【特点快速读取访问时间 - 150纳秒自动页写操作- 内部地址和数据锁存为64字节快速写周期时间- 页】,IC型号AT28C64B-15JU,AT28C64B-15JU PDF资料,AT28C64B-15JU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速读取访问时间 - 150纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）

2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

单5V

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项只

64K （ 8K ×8 ）

并行

与EEPROM

页写和

软件数据

保护

AT28C64B

1.描述

该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。

与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造

访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是

取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。

该AT28C64B是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时一直

检测到的，对于一个读或写一个新的访问就可以开始。

爱特梅尔AT28C64B有额外的功能，以确保高品质和manufacturabil-

性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制

可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的

64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

0270L–PEEPR–2/09

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚PDIP ， 28引脚SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

AT28C64B

0270L–PEEPR–2/09

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28C64B

3.框图

VCC

GND

Y译码

地址

输入

X解码器

鉴定

数据输入/输出

I / O0 - I / O7

OE ， CE和WE

逻辑

数据锁存器

输入/输出

缓冲器

Y型GATING

细胞矩阵

4，设备操作

4.1

读

AT28C64B的访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高开始写

周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始，这将automati-

美云本身的时间完成。一旦编程操作已启动并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28C64B的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟163个

附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（T

BLC

）前一字节。

如果T

BLC

超出限制时， AT28C64B将停止接受数据，并展开内部

编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

由A6的状态至A12输入所定义的。对于每一个我们高时低的过渡

页写操作，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只有那些经光谱字节

后指定用于写入将被写入;不会发生的页面中的其它字节不必要循环。

0270L–PEEPR–2/09

4.4

数据轮询

该AT28C64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或页

写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致书面的补

数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是对所有有效

输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可能在写操作期间随时开始

周期。

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28C64B提供了另一种方法，用于确定所述端

写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，以及有效的数据将被读取。触发位读数可在写周期开始，在任何时间。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

内存防止意外写入。

4.6.1

硬件数据保护

硬件功能防止意外写入AT28C64B在以下几个方面：（一）

感 - 如果V

低于3.8 V（典型值），写功能受到抑制; （二）V

上电延时

- 一旦V

已达到3.8 V时，该装置会自动前允许 - 超时5毫秒（典型值）

荷兰国际集团一写; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一人多高，还是我们高禁止写入

周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会ini-

tiate一个写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28C64B得到落实。当

启用后，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;在AT28C64B从爱特梅尔随SDP显示

体健。

SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体

数据字节写入三个具体地址（请参阅“软件数据保护算法”

第10页）。

写的3字节的命令序列，并且等待吨后

时，整个AT28C64B

将被保护，防止意外写入。但是应当注意的是，即使在被启用SDP中

用户仍然可以通过数据前执行一个字节或页写入AT28C64B待写入

10由用于使SDP中的相同的3字节的命令序列。

一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护在上电和掉电的AT28C64B

条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。该

在启用和禁用命令序列的数据是不实际写入到器件;其

地址仍然可以写在任何一个字节或页写操作的用户数据。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列将

启动内部写定时器。将没有数据被写入到该设备。然而，对于持续时间

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过rais-

荷兰国际集团A9至12V ± 0.5V ，并使用地址位置1FC0H到1FFFH ，额外的字节可以

写入或以相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28C64B

0270L–PEEPR–2/09

AT28C64B

5.直流和交流工作范围

AT28C64B-15

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

±10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注：1。 X可以是V

或V

参见第8页上的“AC波形写入” 。

3. V

= 12.0V

0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.40

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

0.8

单位

0270L–PEEPR–2/09

特点

快速读取访问时间 - 150纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）

2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

单5V

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

64K （ 8K ×8 ）

并行

与EEPROM

页写和

软件数据

保护

AT28C64B

1.描述

该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。

与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造

访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是

取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。

该AT28C64B是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时一直

检测到的，对于一个读或写一个新的访问就可以开始。

爱特梅尔AT28C64B有额外的功能，以确保高品质和manufacturabil-

性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制

可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的

64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

0270K–PEEPR–10/06

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚PDIP ， 28引脚SOIC顶视图

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

AT28C64B

0270K–PEEPR–10/06

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28C64B

3.框图

VCC

GND

Y译码

地址

输入

X解码器

鉴定

数据输入/输出

I / O0 - I / O7

OE ， CE和WE

逻辑

数据锁存器

输入/输出

缓冲器

Y型GATING

细胞矩阵

4，设备操作

4.1

读

AT28C64B的访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经启动，它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28C64B的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟163个

附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（T

BLC

）以前的

字节。如果T

BLC

超出限制时， AT28C64B将停止接受数据，并开始了

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在

由A6的状态至A12输入所定义相同的页面。对于我们每前高后低过渡

页写操作期间，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只是这是个字节

写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

0270K–PEEPR–10/06

4.4

数据轮询

该AT28C64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以随时开始

在写入周期。

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28C64B提供了另一种方法，用于确定的端

一个写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，以及有效的数据将被读取。触发位读数可能写入过程中随时开始

周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

防止意外的内存写入。

4.6.1

硬件数据保护

硬件功能防止意外写入AT28C64B在以下几个方面：

（一）V

感 - 如果V

低于3.8 V（典型值），写功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8 V时，该装置会自动超时5毫秒（典型值）

之前允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一人多高，还是我们高

禁止写周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE脉冲

输入将不会启动写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28C64B得到落实。当

启用后，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;在AT28C64B从爱特梅尔随SDP显示

体健。

SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体

数据字节写入三个具体地址（请参阅“软件数据保护Algo-

rithms “上

第10页）。

写的3字节的命令序列，并且等待吨后

时，整个

AT28C64B将受到保护，免受意外写操作。但是应当指出的是，即使SDP后

使能时，用户仍可以通过前述的执行字节或页写入AT28C64B

要写入的数据通过用于启用SDP中的相同的3字节的命令序列。

一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护在上电和掉电的AT28C64B

条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。该

在启用和禁用命令序列的数据是不实际写入到器件;

它们的地址可能仍然写在任一个字节或页写操作的用户数据。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列

将启动内部写定时器。将没有数据被写入到该设备。然而，对于持续时间

吨的化

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过

A9提高至12V ± 0.5V ，并使用地址位置1FC0H到1FFFH ，附加字节

可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28C64B

0270K–PEEPR–10/06

AT28C64B

5.直流和交流工作范围

AT28C64B-15

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

±10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

参见第8页上的“AC波形写入” 。

3. V

= 12.0V

0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.40

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

0.8

单位

0270K–PEEPR–10/06