【特点快速读取访问时间 - 70纳秒5伏仅重编程部门工作计划- 单周期重新编程（擦除和编程）- 102】,IC型号AT29C020-70PC,AT29C020-70PC PDF资料,AT29C020-70PC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

5伏仅重编程

部门工作计划

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 1024个扇区（ 256字节/扇区）

- 内部地址和数据锁存为256字节

内部控制程序和定时器

硬件和软件数据保护

两次与锁定8K字节的引导块

行业的快速程序的周期时间 - 10毫秒

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

典型的耐力> 10,000次

单5V

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

商用和工业温度范围

2-megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT29C020

描述

该AT29C020是5伏，只在系统的Flash可编程可擦除只读

存储器（ PEROM ）。其2兆的内存被组织为262,144字节。制造

factured与Atmel先进的非易失性CMOS工艺，设备报价

存取时间为70 ns的只有220毫瓦的功耗在商业温

温度范围内。当设备被选中，则CMOS待机电流小于

超过100 μA 。器件的耐用性是这样的，任何扇区通常可以被写入到在

超过10,000次。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A17

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

DIP顶视图

A16

A15

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A17

A14

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

TSOP顶视图

类型1

A11

A13

A14

A17

VCC

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

PLCC顶视图

A12

A15

A16

VCC

A17

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

修订版0291M -FLASH - 5月2日

以允许简单的系统重新编程，该AT29C020不需要高输入

电压进行编程。五伏特只命令决定了设备的操作。

读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。重新编程的

AT29C020的是，一个扇区的基础上执行; 256字节的数据被加载到该设备并

然后同时编程。

期间重新编程周期中，地址位置和256字节的数据被内部锁存，

释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的程序的起始

周期内，设备将自动擦除扇区，然后利用编程数据锁存

内部控制计时器。一个程序循环结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。

一旦一个程序循环结束时被检测到，用于读出或编程一个新的访问可以

开始。

框图

设备

手术

阅读：

该AT29C020访问像EPROM 。当CE和OE低， WE是

高，存储在由地址引脚确定的存储器位置中的数据被置上

的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这

双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。

字节加载：

字节负载被用来输入256字节的扇区进行编程或

的软件代码的数据保护。一个字节的负载是由施加低脉冲上执行

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。

程序：

该装置被重新编程以扇区为基础。如果数据的扇区内的字节

要被改变时，在整个扇区的数据必须被加载到设备中。任何字节，是不是

该领域的编程过程中加载的将是不确定的。一旦一个扇区的字节数

被装载到该设备，它们同时在内部编程中编程的

明时期。后的第一个数据字节已被加载到设备中，连续的字节是

以相同的方式输入。每个新的字节进行编程，必须有它的高到低的转录

在150微秒WE （或CE ）的低到高的转变的习得对WE （或CE ）的前

字节。如果未在150微秒的最后低到高的转变来检测高至低跳变，

负载周期将结束，内部编程周期将开始。 A8到A17指定

扇区地址。扇区地址必须在每个高到低WE过渡是有效的（或

CE）。 A0到A7的指定扇区内的字节地址。该字节可以在任何被加载

秩序;不要求顺序装载。一旦编程操作已启动，

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

AT29C020

0291M–FLASH–05/02

AT29C020

软件数据保护：

软件控制的数据保护功能是可用

能够对AT29C020 。一旦软件保护已启用软件算法必须是

一个程序前向设备发出可被执行。可以在软件保护功能

启用或由用户禁用;爱特梅尔的软件数据保护出厂时

功能被禁用。要启用该软件的数据保护，一系列的三个程序的COM

mands到具有特定数据的特定地址必须被执行。该软件的数据后，

保护已启用了三个相同的程序命令必须从每个程序周期

订购适用于发生的程序。所有的软件程序的命令必须服从部门亲

克时序规范。一旦设置，该软件数据保护功能仍然有效

除非其禁用命令发出。电源转换不会复位软件数据亲

tection功能;然而，软件功能将防止无意的程序循环

在上电期间的过渡。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列

将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于持续时间

吨的化

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

软件数据保护的3字节命令代码发出后，数据的扇区被加载

到使用部门方案时序规范的设备。

硬件数据保护：

硬件功能防止意外亲

克到AT29C020以下方式：（1 ）V

感 - 如果V

低于3.8V （典型值），

该程序的功能是抑制; （二）V

上电延时 - 一旦V

已达到在V

层次感，设备会自动超时5毫秒（典型值），在编程前; （三）亲

抑制革兰氏 - 控股OE低， CE高任一个或WE高抑制方案周期;及（d）

噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会启动亲

克循环。

产品标识：

产品标识模式标识该设备和

厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件

操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程

算法为Atmel的产品。此外，用户可能希望使用该软件产品identi-

fication模式来识别部分（即使用该设备码），并具有该系统软件

使用适当的扇区大小的程序操作。在这种方式中，用户可以有一个

常见的电路板设计为256K至4兆位的密度，并与每个密度的扇区大小在

的存储器映射，具有系统软件应用适当的扇区大小。

有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品标识。

的制造商，设备代码是相同的这两种模式。

数据查询：

该AT29C020设有数据轮询指示的节目的结束

周期。在一个程序循环中加载的最后一个字节的企图读取会导致在COM

二进制补码的I / O7加载的数据。一旦程序周期已经完成，真正的数据是

有效的对所有输出和下一个周期可能开始。数据轮询可能在随时开始

程序循环。

触发位：

除了数据轮询AT29C020提供了另一种方法，用于阻止 -

挖掘一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，逐次

尝试从设备中读取数据，将导致在1和0之间的I / O6切换。一旦

方案周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据将被读取。 Examin-

荷兰国际集团的触发位可以在一个程序周期开始时的任何时间。

可选的芯片擦除模式：

整个装置可以通过使用一个6字节擦除软

洁具代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。

0291M–FLASH–05/02

BOOT BLOCK编程锁定：

该AT29C020有两个指定的存储器

具有编程锁定功能块。此功能可以防止数据的编程

一旦该功能所指定的块已经被启用。每个块包括8K的

字节;编程锁定功能，可独立设置或者块。而

锁定功能没有被激活，它可以为任一个或两个块被激活。

这两个8K存储器段被称为

引导块

。安全的代码，会弹出

一个系统可以被包含在一个引导块。该AT29C020块位于所述第一8K

的存储器字节，最后一个8K字节的存储器。引导块编程锁定为特色的

因此TURE可以支持从内存或较低的地址引导系统

高地址。一旦编程锁定功能被激活，在该数据

块不再被擦除或编程;在其他的存储位置的数据仍然可以是

通过定期的编程方法改变。要激活锁定功能，一系列

七个程序命令与具体数据的具体地址，必须执行。

请参阅引导块锁定功能，使算法。

如果引导块锁定功能已任块激活时，芯片擦除功能将

被禁用。

BOOT BLOCK闭锁检测：

软件方法可用于确定

无论是引导块段节目是否被锁定。请参见软件产品Identifi-

阳离子进入和退出的部分。当该装置是在软件产品识别模式，

从位置00002H读会显示，如果编程地址低引导块被锁定

出，而阅读的位置3FFF2H会做这样的上引导块。如果数据是FE ，则所有已

响应块可以被编程;如果数据是FF，则程序锁定功能已

激活和相应的块不能被编程。软件产品identifi-

阳离子出口模式应该被用来返回到标准操作。

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性。

AT29C020

0291M–FLASH–05/02

AT29C020

直流和交流工作范围

AT29C020-70

操作

温度（外壳）

电源

注意：

COM 。

IND 。

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

不建议用于新设计。

AT29C020-90

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

AT29C020-10

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

AT29C020-12

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

AT29C020-15

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

操作模式

模式

读

节目

(2)

5V芯片擦除

待机/写禁止

禁止程序

输出禁用

产品标识

五金

A1 - A17 = V

， A9 = V

(3)

A0 = V

A1 - A17 = V

， A9 = V

， A0 = V

软件

(5)

A0 = V

注意事项：

X可以是V

或V

请参考AC编程波形。

= 12.0V

0.5V.

制造商代码： 1F ，设备编号： DA 。

看到在软件产品标识进入/退出细节。

制造商代码

(4)

器件代码

(4)

制造商代码

(4)

器件代码

(4)

(1)

高Z

I / O

OUT

DC特性

符号

SB1

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

条件

= 0V至V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

COM 。

IND 。

SB2

OH1

OH2

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

输出高电压CMOS

= 2.1毫安

= -400 A

= -100 μA ; V

= 4.5V

2.4

4.2

2.0

0.45

CE = 2.0V至V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

300

0.8

单位

0291M–FLASH–05/02