【数据表特点低导通电阻为0.8 Ω最大，在125°C0.25 Ω最大导通电阻平坦度1.8 V至5.5 】,IC型号ADG819BRM-REEL,ADG819BRM-REEL PDF资料,ADG819BRM-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

低导通电阻为0.8 Ω最大，在125°C

0.25 Ω最大导通电阻平坦度

1.8 V至5.5 V单电源供电

200毫安电流承载能力

汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C

轨到轨工作

6引脚SOT-23封装， 8引脚MSOP封装和6引脚WLCSP封装

快速开关时间

典型功耗（ <0.01 μW ）

TTL / CMOS兼容输入

销与兼容

ADG719

0.5 Ω ， CMOS ，

1.8 V至5.5 V ， 2 ： 1多路复用器/单刀双掷开关

ADG819

功能框图

ADG819

开关所

对于逻辑1输入

图1 。

应用

电源布线

电池供电系统

通信系统

数据采集系统

手机

调制解调器

PCMCIA卡

硬盘驱动器

继电器更换

概述

该

ADG819

是一款单芯片， CMOS ，单刀双掷

（ SPDT ）开关。这个开关被设计上的亚微米工艺

即具有低功耗，高开关

速度，低导通电阻和低泄漏电流。

低功耗和的工作电压范围

1.8 V至5.5 V使

ADG819

非常适合电池供电，

便携式仪器。

的每个开关

ADG819

导电性能相同，在两个

方向时。该

ADG819

展品突破前先

开关动作，从而防止瞬间短路时

切换频道。

该

ADG819

是采用6引脚SOT- 23封装， 8引脚

MSOP封装，并在6个球的WLCSP封装。该芯片

只占用一个1.14毫米× 2.18毫米区，使其成为理想的

候选人为空间受限的应用。

产品亮点

非常低的导通电阻为0.5 Ω典型。

1.8 V至5.5 V单电源供电。

高载流能力。

微型6引脚SOT- 23 ， 8引脚MSOP封装，以及6球， 1.14毫米×

2.18毫米WLCSP封装。

REV 。一

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联系电话： 781.329.4700

02801-001

ADG819

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

数据表

ESD注意事项................................................ ................................... 5

引脚配置和功能描述............................ 6

典型性能特征.............................................. 7

测试电路................................................ ........................................ 9

术语................................................. ................................... 11

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

5月12日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

删除ADG820 ................................................ ................通用

更改概述.............................................. ...... 1

更改表1 .............................................. .............................. 3

更改表2 .............................................. .............................. 4

更改为θ WLCSP

热阻抗参数，

表3 ................................................ ................................................ 5

加入表5和表6;重新编号，按顺序............... 6

删除测试电路6 ;重新编号，按顺序....................... 8

变化图11图14 ........................................... 8 .......

更改名词科.............................................. .... 11

更新的外形尺寸............................................... ........ 12

更改订购指南.............................................. ............ 13

5月2日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第16页2

数据表

特定网络阳离子

= 5伏±10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

ON 1

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

ON1

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

ADG819

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

0.5

0.6

0.06

0.08

0.1

0.17

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

= 0 V到V

, I

= 100毫安;参见图16

= 0 V到V

, I

= 100毫安

0.7

0.8

0.1

0.2

0.12

0.25

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 5.5 V

= 4.5 V/1 V, V

= 1 V / 4.5 V ;参见图17

= V

= 1 V或V

= V

= 4.5 V ;参见图18

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

±3

±10

±25

2.0

0.8

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 3 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 3 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 3 V ;参见图20

–71

–72

300

0.001

1.0

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证;不受生产测试。

= 2.5 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图22

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图23

F = 1 MHz的

= 5.5 V ，数字输入= 0 V或5.5 V

2.0

版本A |第16页3

ADG819

= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

ON1

导通电阻之间的匹配

渠道， ΔR

ON1

导通电阻平坦度，R

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

平（ON）的

数据表

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

0.7

1.4

0.06

= 0 V到V

, I

= 100毫安;参见图16

= 0 V到V

, I

= 100毫安

1.5

1.6

0.13

0.25

±0.01

±0.25

±0.01

±0.25

0.13

= 0 V到V

, I

= 100毫安

= 3.6 V

= 3.3 V/1 V, V

= 1 V / 3.3 V ;参见图17

= V

= 1 V或V

= V

= 3.3 V ;参见图18

±3

±10

±25

2.0

0.8

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，

BBM

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

带宽的-3 dB

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.005

±0.1

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 1.5 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= 1.5 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 1.5 V ;参见图20

300

0.001

1.0

导通电阻的参数与我测试

= 10 mA的电流。

通过设计保证;不受生产测试。

= 1.5 V ，R

= 0 Ω,C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图22

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图23

F = 1 MHz的

= 3.6 V ，数字输入= 0 V或3.6 V

2.0

版本A |第16页4

数据表

绝对最大额定值

= 25℃ ，除非另有说明

表3中。

参数

到GND

模拟输入

数字输入

峰值电流， Sx的或D

连续电流， Sx的或D

工作温度范围

产业

汽车

存储温度范围

结温

MSOP

热阻抗

SOT - 23 （ 4层板）

热阻抗

WLCSP （ 4层板）

热阻抗

焊接温度，焊接

（10秒）的

IR回流焊，峰值温度

（ <20秒）

ADG819

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

只有一个绝对最大额定值可在任何适用

一度。

表4.真值表为

ADG819

开关S1

关闭

开关S2

关闭

等级

-0.3 V至+7 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

400毫安（脉冲为1毫秒， 10 ％

占空比最大）

200毫安

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

206°C/W

44°C/W

119°C/W

80°C/W

300°C

235°C

ESD警告

过压IN ，SX，或D是由内部二极管钳位。电流应

限于给出的最大额定值。

版本A |第16页5