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AT29C257
特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
5伏仅重编程
页编程操作
单周期重新编程(擦除和编程)
内部地址和数据锁存为64字节
内部控制程序和定时器
硬件和软件数据保护
快速的程序循环时间
页( 64字节)计划时间 - 10毫秒
芯片擦除时间 - 10毫秒
对检测程序结束数据轮询
低功耗
50毫安工作电流
300
A
CMOS待机电流
典型的耐力> 10,000次
单5V
±
10 %供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
引脚兼容AT29C010A和AT29C512 ,便于系统升级
256K ( 32K ×8 )
5伏只有
CMOS闪存
内存
描述
该AT29C257是5伏,只在系统的Flash可编程可擦除只读
存储器( PEROM ) 。它的内存256K是由8位, 32,768字。制造
factured与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件具有AC-
塞斯倍到70 ns的只有275毫瓦的功耗。当该装置是dese-
lected中,CMOS待机电流小于300
A.
该器件的耐用性是这样的
任何机构通常可以被写入到超过10000次。
以允许简单的系统重新编程,该AT29C257不需要高
输入电压进行编程。五伏特只命令确定的动作
该设备。读数据从装置中类似于从一个静态RAM的读取。
重新编程的AT29C257是在页面的基础上进行; 64个字节的数据是
装载到该设备,然后同时被编程。的内容
整个装置可以通过使用一个6字节的软件代码(尽管擦除之前被擦除
无需编程) 。
期间重新编程周期中,地址单元和64字节的数据是内部
锁,从而释放地址和数据总线,用于其它操作。继启动
一个程序循环,设备会自动删除该页面,然后编程
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。一个程序周期结束可以被去
通过I / O7数据轮询tected 。一旦一个程序循环结束时已经检测到
一次读一个新的访问,程序或芯片擦除就可以开始。
AT29C257
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC顶视图
0012K
4-105
框图
设备操作
阅读:
该AT29C257是像访问一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态,每当CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性,防止公交车
争。
字节加载:
一个字节的负载是通过将执行
在WE或CE输入与CE低脉冲或WE低(重
spectively )和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。数据
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。加载的字节
用于输入的64字节的页的是亲
数据保护编程或软件代码和
芯片擦除。
程序:
该装置被重新编程一个页面上
的基础。如果数据页内的字节将被改变,数据
为整个页面必须被加载到设备中。任何
未被其页面的编程期间加载字节
将是不确定的。一旦一个页面的字节加载
到器件中,它们被同时编程能很好地协同
荷兰国际集团的内部编程周期。所述第一数据之后
字节已被加载到设备中,连续的字节
被输入以相同的方式。每个新的字节被亲
编程必须具有高的电平转换的WE (或
CE )内150
s
低到WE高转换(或
CE前面的字节) 。如果一个由高到低的转变是不是
在150检测
s
最后从低到高的转变时,
负载周期将结束,内部编程周期
将启动。 A6至A14指定的页面地址。页面
地址必须在每个高到低转换是有效的
WE (或CE ) 。 A0到A5指定范围内的字节地址
页。该字节可以以任何顺序装入,顺序
不需要加载。一旦编程操作
已经启动,并在t的持续时间
WC
中,读OP-
关合作将有效地成为一个轮询操作。
软件数据保护:
软件控制 -
导致数据保护功能可对AT29C257 。
一旦软件保护已启用软件algo-
rithm必须的程序之前发放给该设备可能
来执行。软件保护功能可恩
禁止时或由用户禁用; Atmel公司出厂时,
该软件的数据保护功能将被禁用。要启用
该软件的数据保护,一系列的三个方案
命令与特定数据的特定地址必须
来执行。之后,该软件的数据保护是恩
体健相同的三个程序命令必须开始
每个程序周期中顺序的程序来进行。所有
软件程序的命令必须服从亲页
克时序规范。一旦设置,该软件数据
保护功能仍然有效,除非它禁用的COM
命令发出。电源转换不会复位软
洁具的数据保护功能,但是该软件为特色的
TURE将防止在无意中程序周期
电源转换。
一旦设定,软件,数据保护将保持非活跃
少了禁用命令序列被发出。
SDP设置后,任何试图写入设备与 -
出了3字节的命令序列将开始的内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;不过,
在t的持续时间
WC
中,读出操作则实际上
轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码后
给出,一个字节的负载是由施加低脉冲进行
在WE或CE输入与CE或WE低(分别)
和OE高。的地址被锁存的下降沿
CE或WE,去年为准。该数据通过锁存
CE或WE的第一个上升沿。 64个字节的数据
必须被加载到每一个扇区由相同的步骤
下设备运行的程序段中概述。
(续)
4-106
AT29C257
AT29C257
设备操作
(续)
硬件数据保护:
硬件特性
防止意外计划在AT29C257
以下方式:(1 )V
CC
有义若V
CC
低于3.8V
(典型的),程序功能被抑制。 (二)V
CC
动力
在对延迟一次V
CC
已达到在V
CC
层次感,
该设备将收到自动超时5毫秒(典型值)
编程。 (三)项目inhibit-控股OE中的任何一个
低,高CE或WE高抑制方案周期。 (四)噪声
小于15纳秒(典型值) ,在WE或CE滤波器 - 脉冲
输入将不会启动编程周期。
产品标识:
该产品identifica-
化模式标识设备和制造商,可
可通过硬件或软件操作访问。对于DE-
尾巴,看操作模式或软件产品Identifica-
化。
数据查询:
该AT29C257具有数据poll-
荷兰国际集团,以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节加载意志
结果,在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦
程序循环已完成,真正的数据是有效
在所有输出和下一个周期可以开始。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位:
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N克叔 é
AT29C257提供了另一种方法,用于确定
一个程序结束或擦除周期。在程序或
擦除操作,连续尝试读取数据
该装置将导致I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6会
停止切换,有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
可选的芯片擦除模式:
整个装置
可以通过使用一个6字节的软件代码被删除。请
请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
4-107
直流和交流工作范围
AT29C257-70
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
5%
AT29C257-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT29C257-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT29C257-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
节目
(2)
5V芯片擦除
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
高电压芯片擦除
产品标识
五金
软件
(5)
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
V
H
(3)
WE
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IL
Ai
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
X
A1 - A14 = V
IL
, A9 = V
H
,
A0 = V
IL
A1 - A14 = V
IL
, A9 = V
H
,
A0 = V
IH
A0 = V
IL
A0 = V
IH
高Z
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
V
IL
V
IL
V
IH
4.制造商代码: 1F ,设备编号: DC
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
最大
10
10
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
4-108
AT29C257
AT29C257
AC阅读特点
AT29C257-70
符号
t
t
CE ( 1 )
t
OE (2)
t
DF (3, 4)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE输出保持, CE
或地址为准
第一次发生
0
0
0
最大
AT29C257-90
最大
AT29C257-12
最大
AT29C257-15
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
40
25
0
0
0
90
90
40
25
0
0
0
120
120
50
30
0
0
0
150
150
70
40
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注:1. CE可能会延迟到t
- t
CE
该地址后,
没有对T过渡的影响
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
- t
OE
地址更改,恕不对T的影响后,
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的) 。
4.此参数的特点,而不是100%测试。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
t
R
, t
F
& LT ; 5纳秒
引脚电容
中(f = 1MHz时, T = 25℃)
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点,而不是100%测试。
4-109
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