的擦除选项

- 页擦除（ 512字节）

- 块擦除（ 4字节）

- 扇区擦除（ 128字节）

- 芯片擦除（ 16兆位）

两个SRAM数据缓冲区（五百二十八分之五百十二字节）

- 允许数据的接收，同时重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 7毫安有效的读电流典型

- 25 μA待机电流典型

- 9 μA深层关机典型

硬件和软件数据保护功能

- 个别部门

部门锁定的安全代码和数据存储

- 个别部门

安全性： 128字节安全寄存器

- 64字节的用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

JEDEC标准制造商和设备ID读

100000编程/擦除周期每页最低

数据保留 - 20岁

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项

16-megabit

2.5伏或

2.7-volt

数据闪存

AT45DB161D

1.描述

该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏，串行接口顺序访问闪存

内存非常适合用于各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和对

数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口

应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM

兼容的频率高达66 MHz的。其17301504位存储器被组织成

4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器，所述

AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区

允许数据的接收，而在主存储器中的页面进行重新编程，

以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节alterabil-

性）是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。

不同于与多个随机访问的传统闪存

3500J–DFLASH–4/08

地址线和并行接口，所述数据闪存使用急流串行接口sequen-

tially访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数，

便于硬件布局，提高了系统的可靠性，减少开关噪声，并降低了

封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

其中，高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

以允许简单的系统重新编程，该AT45DB161D并不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源， 2.5V至3.6V或2.7V

到3.6V，同时为程序和读取操作。该AT45DB161D通过启用

片选引脚（ CS）和访问通过一个三线接口，包括串行输入的（ SI ），

串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

2.引脚配置和引脚

图2-1 。

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图： 1型

图2-2 。

数据闪存卡

(1)

通过包顶视图

7 6

5 4 3 2 1

注意：

1.见AT45DCB002D数据。

图2-3 。

MLF （ VDFN ）顶视图

SCK

RESET

图2-4 。

GND

VCC

SOIC顶视图

SCK

RESET

GND

VCC

注意：

1.对MLF封装的底部的金属焊盘是浮动的。这种垫可以是“无连接”，或连接到GND 。

AT45DB161D

3500J–DFLASH–4/08

AT45DB161D

表2-1 。

符号

销刀豆网络gurations

名称和功能

片选：

断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效，该装置

都将被取消，通常被放置在待机模式下（没有深度掉电模式），

和输出引脚（SO ）将处于高阻抗状态。当设备被取消，数据

不会对输入引脚（ SI ）接受。

在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作，以及低到高

结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作，如

编程或擦除周期内，设备将无法进入待机模式，直到完成

操作。

串行时钟：

该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流

数据和从该装置。目前SI引脚上的命令，地址和数据的输入始终是

锁定在SCK的上升沿，而在SO引脚输出数据总是同步输出

SCK的下降沿。

串行输入：

SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入

包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升

SCK的边缘。

串行输出：

SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是

同步输出SCK的下降沿。

写保护：

当WP引脚置位，所有部门保护由部门指定

保护寄存器将被保护，以防止程序及不管是否擦除操作

在启动扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能

独立软件控制的保护方法。之后， WP引脚变为低电平时，

的扇区保护寄存器的内容不能被修改。

如果一个编程或擦除命令发出到设备，而WP引脚置，该装置

会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态

一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门

锁定命令，不过，将在该设备所认可时， WP引脚被置位。

WP引脚在内部上拉，高，可能会悬空，如果硬件控制保护将

不能被使用。但是，我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V

只要有可能。

RESET ：

在复位引脚（ RESET ）低的状态将终止正在进行的操作和复位

内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态，只要

低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复，一旦RESET引脚

带回高电平。

该器件集成了一个内部上电复位电路，所以有在没有任何限制

上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐

该RESET引脚的外部驱动高。

READY / BUSY ：

这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时，器件处于忙碌中

内部自定时操作。该引脚，通常是在高状态（通过外部

上拉电阻），在编程过程中会被拉低/擦除操作，比较操作，

和页到缓冲器传输。

占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能

访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。

器件电源：

在V

销是用来提供电源电压的装置。

在无效的V操作

电压可能产生虚假的结果，不应该试图。

地面：

用于电源的接地参考。接地应连接到系统

地面上。

断言

状态

TYPE

低

输入

SCK

–

输入

–

输入

–

产量

低

输入

RESET

低

输入

RDY / BUSY

–

产量

GND

–

动力

地

3500J–DFLASH–4/08

3.框图

闪存阵列

PAGE （五百二十八分之五百一十二BYTES ）

缓冲器1 （ 528分之512 BYTES ）

缓冲液2 （ 528分之512 BYTES ）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

4.内存阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB161D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度，包括的

扇区，块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分，并详细介绍了

每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除

操作可以在芯片，扇区，块或页级别来执行。

图4-1 。

内存架构图

座建筑

扇区0

块0

1座

部门架构

行业0A = 8页

4096 / 4224字节

页面架构

8页

块0

第0页

第1页

部门0B = 248页

126976 / 130944字节

部门1

BLOCK 2

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

部门1 = 256页

131,072 / 135,168字节

31座

BLOCK 33

部门2 = 256页

131,072/135,168

字节

2区

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

行业14 = 256页

131,072 / 135,168字节

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业15 = 256页

131,072 / 135,168字节

BLOCK 510

BLOCK 511

第4094

页面4,095

块= 4096 / 4224字节

页=五百二十八分之五百一十二字节

AT45DB161D

3500J–DFLASH–4/08

AT45DB161D

5.设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表

与它们相关联的操作码中包含

表15-1第28页

通过

表15-7上

第31页。

有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿

操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存

通过SI（串行输入）引脚地址位置。所有的指令，地址和数据都是反式

ferred最显著位（ MSB）开始。

缓冲区寻址标准的数据闪存页面大小（ 528字节）的数据表中引用

使用的术语BFA9 - BFA0表示指定一个字节所需要的10位地址

缓冲区内处理。主内存寻址用的术语PA11引用 -

PA0和BA9 - BA0 ，其中PA11 - PA0表示指定所需的12位地址

网页地址和BA9 - BA0表示指定字节地址需要10位地址

内的页面。

对于二进制页面大小“ 2的幂” （ 512字节）的缓冲区中被引用地址

使用常规术语BFA8数据表 - BFA0表示的9个地址位

到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用

使用的术语A20 - A0 ， A20在哪里 - A9表示要desig-所需的12位地址

内特页地址和A8 - A0表示指定字节所需的9位地址

在页面中解决。

6.读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取任

1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持模式0和激流协议

模式3，请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表

于每种模式的时钟周期序列的详细信息。

6.1

连续阵列读取（旧命令： E8H ）：高达66 MHz的

通过提供一个初始地址的主存储器阵列，该阵列的连续读

命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流

简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要

来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动

计数器每个时钟周期，使一个连续的读操作，而不需要

额外的地址序列。从标准的数据闪存页面进行连续读取

大小（ 528字节）， E8H的操作码，必须移入器件后跟三个地址

个字节（它包括24位页和字节地址序列）和4-不在乎字节。该

第12位（ PA11 - PA0 ）的22位的地址序列的指定主MEM-的哪一页

储器阵列中读取数据，最后10位（ BA9 - BA0 ）的22位地址序列指定

在页面内起始字节地址。从二进制页面尺寸进行连续读

（ 512字节），操作码（ E8H ）必须移入器件后跟三个地址字节

4不在乎字节。第12位（ A20 - A9 ）的21位序列指定的页面

主存储器阵列中读取数据，并在最后9位 - 21-位地址序列（A8 A0）

指定页内的起始字节地址。不在乎跟着地址字节

字节需要初始化读操作。继不在乎字节，额外的时钟

SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不关心

字节，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

3500J–DFLASH–4/08

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

急流串行接口： 66 MHz最大时钟频率

- 兼容SPI模式0和3

用户可配置的页面大小

- 每页512字节

- 每页528字节

- 页面大小可在工厂预先配置为512字节

页编程操作

- 智能编程操作

- 4096页（ 528分之512字节/页）主内存

灵活的擦除选项

- 页擦除（ 512字节）

- 块擦除（ 4字节）

- 扇区擦除（ 128字节）

- 芯片擦除（ 16兆位）

两个SRAM数据缓冲区（五百二十八分之五百十二字节）

- 允许数据的接收，同时重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 7毫安有效的读电流典型

- 25 μA待机电流典型

- 15 μA深层关机典型

硬件和软件数据保护功能

- 个别部门

部门锁定的安全代码和数据存储

- 个别部门

安全性： 128字节安全寄存器

- 64字节的用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

JEDEC标准制造商和设备ID读

100000编程/擦除周期每页最低

数据保留 - 20岁

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项

16-megabit

2.5伏或

2.7-volt

数据闪存

AT45DB161D

1.描述

该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏，串行接口顺序访问闪存

内存非常适合用于各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和对

数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口

应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM

兼容的频率高达66 MHz的。其17301504位存储器被组织成

4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器，所述

AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区

允许数据的接收，而在主存储器中的页面进行重新编程，

以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节alterabil-

性）是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。

不同于与多个随机访问的传统闪存

3500M–DFLASH–04/09

地址线和并行接口，所述数据闪存使用急流串行接口sequen-

tially访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数，

便于硬件布局，提高了系统的可靠性，减少开关噪声，并降低了

封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

其中，高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

以允许简单的系统重新编程，该AT45DB161D并不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源， 2.5V至3.6V或2.7V

到3.6V，同时为程序和读取操作。该AT45DB161D通过启用

片选引脚（ CS）和访问通过一个三线接口，包括串行输入的（ SI ），

串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

2.引脚配置和引脚

图2-1 。

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图： 1型

图2-2 。

BGA封装的球出

（ TOP VIEW ）

SCK

GND

VCC

RDY / BSY

RESET

图2-3 。

MLF （ VDFN ）顶视图

SCK

RESET

图2-4 。

GND

VCC

SOIC顶视图

SCK

RESET

GND

VCC

注意：

1.对MLF封装的底部的金属焊盘是浮动的。这种垫可以是“无连接”，或连接到GND 。

AT45DB161D

3500M–DFLASH–04/09

AT45DB161D

表2-1 。

符号

销刀豆网络gurations

名称和功能

片选：

断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效，该装置

都将被取消，通常被放置在待机模式下（没有深度掉电模式），

和输出引脚（SO ）将处于高阻抗状态。当设备被取消，数据

不会对输入引脚（ SI ）接受。

在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作，以及低到高

结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作，如

编程或擦除周期内，设备将无法进入待机模式，直到完成

操作。

串行时钟：

该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流

数据和从该装置。目前SI引脚上的命令，地址和数据的输入始终是

锁定在SCK的上升沿，而在SO引脚输出数据总是同步输出

SCK的下降沿。

串行输入：

SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入

包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升

SCK的边缘。

串行输出：

SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是

同步输出SCK的下降沿。

写保护：

当WP引脚置位，所有部门保护由部门指定

保护寄存器将受到保护，免遭程序也不管擦除操作

是否启用扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能

独立软件控制的保护方法。之后， WP引脚变为低电平时，

的扇区保护寄存器的内容不能被修改。

如果一个编程或擦除命令发出到设备，而WP引脚置，该装置

会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态

一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门

锁定命令，不过，将在该设备所认可时， WP引脚被置位。

WP引脚在内部上拉，高，可能会悬空，如果硬件控制保护将

不能被使用。但是，我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V

只要有可能。

RESET ：

在复位引脚（ RESET ）低的状态将终止正在进行的操作和复位

内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态，只要

低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复，一旦RESET引脚

带回高电平。

该器件集成了一个内部上电复位电路，所以有在没有任何限制

上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐

该RESET引脚的外部驱动高。

READY / BUSY ：

这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时，器件处于忙碌中

内部自定时操作。该引脚，通常是在高状态（通过外部

上拉电阻），在编程过程中会被拉低/擦除操作，比较操作，

和页到缓冲器传输。

占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能

访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。

器件电源：

在V

销是用来提供电源电压的装置。

在无效的V操作

电压可能产生虚假的结果，不应该试图。

地面：

用于电源的接地参考。接地应连接到系统

地面上。

断言

状态

TYPE

低

输入

SCK

–

输入

–

输入

产量

低

输入

RESET

低

输入

RDY / BUSY

–

产量

GND

–

动力

地

3500M–DFLASH–04/09

3.框图

闪存阵列

PAGE （五百二十八分之五百一十二BYTES ）

缓冲器1 （ 528分之512 BYTES ）

缓冲液2 （ 528分之512 BYTES ）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

4.内存阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB161D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度，包括的

扇区，块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分，并详细介绍了

每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除

操作可以在芯片，扇区，块或页级别来执行。

图4-1 。

内存架构图

座建筑

扇区0

块0

1座

部门架构

行业0A = 8页

4096 / 4224字节

页面架构

8页

块0

第0页

第1页

部门0B = 248页

126976 / 130944字节

部门1

BLOCK 2

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

部门1 = 256页

131,072 / 135,168字节

31座

BLOCK 33

部门2 = 256页

131,072/135,168

字节

2区

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

行业14 = 256页

131,072 / 135,168字节

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业15 = 256页

131,072 / 135,168字节

BLOCK 510

BLOCK 511

第4094

页面4,095

块= 4096 / 4224字节

页=五百二十八分之五百一十二字节

AT45DB161D

3500M–DFLASH–04/09

AT45DB161D

5.设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表

与它们相关联的操作码中包含

表15-1第28页

通过

表15-7上

第31页。

有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿

操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存

通过SI（串行输入）引脚地址位置。所有的指令，地址和数据都是反式

ferred最显著位（ MSB）开始。

缓冲区寻址标准的数据闪存页面大小（ 528字节）的数据表中引用

使用的术语BFA9 - BFA0表示指定一个字节所需要的10位地址

缓冲区内处理。主内存寻址用的术语PA11引用 -

PA0和BA9 - BA0 ，其中PA11 - PA0表示指定所需的12位地址

网页地址和BA9 - BA0表示指定字节地址需要10位地址

内的页面。

对于二进制页面大小“ 2的幂” （ 512字节）的缓冲区中被引用地址

使用常规术语BFA8数据表 - BFA0表示的9个地址位

到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用

使用的术语A20 - A0 ， A20在哪里 - A9表示要desig-所需的12位地址

内特页地址和A8 - A0表示指定字节所需的9位地址

在页面中解决。

6.读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取任

1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持模式0和激流协议

模式3，请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表

于每种模式的时钟周期序列的详细信息。

6.1

连续阵列读取（旧命令： E8H ）：高达66 MHz的

通过提供一个初始地址的主存储器阵列，该阵列的连续读

命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流

简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要

来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动

计数器每个时钟周期，使一个连续的读操作，而不需要

额外的地址序列。从标准的数据闪存页面进行连续读取

大小（ 528字节）， E8H的操作码，必须移入器件后跟三个地址

个字节（它包括24位页和字节地址序列）和4-不在乎字节。该

第12位（ PA11 - PA0 ）的22位的地址序列的指定主MEM-的哪一页

储器阵列中读取数据，最后10位（ BA9 - BA0 ）的22位地址序列指定

在页面内起始字节地址。从二进制页面尺寸进行连续读

（ 512字节），操作码（ E8H ）必须移入器件后跟三个地址字节

4不在乎字节。第12位（ A20 - A9 ）的21位序列指定的页面

主存储器阵列中读取数据，并在最后9位 - 21-位地址序列（A8 A0）

指定页内的起始字节地址。不在乎跟着地址字节

字节需要初始化读操作。继不在乎字节，额外的时钟

SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不关心

字节，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

3500M–DFLASH–04/09