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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1491页 > AM29F160DB75FC
Am29F160D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22288
调整
D
修订
0
发行日期
2000年12月4日
Am29F160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0伏单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
在0.25微米制程技术制造的
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 24 mA典型有效的读电流
- 56 mA典型的擦除/编程电流
- 300 nA的典型待机模式电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部开机或底部启动配置
可用的
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48引脚TSOP
s
兼容于JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
s
WP #输入引脚
“在
VIL
,保护了16 KB的引导扇区,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除引导扇区保护
s
编程和擦除性能
- 扇区擦除时间: 1秒典型的每个64字节
扇形
- 字节编程时间: 7 μs的典型
出版#
22288
启:
D
Amendment/0
发行日期:
2000年12月4日
概述
该Am29F160D是16兆, 5.0伏,仅限于Flash
存储设备组织为2,097,152字节或
1,048,576字。数据显示在DQ0 - DQ7或DQ0-
DQ15根据所选择的数据宽度。该
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。该器件采用48引脚
TSOP封装。为了消除每个总线争
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁旁路模式
设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
擦除算法的
内部算法, automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
针,通过阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
VCC探测器,自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
写保护( WP # )
功能可以保护16
通过产生一个逻辑低电平的WP # KB的引导扇区
销,该扇区是否以前一直亲
tected 。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
字/字节配置.............................................. ............
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
自动休眠模式............................................... ..............
RESET # :硬件复位引脚............................................ .....
输出禁止模式............................................... .................
4
4
5
6
6
7
8
8
8
9
9
9
9
9
9
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 23
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ...................
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ...
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..........
24
24
24
24
25
25
表1. Am29F160D设备总线操作.................................. 8
图6.切换位算法............................................ ............ 25
表10.写操作状态............................................ ....... 26
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图7.最大负过冲波形...................... 27
图8.最大正过冲波形........................ 27
表2. Am29F160DT扇区地址表(顶部引导) .............. 10
表3. Am29F160DB扇区地址表(底部引导) ......... 11
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 28
CMOS兼容................................................ .................. 29
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.测试设置............................................. .......................... 30
表11.测试规范............................................. ............ 30
自选模式................................................ ..................... 12
表4. Am29F160D自选代码(高压法) .... 12
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
写保护( WP # ) ............................................ .................... 13
临时机构撤消............................................... ... 13
图1.临时机构撤消操作........................... 13
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图10.读操作时序............................................ 。
图11. RESET #时序............................................ ..............
图12. BYTE #时序进行读操作............................
图13. BYTE #时序写操作............................
图14.程序操作时序..........................................
图15.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图16.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图17.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图18. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图19.临时机构撤消时序图..............
图20.部门保护/撤消时序图....................
图21.备用CE #控制的写操作时序......
31
32
33
33
35
36
37
37
38
38
39
41
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 15
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 15
表6.系统接口字符串............................................ ......... 16
表7.设备几何定义............................................ .. 16
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 17
硬件数据保护............................................... ....... 18
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 18
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 18
逻辑禁止................................................ .................................. 18
上电写禁止............................................. ....................... 18
读阵列数据............................................... .................
复位命令................................................ .....................
自选命令序列............................................
字/字节编程命令序列.............................
18
18
19
19
解锁绕道命令序列.............................................. 19
图3.程序操作............................................. ............. 20
芯片擦除命令序列........................................... 20
扇区擦除命令序列........................................ 20
擦除暂停/删除恢复命令........................... 21
图4.擦除操作............................................. .................. 21
命令定义................................................ ............. 22
表9. Am29F160D命令定义................................... 22
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 23
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TSR048-48引脚的反向薄型小尺寸封装......... 44
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 45
版本B( 1999年6月14日) .......................................... .......... 45
版本B + 1 ( 1999年7月7日) ........................................ ............ 45
版本B + 2 ( 1999年7月14日) ........................................ .......... 45
版本B + 3 ( 1999年7月30日) ........................................ .......... 45
版本B + 4 ( 1999年9月10日) ...................................... 45
版本C( 1999年11月16日) .......................................... 45
版本D ( 2000年12月4日) .......................................... ... 45
Am29F160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V ± 5%
V
CC
= 5.0 V ± 10%
70
70
30
75
90
90
90
35
120
120
120
50
Am29F160D
注:请参阅
“AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
WP #
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29F160D
Am29F160D
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
22288
调整
D
修订
0
发行日期
2000年12月4日
Am29F160D
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
特色鲜明
s
5.0伏单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
在0.25微米制程技术制造的
s
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
s
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 24 mA典型有效的读电流
- 56 mA典型的擦除/编程电流
- 300 nA的典型待机模式电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
31 64千字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
31 32 K字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部开机或底部启动配置
可用的
s
最低百万写周期保证
每个扇区
s
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
s
封装选项
- 48引脚TSOP
s
兼容于JEDEC标准
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
s
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
s
WP #输入引脚
“在
VIL
,保护了16 KB的引导扇区,
无论部门保护/取消保护状态
- 在V
IH
允许拆除引导扇区保护
s
编程和擦除性能
- 扇区擦除时间: 1秒典型的每个64字节
扇形
- 字节编程时间: 7 μs的典型
出版#
22288
启:
D
Amendment/0
发行日期:
2000年12月4日
概述
该Am29F160D是16兆, 5.0伏,仅限于Flash
存储设备组织为2,097,152字节或
1,048,576字。数据显示在DQ0 - DQ7或DQ0-
DQ15根据所选择的数据宽度。该
设备被设计成在系统编程用
标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏
V
PP
不需要用于编程或擦除操作。
该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
该器件提供70 , 90的访问时间,和120纳秒,
允许高速微处理器来操作
无需等待。该器件采用48引脚
TSOP封装。为了消除每个总线争
设备都有单独的芯片使能( CE # ) ,写使能
( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有每个设备都需要
单5.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁旁路模式
设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
擦除算法的
内部算法, automati-
美云preprograms阵列(如果它尚未亲
编程)执行擦除操作之前。
在擦除,擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
针,通过阅读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
VCC探测器,自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门保护
功能禁用这两个编程和擦除操作
中的存储器扇区的任意组合。这可以是
在系统或通过编程设备来实现。
写保护( WP # )
功能可以保护16
通过产生一个逻辑低电平的WP # KB的引导扇区
销,该扇区是否以前一直亲
tected 。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据,或程序数据,即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29F160D
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
字/字节配置.............................................. ............
对于读阵列数据要求.....................................
写命令/命令序列..............................
编程和擦除操作状态......................................
待机模式................................................ ..........................
自动休眠模式............................................... ..............
RESET # :硬件复位引脚............................................ .....
输出禁止模式............................................... .................
4
4
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8
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9
9
9
9
9
9
图5.数据#轮询算法........................................... ....... 23
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ...................
DQ6 :切换位I ............................................. .......................
DQ2 :触发位II ............................................. ......................
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ...
DQ5 :超过时序限制............................................. ...
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ..........
24
24
24
24
25
25
表1. Am29F160D设备总线操作.................................. 8
图6.切换位算法............................................ ............ 25
表10.写操作状态............................................ ....... 26
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图7.最大负过冲波形...................... 27
图8.最大正过冲波形........................ 27
表2. Am29F160DT扇区地址表(顶部引导) .............. 10
表3. Am29F160DB扇区地址表(底部引导) ......... 11
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
TTL / NMOS兼容.............................................. ............ 28
CMOS兼容................................................ .................. 29
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图9.测试设置............................................. .......................... 30
表11.测试规范............................................. ............ 30
自选模式................................................ ..................... 12
表4. Am29F160D自选代码(高压法) .... 12
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
写保护( WP # ) ............................................ .................... 13
临时机构撤消............................................... ... 13
图1.临时机构撤消操作........................... 13
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
图10.读操作时序............................................ 。
图11. RESET #时序............................................ ..............
图12. BYTE #时序进行读操作............................
图13. BYTE #时序写操作............................
图14.程序操作时序..........................................
图15.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图16.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图17.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图18. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
图19.临时机构撤消时序图..............
图20.部门保护/撤消时序图....................
图21.备用CE #控制的写操作时序......
31
32
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通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 15
表5. CFI查询标识字符串.......................................... 15
表6.系统接口字符串............................................ ......... 16
表7.设备几何定义............................................ .. 16
表8.主要供应商特定的扩展查询........................ 17
硬件数据保护............................................... ....... 18
低V
CC
写禁止................................................ ...................... 18
写脉冲“毛刺”保护............................................ ............ 18
逻辑禁止................................................ .................................. 18
上电写禁止............................................. ....................... 18
读阵列数据............................................... .................
复位命令................................................ .....................
自选命令序列............................................
字/字节编程命令序列.............................
18
18
19
19
解锁绕道命令序列.............................................. 19
图3.程序操作............................................. ............. 20
芯片擦除命令序列........................................... 20
扇区擦除命令序列........................................ 20
擦除暂停/删除恢复命令........................... 21
图4.擦除操作............................................. .................. 21
命令定义................................................ ............. 22
表9. Am29F160D命令定义................................... 22
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 23
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TSR048-48引脚的反向薄型小尺寸封装......... 44
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
版本A( 1999年1月) ............................................ ......... 45
版本B( 1999年6月14日) .......................................... .......... 45
版本B + 1 ( 1999年7月7日) ........................................ ............ 45
版本B + 2 ( 1999年7月14日) ........................................ .......... 45
版本B + 3 ( 1999年7月30日) ........................................ .......... 45
版本B + 4 ( 1999年9月10日) ...................................... 45
版本C( 1999年11月16日) .......................................... 45
版本D ( 2000年12月4日) .......................................... ... 45
Am29F160D
3
产品选择指南
系列型号
速度选项
最大访问时间, NS (T
)
最大CE#访问时间, NS (T
CE
)
最大OE #访问时间, NS (T
OE
)
V
CC
= 5.0 V ± 5%
V
CC
= 5.0 V ± 10%
70
70
30
75
90
90
90
35
120
120
120
50
Am29F160D
注:请参阅
“AC特性”规格全。
框图
RY / BY #
V
CC
V
SS
RESET#
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
DQ0
DQ15 ( A- 1 )
WE#
WP #
BYTE #
状态
控制
命令
注册
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据
LATCH
CE#
OE #
机顶盒
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
细胞矩阵
A0–A19
4
Am29F160D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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