AT28LV256
特点
快速读取访问时间 - 200纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
页写周期时间： 10 ms最大
1到64字节页写操作
低功耗
15毫安工作电流
20
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力： 10,000次
数据保存： 10年
3.3V单电源
±
5 ％供应
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
低电压
CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28LV256是一个高性能的电可擦除可编程
只读存储器。它的内存256K是由8位， 32,768字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
存取时间为200毫微秒只有54毫瓦的功率耗散。当该装置是
取消选择，在CMOS待机电流小于200
A.
该AT28LV256是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许
写作最多同时64个字节。在写周期中，地址和1
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PDIP ， SOIC
顶视图
AT28LV256
PLCC
顶视图
TSOP
顶视图
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0273E
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描述
（续）
64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址
和数据总线用于其它操作。继启动
的一个写周期，该装置将自动写入
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。的结束
写周期可以由I / O 7的数据的轮询来检测。一旦
在写入周期结束时已经检测到一个新的访问
对于一个读或写操作可以开始。
Atmel的28LV256具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的纠错
数据保持特性。一个可选的软件数据
保护机制可以防止inad-
vertent写道。该装置还包括一个额外的64个字节
的E
2
PROM设备识别和跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
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AT28LV256
AT28LV256
设备操作
阅读：
该AT28LV256访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争用在他们的系统。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低（分别）和OE高启动写赛扬
CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
开始它会自动时间本身来完成。一旦
在编程操作已启动，并为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是poll-
荷兰国际集团的操作。
页写：
牛逼hepagewriteoperationo fthe
AT28LV256允许1到64个字节的数据被写入到
在一个单一的内部编程周期的设备。一
以同样的方式作为一个启动页面写操作
字节写;写入的第一个字节之后可通过1
到63的附加字节。每个连续的字节必须令状
在150 10
s
(t
BLC
）前一字节。如果T
BLC
超出限额的AT28LV256将停止接受
数据，并开始在内部编程操作。
页写操作过程中的所有字节必须驻留在
A14输入 - 由A6的状态定义相同的页面。
对于我们每前高后低过渡时期页写
操作，A6 - A14必须是相同的。
在A0到A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令，并且可以在相同的负载周期内改变。
只有那些书写指定的字节将被写入;
其他字节的页面中不必要的循环呢
不会发生。
数据查询：
该AT28LV256具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，
真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始随时
写周期。
触发位：
除了数据投票的AT28LV256
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6切换BE-
吐温1和0 。一旦写入完成后， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28LV256在后续
荷兰国际集团的方式：（1 ）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
已达到
1.8V （典型值） ，设备将自动超时10毫秒
（典型值）允许在写入前： （B ）写入禁止 - 控股
OE低，CE高任一个或WE高抑制写赛扬
克莱斯; （三）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
软件 - 控制 -
导致数据保护功能已在实施
AT28LV256 。软件数据保护（ SDP ）可以帮助预
从数据损坏的DE-发泄意外写入
副。 SDP可以防止上电时意外写入
和断电以及任何其他潜在的周期
系统不稳定。
该AT28LV256只能使用该软件编写
数据保护功能。一系列的三个写命令
用具体的数据具体的地址，必须提交
写作中的字节或页模式之前的设备。该
同样的三个写命令必须开始每个写操作
化。所有的软件写命令必须服从页面
模式写时序规格。在3字节的数据
命令序列没有被写入到设备;这种吸附
礼服在命令序列可以利用就像
在设备的任何其他地点。
任何试图写入设备没有3个字节的SE-
quence将启动内部写定时器。任何数据都不会
写入设备;然而，在t的持续时间
WC
,
读操作将有效地被轮询操作。
设备标识：
A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和AD-使用
礼服地点7FC0H到7FFFH额外的字节可能
以相同的方式被写入或读出，从作为稳压
拉尔存储器阵列。
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