POSEICO
POSEICO SPA
功率半导体意大利公司
POSEICO SPA
通过N.洛伦8 ， 16152热那亚 - 意大利
电话： ++ 39 010 6556234 - 传真++ 39 010 6557519
销售处：
电话： ++ 39 010 6556775 - 传真++ 39 010 6442510
相位控制晶闸管
AT405
重复电压可达
意思是通态电流
浪涌电流
1200
V
305
A
2.8
kA
最终的特定网络阳离子
创03 - 问题： 05
符号
特征
条件
Tj
[°C]
125
125
125
价值
单位
闭塞
V
V
V
I
I
RRM
RSM
DRM
RRM
DRM
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
V = VRRM
V = VDRM
1200
1300
1200
30
30
V
V
V
mA
mA
125
125
导
I
I
I
V
V
r
T（ AV ）
T（ AV ）
TSM
意思是通态电流
意思是通态电流
浪涌通态电流
I吨
通态电压
阈值电压
通态斜率电阻
180 °罪， 50赫兹， TH = 55 ° C，双面冷却
180 °罪， 50赫兹， TC = 85°C ，双面冷却
正弦波， 10毫秒
无反向电压
通态电流=
600 A
25
125
125
125
305
245
2.8
39 x1E3
1.88
1.0
1.900
A
A
kA
As
V
V
毫欧
I吨
T
T（ TO ）
T
开关
的di / dt
dv / dt的
td
tq
Q RR
I RR
I
I
H
L
的通态电流，最小临界上升率。
断态电压，最小的临界上升率。
门控延迟时间，典型的
整流电路关断时间，典型的
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
保持电流，典型
擎住电流，典型
从75％ VDRM高达300 A，门10V 5欧姆
线性斜坡上升至VDRM的70％
VD = 100V ，栅源10V ， 10欧姆， TR = 0.5微秒
的dV / dt = 20伏/微秒的线性高达75％ VDRM
的di / dt = -20 A / μs的， I = 195
VR = 50 V
VD = 5V ，门开路
VD = 5V ， TP =为30μs
125
125
25
125
25
25
200
500
0.7
200
A / μs的
V / μs的
s
s
C
A
300
700
mA
mA
门
V
I
V
V
I
V
P
P
GT
GT
GD
FGM
FGM
RGM
GM
G
门极触发电压
门极触发电流
非触发栅极电压，最小值。
峰值栅极电压（正向）
栅极峰值电流
峰值栅极电压（反向）
栅极峰值功耗
平均门功耗
VD=5V
VD=5V
VD = VDRM
25
25
125
3.5
200
0.25
20
8
5
V
mA
V
V
A
V
W
W
脉冲宽度为100μs
75
1
MOUNTING
R
R
T
F
号（j -h）中
个（ C-H）
j
热阻抗， DC
热阻抗
工作结温
安装力
块
订购信息： AT405 S12中
标准规格
结到散热片，双面冷却
案件散热器，双面冷却
95
20
-30 / 125
4.9 / 5.9
55
C /千瓦
C /千瓦
°C
kN
g
VDRM&VRRM/100
AT405相位控制晶闸管
最终的特定网络阳离子
创03 - 问题： 05
POSEICO
POSEICO SPA
功率半导体意大利公司
通态特性
TJ = 125°C
浪涌特性
TJ = 125°C
1000
900
800
通态电流[ A]
700
ITSM 【嘉]
0.6
1.1
1.6
2.1
2.6
600
500
400
300
200
100
0
导通状态电压[ V]
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
10
N°循环
100
瞬态热阻抗
双侧冷却
100.0
90.0
80.0
70.0
第i个J- H [ ℃/ KW]
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
0.001
0.01
0.1
T [ S]
1
10
100
阴极端子型DIN 46244 - 4.8 - 0.8
栅极端子类型AMP 60598 - 1
分布式
所有在本数据手册中给出的特性，才能保证均匀
锁模力，清洁和润滑散热片，表面有平整度< 0.03毫米
和粗糙度< 2微米。
在产品改进POSEICO SpA公司的利益保留更改的权利
在不事先通知的任何时间本数据手册中给出任何数据。
如果没有说明，否则收视率的最大值（ simbols了阴影
背景）和特色报道。
QQ：2881677436 复制
