【EEPROM奥斯汀半导体公司128K ×32 EEPROMEEPROM存储器阵列作为军事特定网络阳离】,IC型号AS8E128K32PN-120/883C,AS8E128K32PN-120/883C PDF资料,AS8E128K32PN-120/883C经销商,ic,电子元器件-51电子网

EEPROM

奥斯汀半导体公司

128K ×32 EEPROM

EEPROM存储器阵列

作为军事

特定网络阳离子

AS8E128K32

引脚分配

（ TOP VIEW ）

66铅PGA

（引脚8 ， 21 ， 28 39都在PN包未连接）

SMD 5962-94585

MIL-STD-883

的120 ， 140 ，150， 200 ，250，和300纳秒的存取时间

建于去耦电容的低噪音运行

组织为128K的32倍;用户可配置

为256K X16或X8 512K

操作单5伏电源

低功耗CMOS

TTL兼容的输入和输出

工作温度范围：

军事： -55

C至+ 125

工业： -40

C至+ 85

特点

66铅PGA

（引脚8 ， 21 ， 28 39都在P封装理由）

选项

标志

-120

-140

-150

-200

-250

-300

703号

904号

68铅CQFP

定时

120纳秒

140纳秒

150纳秒

200纳秒

250纳秒

300纳秒

包

陶瓷四方扁平封装

针脚栅格阵列 - 8系列

概述

奥斯汀半导体公司AS8E128K32是4兆位

EEPROM模块组织为128K ×32位。用户可配置到

256K X16或512Kx 8.模块实现高速接入，低

功耗和高可靠性通过使用先进的CMOS

内存技术。

军用级产品符合生产的

SMD和MIL -STD 883 ，因而非常适合于AS8E128K32

军事和空间应用。

该模块提供了1.075英寸见方的陶瓷插针网格

阵列基板。这种包装设计提供了最佳的空间

储蓄通孔封装接受董事会的解决方案。

该模块还提供了一个68铅0.990英寸方形陶瓷

四方扁平封装。它有一个最大值。 0.200英寸的高度。这种包装设计

是针对那些需要低剖面SMT应用

包装。

欲了解更多产品信息

请访问我们的网站：

www.austinsemiconductor.com

AS8E128K32

修订版5.5 9/01

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

设备Identi科幻阳离子

一个额外的128字节的EEPROM存储器可在每

死的用户标识。通过提高A9至12V + 0.5V使用

地址位置1FF80H到1FFFFH字节可以被写入到

或以相同的方式作为常规存储器阵列读取。

AS8E128K32

写入的最后一个字节将导致书面的补

数据被呈现在I / O7 。一旦写周期一直的COM

pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以

开始。数据投票可以在写周期开始随时。

切换位

设备操作

的128K ×32 EEPROM存储器溶液是电

这就像一个访问可擦除和可编程存储器模块

用于读或写周期的静态RAM ，而不需要外部

组件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许

同时写入的数据多达128个字节。在写

周期中，地址和数据的1到128个字节被内部地锁存，

释放地址和数据总线，用于其它操作。继

一个写入周期开始时，该装置将自动写入

使用一个内部的定时器控制锁存的数据。在写入周期结束时

可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一次写入的端

周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。

除了数据投票的模块提供了另一种方法

用于确定的一写周期的结束。在写入操作期间，

连续尝试从设备读取数据会导致I / O6

所访问的模具1和0之间切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，有效的数据将被读取。阅读

肘节位可以在写周期开始，在任何时间。

数据保护

如果不采取预防措施，在此期间可能会出现意外写入

主机电源的转换。电子

模块有其纳入

额定硬件和软件功能，以保护内存

防止意外写入。

读

存储器模块进行访问像静态RAM 。当CE \\

和OE \\低和WE \\是高，存储在存储器中的数据

由地址引脚确定的位置被置位的输出。

该模块可以被理解为一个32位，16位或8位的设备。输出

被置于高阻抗状态时，无论CE \\或OE \\高。

这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车

争用在他们的系统。

硬件保护

硬件功能防止意外写入MOD-

ULE在以下几个方面：（1 ） Vcc的感觉 - 如果VCC低于3.8 V

（典型值）的写入功能受到抑制; （二） Vcc的上电延时 -

一旦VCC达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒

（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 持有的任何一个

OE \\低， CE \\高或WE \\高抑制写周期; （四）噪声滤波器 -

小于15纳秒（典型值），在WE \\或CE \\输入脉冲不会

发起一个写周期。

字节写

在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低

（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是

锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。该

数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦BWDW

（字节，字或双字）写已经开始将automati-

美云本身的时间完成。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经imple-

mented内存模块上。当启用时，该软件数据

保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可启用或由用户禁用，随SDP

禁用， SDP是由主机系统发出一系列三个启用

写命令;数据的三个特定字节写入到三

具体地址（请参考软件数据保护算法）。后

写了三字节指令序列和T后

整个

模块将受到保护，免受意外的写操作。它应该

应当注意，一旦受保护主机仍可能执行页面的一个字节

写入模块。这是通过将数据前要写入完成

通过用于启用SDP中的相同的三个字节的命令序列。一旦

集， SDP将保持活跃，除非禁用命令序列

发行。电源转换不禁SDP和SDP将保护

在上电和掉电条件的128K ×32 EEPROM

系统蒸发散。所有的命令序列必须符合页写时序

规格。在启用和禁用命令序列的数据

不写入在所使用的设备和存储器地址

序列可以被写入任一字节或页写入数据

操作。

SDP设置后，任何试图写入设备无

3字节的命令序列将启动内部写定时器。没有

数据将被写入到该设备;然而，在t的持续时间

读操作将有效地被轮询操作。

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

页写

的128K ×32 EEPROM页写操作允许1到

128 BWDWs数据期间的单个被写入到器件

内部编程周期。每个新BWDW必须写

在150 μ秒（T

BLC

）以前BWDW的。如果T

BLC

极限

突破内存模块将停止接受数据，并开始

内部编程操作。对于我们每前高后低跃迁

页写操作过程中灰，A7 -A16必须是相同的。

在A0 - A6输入用于指定范围内的哪些字节

页将被写入。该字节可以以任何顺序被加载，并且可以

相同的负载周期内进行各种变更。只有那些经试样字节

田间写作将被写入;其他字节不必要的自行车

在页面内不会发生。

数据轮询

此内存模块的特点是数据查询来说明到底

的一个写周期。在一个字节或页写周期中试图读

AS8E128K32

修订版5.5 9/01

EEPROM

奥斯汀半导体公司

绝对最大额定值*

在VCC电源相对于Vss电压

VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V

储存温度....................... ....................- 65 ° C至+ 150°C

短路输出电流（每个I / O） ... ............................. 20毫安

任一引脚电压相对于Vss .....................- 。 5V至Vcc + 1 V

最高结温** ............................................. + 150°C

热阻结到管壳（ θ

包装类型Q ............................................... 11.3 ° C / W

封装类型P & PN ....................................... 2.8 ° C / W

AS8E128K32

*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大

Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是

一个额定值，器件的功能操作

这些或任何上述的那些其他条件中指示的

本规范的操作部分将得不到保证。曝光

在绝对最大额定值条件下工作

会影响其可靠性。

**结温取决于封装类型，周期时间，

负载，环境温度和空气流和湿度（塑料

抽搐）。

电气特性和建议的直流工作条件

(-55

C<T

<125

C或-40

C至+ 85

℃; VCC = 5V + 10 ％）

" ＃ $ ＃％ " &

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AS8E128K32

修订版5.5 9/01

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

电容表

= 0V ， F = 1 MHz时，T

= 25

符号

添加

WE ，

参数

A0 - A16电容

OE \\电容

WE \\和CE \\电容

I / O 0 I / O容量31

最大

单位

AS8E128K32

注意：

1.此参数是保证，但未经测试。

真值表

模式

读

写（ 2 ）

待机/写

写禁止

输出禁用

X (1)

高Z

I / O

OUT

高Z

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形

AC测试条件

电流源

测试规范

输入脉冲电平........................................... V

到3V

输入上升和下降时间为5ns ...........................................

输入时序参考电平1.5V .................................

输出参考电平1.5V .........................................

输出负载................................................见图1

设备

下

TEST

VZ = 1.5V

（双极

SUPPLY ）

CEFF = 50pF的

电流源

注意事项：

VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。

我

可编程从0到16毫安。

Vz的典型Ⅴ的中点

和V

我

被调整，以模拟典型的电阻性负载

电路。

AS8E128K32

修订版5.5 9/01

图1

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

AS8E128K32

电气特性和推荐AC工作条件

(-55

<牛逼

< 125

C或-40

C至+ 85

℃; VCC = 5V + 10 ％）

描述

地址输出延迟

CE \\到输出延迟

OE \\到输出延迟

CE \\或OE \\到输出的浮动

从OE \\ CE \\或地址输出保持，

以先到者为准

符号最小值

120

最大

120

140

最小最大

140

民

150

最大

150

民

200

最大

200

民

250

最大

250

民

300

最大单位

300

加

AC读波形

(1,2,3)

TRC

地址

地址有效

TCE

CE /

TDF

TOE

TOH

OE \\

加

TACC

输出有效

注意事项：

1. CE \\可能会延迟到t

加

-t

没有对T的影响地址转换后，

加

2. OE \\可能会延迟到t

-t

的CE \\没有对T的影响下降沿后

或用t

加

-t

地址变更后

没有inpact对T

加

3. t

从OE \\或CE \\以先到为准（C规定

= 5pF的）。

AS8E128K32

修订版5.5 9/01

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

128K ×32 EEPROM

EEPROM存储器阵列

作为军事

特定网络阳离子

AS8E128K32

引脚分配

（ TOP VIEW ）

66铅PGA

（引脚8 ， 21 ， 28 39都在PN包未连接）

SMD 5962-94585

MIL-STD-883

的120 ， 140 ，150， 200 ，250，和300纳秒的存取时间

建于去耦电容的低噪音运行

组织为128K的32倍;用户可配置

为256K X16或X8 512K

操作单5伏电源

低功耗CMOS

TTL兼容的输入和输出

工作温度范围：

军事： -55

C至+ 125

工业： -40

C至+ 85

特点

66铅PGA

（引脚8 ， 21 ， 28 39都在P封装理由）

选项

标志

-120

-140

-150

-200

-250

-300

703号

904号

68铅CQFP

定时

120纳秒

140纳秒

150纳秒

200纳秒

250纳秒

300纳秒

包

陶瓷四方扁平封装

针脚栅格阵列 - 8系列

概述

奥斯汀半导体公司AS8E128K32是4兆位

EEPROM模块组织为128K ×32位。用户可配置到

256K X16或512Kx 8.模块实现高速接入，低

功耗和高可靠性通过使用先进的CMOS

内存技术。

军用级产品符合生产的

SMD和MIL -STD 883 ，因而非常适合于AS8E128K32

军事和空间应用。

该模块提供了1.075英寸见方的陶瓷插针网格

阵列基板。这种包装设计提供了最佳的空间

储蓄通孔封装接受董事会的解决方案。

该模块还提供了一个68铅0.990英寸方形陶瓷

四方扁平封装。它有一个最大值。 0.200英寸的高度。这种包装设计

是针对那些需要低剖面SMT应用

包装。

欲了解更多产品信息

请访问我们的网站：

www.austinsemiconductor.com

AS8E128K32

7.6修订版06/05

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

设备Identi科幻阳离子

一个额外的128字节的EEPROM存储器可在每

死的用户标识。通过提高A9至12V + 0.5V使用

地址位置1FF80H到1FFFFH字节可以被写入到

或以相同的方式作为常规存储器阵列读取。

AS8E128K32

写入的最后一个字节将导致书面的补

数据被呈现在I / O7 。一旦写周期一直的COM

pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以

开始。数据投票可以在写周期开始随时。

切换位

设备操作

的128K ×32 EEPROM存储器溶液是电

这就像一个访问可擦除和可编程存储器模块

用于读或写周期的静态RAM ，而不需要外部

组件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许

同时写入的数据多达128个字节。在写

周期中，地址和数据的1到128个字节被内部地锁存，

释放地址和数据总线，用于其它操作。继

一个写入周期开始时，该装置将自动写入

使用一个内部的定时器控制锁存的数据。在写入周期结束时

可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一次写入的端

周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。

除了数据投票的模块提供了另一种方法

用于确定的一写周期的结束。在写入操作期间，

连续尝试从设备读取数据会导致I / O6

所访问的模具1和0之间切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，有效的数据将被读取。阅读

肘节位可以在写周期开始，在任何时间。

数据保护

如果不采取预防措施，在此期间可能会出现意外写入

主机电源的转换。电子

模块有其纳入

额定硬件和软件功能，以保护内存

防止意外写入。

读

存储器模块进行访问像静态RAM 。当CE \\

和OE \\低和WE \\是高，存储在存储器中的数据

由地址引脚确定的位置被置位的输出。

该模块可以被理解为一个32位，16位或8位的设备。输出

被置于高阻抗状态时，无论CE \\或OE \\高。

这双线路的控制，使设计人员灵活地预防公交车

争用在他们的系统。

硬件保护

硬件功能防止意外写入MOD-

ULE在以下几个方面：（1 ） Vcc的感觉 - 如果VCC低于3.8 V

（典型值）的写入功能受到抑制; （二） Vcc的上电延时 -

一旦VCC达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒

（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 持有的任何一个

OE \\低， CE \\高或WE \\高抑制写周期; （四）噪声滤波器 -

小于15纳秒（典型值），在WE \\或CE \\输入脉冲不会

发起一个写周期。

字节写

在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低

（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是

锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。该

数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦BWDW

（字节，字或双字）写已经开始将automati-

美云本身的时间完成。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经imple-

mented内存模块上。当启用时，该软件数据

保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可启用或由用户禁用，随SDP

禁用， SDP是由主机系统发出一系列三个启用

写命令;数据的三个特定字节写入到三

具体地址（请参考软件数据保护算法）。后

写了三字节指令序列和T后

整个

模块将受到保护，免受意外的写操作。它应该

应当注意，一旦受保护主机仍可能执行页面的一个字节

写入模块。这是通过将数据前要写入完成

通过用于启用SDP中的相同的三个字节的命令序列。一旦

集， SDP将保持活跃，除非禁用命令序列

发行。电源转换不禁SDP和SDP将保护

在上电和掉电条件的128K ×32 EEPROM

系统蒸发散。所有的命令序列必须符合页写时序

规格。在启用和禁用命令序列的数据

不写入在所使用的设备和存储器地址

序列可以被写入任一字节或页写入数据

操作。

SDP设置后，任何试图写入设备无

3字节的命令序列将启动内部写定时器。没有

数据将被写入到该设备;然而，在t的持续时间

读操作将有效地被轮询操作。

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

页写

的128K ×32 EEPROM页写操作允许1到

128 BWDWs数据期间的单个被写入到器件

内部编程周期。每个新BWDW必须写

在150 μ秒（T

BLC

）以前BWDW的。如果T

BLC

极限

突破内存模块将停止接受数据，并开始

内部编程操作。对于我们每前高后低跃迁

页写操作过程中灰，A7 -A16必须是相同的。

在A0 - A6输入用于指定范围内的哪些字节

页将被写入。该字节可以以任何顺序被加载，并且可以

相同的负载周期内进行各种变更。只有那些经试样字节

田间写作将被写入;其他字节不必要的自行车

在页面内不会发生。

数据轮询

此内存模块的特点是数据查询来说明到底

的一个写周期。在一个字节或页写周期中试图读

AS8E128K32

7.6修订版06/05

EEPROM

奥斯汀半导体公司

绝对最大额定值*

在VCC电源相对于Vss电压

VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V

储存温度....................... ....................- 65 ° C至+ 150°C

任一引脚电压相对于Vss .....................- 。 5V至Vcc + 1 V

最高结温** ............................................. + 150°C

热阻结到管壳（ θ

包装类型Q ............................................... 11.3 ° C / W

封装类型P & PN ....................................... 2.8 ° C / W

AS8E128K32

*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大

Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是

一个额定值，器件的功能操作

这些或任何上述的那些其他条件中指示的

本规范的操作部分将得不到保证。曝光

在绝对最大额定值条件下工作

会影响其可靠性。

**结温取决于封装类型，周期时间，

负载，环境温度和空气流和湿度（塑料

抽搐）。

电气特性和建议的直流工作条件

(-55

C<T

<125

C或-40

C至+ 85

℃; VCC = 5V + 10 ％）

" ＃ $ ＃％ " &

'' " ？

( ! !

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AS8E128K32

7.6修订版06/05

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

电容表

= 0V ， F = 1 MHz时，T

= 25

符号

添加

WE ，

参数

A0 - A16电容

OE \\电容

WE \\和CE \\电容

I / O 0 I / O容量31

最大

单位

AS8E128K32

注意：

1.此参数是保证，但未经测试。

真值表

模式

读

写（ 2 ）

待机/写

写禁止

输出禁用

X (1)

高Z

I / O

OUT

高Z

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形

AC测试条件

电流源

测试规范

输入脉冲电平........................................... V

到3V

输入上升和下降时间为5ns ...........................................

输入时序参考电平1.5V .................................

输出参考电平1.5V .........................................

输出负载................................................见图1

设备

下

TEST

VZ = 1.5V

（双极

SUPPLY ）

CEFF = 50pF的

电流源

注意事项：

VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。

我

可编程从0到16毫安。

Vz的典型Ⅴ的中点

和V

我

被调整，以模拟典型的电阻性负载

电路。

AS8E128K32

7.6修订版06/05

图1

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EEPROM

奥斯汀半导体公司

AS8E128K32

电气特性和推荐AC工作条件

(-55

<牛逼

< 125

C或-40

C至+ 85

℃; VCC = 5V + 10 ％）

描述

地址输出延迟

CE \\到输出延迟

OE \\到输出延迟

CE \\或OE \\到输出的浮动

从OE \\ CE \\或地址输出保持，

以先到者为准

符号最小值

120

最大

120

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最小最大

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最大

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最大单位

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加

AC读波形

(1,2,3)

TRC

地址

地址有效

TCE

CE /

TDF

TOE

TOH

OE \\

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TACC

输出有效

注意事项：

1. CE \\可能会延迟到t

加

-t

没有对T的影响地址转换后，

加

2. OE \\可能会延迟到t

-t

的CE \\没有对T的影响下降沿后

或用t

加

-t

地址变更后

没有inpact对T

加

3. t

从OE \\或CE \\以先到为准（C规定

= 5pF的）。

AS8E128K32

7.6修订版06/05

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。