即将景点
140毫瓦功率放大器T / R开关
2.4 - 2.5 GHz的
特点
q
q
q
q
AM55-0007
V 2.00
SSOP-24
q
高度集成的PA /衰减器和T / R开关
低电流消耗： 120毫安典型。
开关和衰减器控制CMOS兼容
高功率（ 140毫瓦）和低功耗（ 16毫瓦）
发射功率控制
+5 V / -5 V固定电源电压
描述
M / A - COM的AM55-0007是GaAs功率放大器的
集成发送/接收开关的一个低成本的SSOP 24
塑料封装。该AM55-0007采用有源偏置税务局局长
cuits这省去了外部偏置调整。一
“睡眠模式”被纳入其中关闭电流消耗
从在PA的正电源接收模式。
该AM55-0007提供10 dB的步进衰减器，用作
一个传输功率控制器。
该AM55-0007是专为低功耗
并且非常适合于FSK系统在2.4 - 2.5 GHz的
频段（北美ISM ，日本RCR.32和
欧洲ETSI ） 。典型的应用包括WLAN和
无线便携式数据采集。
该放大器也可提供多样化的开关
（ AM55-0001 ） 。任一功率放大器可以结合
一收发器集成电路（ MD58-0001 ），以形成一个完整的RF前端
结束。
M / A - COM的AM55-0007采用了成熟的制造
0.5微米栅长的GaAs工艺。该工艺的特点
充分钝化，以提高性能和可靠性。
尺寸单位：英寸毫米以上。
订购信息
产品型号
AM55-0007
AM55-0007TR
AM55-0007RTR
AM55-0007SMB
描述
SSOP 24引脚塑料封装
正向磁带&卷轴
*
反向磁带&卷轴
*
设计者工具包
*
如果特定网络盘尺寸为必填项，请咨询工厂的一部分
号分配。
典型的电连接特定的阳离子
测试条件：频率为2.45GHz ， VDD = 5V ± 5 ％ ， VGG = - 5 V± 5 ％ ，T
A
= +25°C
参数
功率放大器
线性增益
在VSWR
输出功率
二次谐波
三次谐波
IDD （V DD1 + V DD2 + V DD PA ）
T / R开关
插入损耗
隔离
VSWR /输出
测试条件
高功率模式
低功耗模式
这两种模式
高功率模式
低功耗模式
高功率模式
单位
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
mA
dB
dB
分钟。
23
12
19
8
典型值。
26.5
16
1.5:1
21.5
12
-25
-17
120
1.2
15
1.5:1
马克斯。
P
IN
= -3 dBm的
P
IN
= -3 dBm的
200
10
14 0毫瓦功率放大器T / R开关
绝对最大额定值
参数
马克斯。输入功率
2
工作电压
2,3
工作温度
储存温度
1
AM55- 0007
V 2.00
真值表
控制线
ATTN
T / R
睡觉
CTRL
CTRL
CTRL
*
X
1
-5 V
0
0
0V
1
0
0V
X
1
-5 V
X - 无所谓
“ 0 ” = 0 V至0.2 V @ 100 μA
“ 1 ” = VDD到V DD -0.2 V @ 200 μA
之间的水平
*
控制voltagecontrol线。 （引脚0 V和VGG必须用于
SLEEP CTRL
24)
绝对最大
+23 dBm的
VDD = 8 V
VGG = -8 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
操作
模式
接受
高功率
低功耗
睡眠模式
1.Exceeding这些限制可能会造成永久性的损害。
2.环境温度（ TA ） = + 25°C
3. | VDD | + | VGG |不超过12伏。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
引脚名称
VGG
T / R CTRL
RX OUT
GND
PA OUT
VDD PA
GND
ATTN CTRL
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
VDD2
GND
VDD1
描述
负电压，所有活动
偏置网络
0 V的发射模式下， + 5V为
接收模式
对T / R开关输出接收模式
DC和RF接地
对T / R开关输出传输模式
VDD为PA ， VDD的输出级
输出级的有源偏置电路
DC和RF接地
0 V为高功率模式下， + 5V低
电源模式
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
DC和RF接地
VDD为多样性和T / R
开关， VDD为PA的第二阶段
DC和RF接地
VDD为PA ，对VDD的第一阶段
有源偏置为连接第一个和第二个
PA舞台
DC和RF接地
DC和RF接地
RF输入到PA
DC和RF接地
0 V PA ＆ QUOT ;对＆ QUOT ;模式， -5 V PA ＆ QUOT ;休眠＆ QUOT ;
模式。休眠模式关闭活跃
偏见和"pinches off"所有的PA场效应管。
功能框图和引脚CON组fi guration
V
GG
T / R CTRL
RX OUT
GND
PA OUT
VDD PA
GND
ATTN CTRL
GND
GND
GND
GND
SLEEP CTRL
GND
PA IN
GND
GND
V
DD1
GND
V
DD2
GND
GND
GND
GND
20
21
22
23
24
GND
GND
PA IN
GND
SLEEP CTRL
14 0毫瓦功率放大器T / R开关
AM55-0007
V 2.00
小信号电源放大器器
1
线性增益
30
-20°C
26
+25°C
22
22
18
+70°C
14
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
频率（GHz ）
20
18
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
频率（GHz ）
±4.0 V
28
26
24
±6.0 V
线性增益VS VDD ， VGG
输入匹配
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
2.0
2.2
2.4
+70°C
-12
-16
-20°C
+25°C
-8
0
-4
输出匹配
-20°C
+70°C
+25°C
2.6
2.8
3.0
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
T / R开关的小信号性能
1
插入损耗&隔离
0
-1
-2
-3
-4
-5
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
0
-5
-10
-10
-15
-20
-25
3.0
-15
-20
0
-5
回波损耗
输入
产量
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
1.除非另有说明，频率为2.45GHz ， VDD = 5V ± 5 ％ ， VGG = - 5 V± 5 ％ ，T
A
= +25°C
14 0毫瓦功率放大器T / R开关
AM55 -0007
V 2.00
功放电源性能
1
POUT VS引脚
24
22
20
18
16
14
12
10
-15
-12
压缩
-20°C
+25°C
+70°C
-9
-6
-3
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
P
IN
（ dBm的）
电流消耗和功率附加效率
25
20
15
10
5
0
-15
-12
-9
+25°C
+70°C
-6
PIN （分贝）
-3
0
-20°C
-20°C
+25°C
+70°C
160
140
120
100
80
60
24
22
20
18
16
14
12
10
POUT VS VDD ， VGG
±6.0 V
± 4.5 V
± 4.0 V
± 5.5 V
± 5.0 V
-15
-11
-7
P
IN
（ dBm的）
-3
1
1.除非另有说明，频率为2.45GHz ， VDD = 5V ± 5 ％ ， VGG = - 5 V± 5 ％ ，T
A
= +25°C
14 0毫瓦功率放大器T / R开关
AM55-0007
V 2.00
推荐PCB配置
布局视图
0.710英寸
横截面图
RF跟踪+组件
射频地
C2 C6 C9
C7 C3
DC路由
德客户定义网络
C8 C4
针
1
射频走线与射频地之间的印刷电路板电介质
层的选择应以减少射频间断
50 - Ω线和封装引脚。 M / A- COM市盈率
ommends的FR-4电介质厚度的0.008英寸（ 0.2
毫米） ，在得到的0.015一个50 - Ω线路的宽度。
（0.38毫米）。推荐的金属化厚度
1盎司铜。
阴影痕迹过孔直流布线层上的痕迹
DC路由层。
C5
C1
偏置程序
外部电路零件清单
LABEL
C1 - C4
C5 - C8
C9
价值
33 pF的
220 pF的
0.01 F
用途
旁路（千兆赫）
旁路（兆赫）
旁路（千赫）
该AM55-0007要求VGG偏置之前应用
to
任何
VDD偏差。如果永久性损坏，可能会出现
程序没有跟上。在PA所有的FET将借鉴
过大的电流而损坏内部电路。
全片组件的低成本表面贴装元件obtain-
能够从多个源。 （ 0.020 in.x 0.040 in.or
0.030 in.x 0.050英寸）
外部电路
V
GG
C5
T / R CTRL
RX OUT
PA OUT
V
DD
PA
C9
C6
ATTN CTRL
C2
C1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
SLEEP CTRL
PA IN
V
DD1
C4
C8
V
DD2
C3
C7
QQ：2880707522 复制
