A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
特点和优点
电力与1锂离子或2碱性/镍氢/镍镉电池
可调输出电压
>75 ％的效率
三个级别的开关电流限制： 1.0 ， 1.2 ， 1.4 A
快速充电时间
充电完成指示
集成的IGBT驱动器与触发器
不需要一次侧肖特基二极管
薄型封装（ 0.75 mm标称高度）
描述
该A8436是一款高度集成的IC，可收取照相闪光灯
电容数字和胶片相机。它还设有一个
集成的IGBT驱动器，可提供闪光放电
功能和节省电路板空间。
收取的照相闪光灯电容， A8436集成了
40伏， DMOS开关驱动变压器的回扫
拓扑结构，允许与紧耦合优化设计和
高效率。专有的控制方案优化
电容的充电时间。低静态电流和低
关断电流进一步提高系统的效率和
延长电池寿命。
设置三个等级的开关电流极限： 1.0 ，1.2，
和1.4 A.级别由配置决定ILIM
引脚接地，浮，或拉至IC的电源电压，
分别。
CHARGE（充电）引脚使A8436并启动充电
的输出电容器。当指定的输出电压
到达后， A8436停止充电，直到充电
引脚被再次触发。拉CHARGE引脚为低电平站
充电。 DONE引脚是当漏极开路指示器
指定的输出电压就达到了。
该A8436可以用两个碱性/镍氢/镍镉蓄电池或一种使用
单节Li +电池连接到变压器初级。
将VIN引脚连接到3.0至5.5 V电源供电，它可以是
为系统导轨或锂离子电池，如果使用的话。
的A8436可在一个非常低的轮廓（ 0.75mm）组合-10-
端子3 ×3毫米MLP / TDFN封装，使其成为理想的
空间受限的应用。它是铅（Pb ）免费，以100 ％
雾锡电镀引脚框。
包装： 10引脚TDFN / MLP （后缀EJ ）
大致比例为1 ： 1
典型应用
V
BIAS
3.0 5.5 V
两节碱性/镍氢/镍镉蓄电池或1节Li +电池
或1.5 5.5 V
D1
V
BATT
V
OUT
T1
+
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
一个锂离子电池
V
BATT
或3.0至5.5 V
T1
D1
V
OUT
R1
R2
R5
100 k
1.4 A
1.2 A（北卡罗来纳州）
1.0 A
10 k
R4
COUT
R5
100 k
1.4 A
1.2 A（北卡罗来纳州）
1.0 A
10 k
R4
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
R1
R2
COUT
VIN
ILIM
DONE
收费
SW
FB
VIN
ILIM
DONE
收费
SW
FB
A8436
IGBTDRV
GND
R3
A8436
IGBTDRV
GND
R3
R6
10 k
TRIGGER
R7
以IGBT栅极
R6
10 k
10 k
TRIGGER
R7
以IGBT栅极
10 k
图1.典型的电路有独立的电源变压器
A8436 -DS ，第3版
图2.典型电路单电源供电
A8436
描述（续）
应用包括：
数码相机闪光灯
胶片相机闪光灯
手机闪存
紧急频闪灯
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
选购指南
10引脚TDFN / MLP
*联系快板额外的包装选项
产品型号
A8436EEJTR-T
包
包装*
1500件/ 7项。卷轴
绝对最大额定值
特征
SW引脚
IGBTDRV销
FB引脚
所有其他引脚
工作环境温度
最高结温
储存温度
符号
V
SW
V
IGBTDRV
V
FB
V
X
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
笔记
等级
-0.3 40
-0.3到V
IN
+ 0.3
-0.3到V
IN
-0.3 7
-40到85
150
-55到150
单位
V
V
V
V
C
C
C
封装热特性
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
4layer PCB ，基于JEDEC标准
评级单位
45
摄氏度/ W
*更多信息，请快板网站上。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
功能框图
SW
VIN
DCM
比较
CMP3
18 μs
控制逻辑
1.2 V
H
→
L
触发定时器
S
SET
Q
Q
40 V
DMOS
CMP2
I
LIM
比较
ILIM
I
LIM
解码器
可调整的
参考
启用
R
CLR
Q
Q
Q
SET
S
R
FB
CMP1
CLR
收费
DONE
VIN
TRIGGER
单稳
1.2 V
IGBTDRV
GND
器件的引脚输出图
终端列表表
数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
SW
TRIGGER
DONE
FB
ILIM
功能
无连接
IGBT驱动器栅极驱动输出
电源输入
接地装置
充电使能;设置为低功耗关断的A8436
开关，内部连接到DMOS功率FET的漏极
频闪信号输入
开漏输出，当内部MOSFET拉低，表明
充电目标水平已经达到
输出电压反馈
开关电流限制设定;设置了三个层次谨慎
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
10 ILIM
9
8
7
6
FB
DONE
TRIGGER
SW
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
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3
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
电气特性
在T典型值
A
= 25° C和V
IN
= 3.3V （除非另有说明）
特征
电源电压*
电源电流
符号
V
IN
I
IN
充电
充电完成
关机（V
收费
= 0 V, V
TRIGGER
= 0 V)
V
ILIM
＆ LT ; 1.0 V
ILIM引脚悬空
V
ILIM
＆ GT ; V
IN
– 1.3 V
V
IN
= 3.3 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= 35 V
测试条件
分钟。
3
–
–
–
–
1.08
–
–
–
–
–
–
2
–
–
32
μA
进入 针
DONE
V
FB
= 1.205 V
V
IN
升起
–
1.187
–
2.55
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
典型值。
–
5
1
0.01
1.0
1.2
1.4
0.27
–
18
18
–
–
–
–
–
MAX 。单位
5.5
–
10
1
–
1.32
–
–
1
–
–
1
–
0.8
1
100
V
mA
μA
μA
A
A
A
Ω
μA
μs
μs
μA
V
V
μA
mV
V
nA
V
mV
Ω
Ω
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
原边电流限制
SW导通电阻
SW漏电流*
SW最大断时间
SW最大导通时间
充电输入电流
充电输入电压*
输出漏电流*
DONE
输出低电压*
DONE
FB电压阈值*
FB输入电流
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
IGBT驱动器
IGBTDRV导通电阻为VIN
IGBTDRV导通电阻到GND
触发输入电流
I
SWLIM
R
DS（ON ） SW
I
SWLKG
t
关（ MAX）的
t
开（ MAX）的
I
收费
V
CHARGE （H ）
V
CHARGE （ L）
I
DONELKG
V
DONE （ L）
V
FB
I
FB
V
UVLO
V
UVLOHYS
V
收费
= V
IN
1.205 1.223
–120
–
2.65 2.75
150
–
5
6
–
–
–
30
30
70
70
–
–
1
–
0.8
–
–
–
–
R
DS（ON ）I -V
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V
R
DS（ON ）I -G
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V
I
TRIGGER
V
TRIGGER
= V
IN
V
触发器（H）的
触发输入电压*
V
触发器（L）的
传播延迟，瑞星
t
Dr
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
传播延迟，落
t
Df
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出上升时间
t
r
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出下降时间
t
f
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
*通过设计和特性在工作温度范围为-40° C至85°C保证。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
操作时序图
VIN
收费
SW
V
UVLO
目标V
OUT
V
OUT
DONE
TRIGGER
IGBTDRV
A
B
C
D
E
F
活动说明：
A.
B.
C.
D.
E.
F.
开始拉CHARGE高收费，前提是V
IN
是V以上
UVLO
的水平。
充电站时， V
OUT
达到目标电压。 变为低电平时，信号的
DONE
充电过程的完成。
开始一个新的充电过程，在所述充电端子由低到高的跳变。
拉CHARGE为低电平，将在低功耗待机模式的控制器。
未开始充电，因为V
IN
低于V
UVLO
级充电时变为高电平。
经过V
IN
那张高于V
UVLO
，在CHARGE引脚另一个低到高的过渡
开始充电需要。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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5
A8436
包装EJ ：
MLP / TDFN ， 3 × 3毫米
0.75 mm标称高度
照相闪光灯电容
充电器带IGBT驱动器
特点
电力与1锂离子或2碱性/镍氢/镍镉电池
可调输出电压
>75 ％的效率
三个级别的开关电流限制： 1.0 ， 1.2 ， 1.4 A
快速充电时间
充电完成指示
集成的IGBT驱动器与触发器
不需要一次侧肖特基二极管
薄型封装（ 0.75 mm标称高度）
大致比例为1 ： 1
该A8436是一款高度集成的IC，可收费
照相闪光灯电容数字和胶片相机。它
还具有便于集成IGBT驱动器
闪光放电功能并节省电路板空间。
收取的照相闪光灯电容， A8436
集成了一个40伏， DMOS开关驱动变压器
前者在反激式拓扑结构，从而允许优化
设计与紧耦合和高效率。亲
专有的控制方案优化了电容charg-
荷兰国际集团的时间。低静态电流和低关断
目前进一步提高系统效率并延长
电池寿命。
设置三个等级的开关电流限制：
1.0 ，1.2，以及1.4 A的电平是通过配置来确定
uring的ILIM引脚接地，浮，或拉升
以集成电路电源电压，分别
CHARGE（充电）引脚使A8436并启动
充电输出电容。当指定的
输出电压达到时， A8436停止charg-
荷兰国际集团，直至CHARGE引脚被再次触发。拉
CHARGE（充电）引脚为低电平，停止充电。对D 针
一
是当指定的输出的一个漏极开路指示器
电压已经达到了。
该A8436可以用两个碱性/镍氢可用于/
镍镉蓄电池或一个单节Li +电池连接到
变压器的初级。将VIN引脚连接到3.0至
5.5 V电源，它可以为系统导轨或
锂离子电池，如果使用的话。
该A8436是提供一个非常低调
（ 0.75毫米） 10端子3 ×3毫米MLP / TDFN封装，
因此非常适合空间受限的应用。这是
铅（Pb ）免费，采用100％雾锡电镀引脚框。
A8436 -DS ，第2版
应用
数码相机闪光灯
胶片相机闪光灯
手机闪存
紧急频闪灯
两节碱性/镍氢/镍镉蓄电池或1节Li +电池
或1.5 5.5 V
D1
V
BATT
V
OUT
T1
+
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
V
BIAS
3.0 5.5 V
R1
R2
R5
100 kΩ
1.4 A
1.2 A（北卡罗来纳州）
1.0 A
10 kΩ
R4
COUT
VIN
ILIM
收费
DONE
TRIGGER
GND
SW
FB
A8436
IGBTDRV
R3
以IGBT栅极
图1.典型的电路有独立的电源变压器
一个锂离子电池
V
BATT
或3.0至5.5 V
T1
D1
V
OUT
R5
100 kΩ
1.4 A
1.2 A（北卡罗来纳州）
1.0 A
10 kΩ
R4
C1
0.1 μF
C2
4.7 μF
R1
R2
COUT
VIN
ILIM
收费
DONE
TRIGGER
GND
SW
FB
A8436
IGBTDRV
R3
以IGBT栅极
图2.典型电路单电源供电
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
功能框图
SW
DCM
比较
CMP3
18 μs
VIN
控制逻辑
1.2 V
H
→
L
触发定时器
S
SET
Q
Q
40 V
DMOS
CMP2
I
LIM
比较
ILIM
I
LIM
解码器
可调整的
参考
启用
R
CLR
Q
Q
Q
SET
S
R
FB
CMP1
CLR
收费
DONE
VIN
TRIGGER
单稳
1.2 V
IGBTDRV
GND
终端列表表
数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
SW
TRIGGER
DONE
FB
ILIM
功能
无连接
IGBT驱动器栅极驱动输出
电源输入
接地装置
充电使能;设置为低才能开机
关闭A8436
开关，内部连接到
DMOS功率FET的漏极
频闪信号输入
开漏输出，当跨拉低
最终MOSFET ，表示充电
目标水平已经达到
输出电压反馈
开关电流限制设定;集3
谨慎的水平
器件的引脚输出图
NC
IGBTDRV
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
10 ILIM
9
8
7
6
FB
DONE
TRIGGER
SW
绝对最大额定值
输入或输出电压
SW引脚，V
SW
............................................................
-0.3 40 V
IGBTDRV针，V
IGBTDRV
..............................
-0.3到V
IN
+ 0.3 V
FB引脚，V
FB
...............................................................
-0.3到V
IN
所有其他引脚，V
x
......................................................
-0.3到7V的
工作环境温度，T
A
................................
-40 ° C至85°C
最高结温，T
J（下最大）
........................................
150°C
贮藏温度，T
S
..............................................
-55_C到150_C
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115东北托夫，箱15036
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封装热特性
R
θJA
= 45 ° C / W ，在4层电路板。更多信息
可在快板网站。
2
A8436 -DS ，第2版
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
电气特性
在T典型值
A
= 25° C和V
IN
= 3.3V （除非另有说明）
特征
电源电压*
电源电流
符号
V
IN
I
IN
充电
充电完成
关机（V
收费
= 0 V, V
TRIGGER
= 0 V)
V
ILIM
= 0 V
ILIM引脚悬空
V
ILIM
= V
IN
V
IN
= 3.3 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= 35 V
V
收费
= V
IN
测试条件
分钟。
3
–
–
–
–
1.08
–
–
–
–
–
2
–
–
32
μA
进入 针
DONE
V
FB
= 1.205 V
V
IN
升起
–
1.187
–
2.55
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
典型值。
–
5
1
0.01
1.0
1.2
1.4
0.27
–
18
–
–
–
–
–
MAX 。单位
5.5
–
10
1
–
1.32
–
–
1
–
1
–
0.8
1
100
V
mA
μA
μA
A
A
A
Ω
μA
μs
μA
V
V
μA
mV
V
nA
V
mV
Ω
Ω
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
原边电流限制
SW导通电阻
SW漏电流*
SW最大断时间
充电输入电流
充电输入电压*
输出漏电流*
DONE
输出低电压*
DONE
FB电压阈值*
FB输入电流
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
IGBT驱动器
IGBTDRV导通电阻为VIN
IGBTDRV导通电阻到GND
触发输入电流
I
SWLIM
R
DS（ON ） SW
I
SWLKG
t
关（ MAX）的
I
收费
V
CHARGE （H ）
V
CHARGE （ L）
I
DONELKG
V
DONE （ L）
V
FB
I
FB
V
UVLO
V
UVLOHYS
1.205 1.223
–120
–
2.65 2.75
150
–
5
6
–
–
–
30
30
70
70
–
–
1
–
0.8
–
–
–
–
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V
R
DS（ON ）I -V
R
DS（ON ）I -G
V
IN
= 3.3 V, V
IGBTDRV
= 1.5 V
I
TRIGGER
V
TRIGGER
= V
IN
V
触发器（H）的
触发输入电压*
V
触发器（L）的
传播延迟，瑞星
t
Dr
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
传播延迟，落
t
Df
输出上升时间
t
r
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
输出下降时间
t
f
R
门
=12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
IN
= 3.3 V
*通过设计和特性在工作温度范围为-40° C至85°C保证。
A8436 -DS ，第2版
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3
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
使用应用电路进行实验的图6所示的（除非另有说明）
性能特点
充电波形
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
2.5 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
3.6 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
V
OUT
符号
C1
C4
t
条件
参数
V
OUT
I
BATT （AVG）
时间
参数
V
BATT
V
BIAS
C
OUT
单位/部门
50 V
200毫安
1s
价值
4.2 V
3.3 V
100
μF
I
BATT
C4
C1
t
A8436 -DS ，第2版
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
A8436
照相闪光灯电容充电器带IGBT驱动器
性能特点，继续
使用应用电路进行实验的图6所示的（除非另有说明）
充电时间
V
BIAS
= 3.3 V ，C
OUT
= 100
μF
连接VBATT到一个单独的电源
8
8
7
7
90
80
效率
V
BATT
= V
BIAS
, T
A
= 25°C
充电时间（s ）
充电时间（s ）
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
2.0
2
效率（％）
70
60
50
40
100
V
BATT
= 5.0 V
V
BATT
= 4.2 V
V
BATT
= 3.0 V
VV
==320 VV
OUT
OUT
320
VV
==300 VV
OUT
OUT
300
2.5
2.5
3
3.0
3.5
3.5
4
4.0
4.5
4.5
5
V
BATT
(V)
V
BATT
(V)
5.0
5.5
5.5
6
6.0
150
200
V
OUT
(V)
250
300
350
典型的开关波形
V
BATT
C3
V
OUT
符号
C1
C2
C3
C4
t
条件
参数
V
OUT
V
SW
V
BATT
I
主
时间
参数
V
OUT
V
BATT
单位/部门
50 V
10 V
5V
500毫安
2
μs
价值
300 V
V
IN
C2
V
SW
I
主
C4
C1
t
IGBT驱动时序定义
TRIGGER
50%
50%
t
Dr
t
r
90%
t
Df
t
f
90%
10%
IGBTDRV
10%
A8436 -DS ，第2版
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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