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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第17页 > AO6604L
第2版： 2004年11月
AO6604 ， AO6604L （绿色产品）
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO6604采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET组成一个高速动力
逆变器，适合于多种应用。
AO6604L （绿色产品）被提供在一个无铅
封装。
特点
N沟道
P沟道
-20V
V
DS
(V) = 20V
-2.5A
I
D
= 3.4A
R
DS （ ON）
<的60mΩ
< 110mΩ （V
GS
= 4.5V)
< 75mΩ
< 140mΩ （V
GS
= 2.5V)
< 100mΩ的
<在200mΩ （V
GS
= 1.8V)
D1
TSOP6
顶视图
G1
S2
G2
1 6
2 5
3 4
D1
S1
D2
G1
S1
G2
D2
S2
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
20
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
±8
3.4
2.7
15
1.15
0.73
-55到150
最大的p沟道
-20
±8
-2.5
-2.0
-15
1.15
0.73
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604 ， AO6604L
N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.4A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.4
15
46
63
57
72
10
0.76
1
2
436
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
66
44
3
6.2
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=3.4A
1.6
0.5
5.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
6.3
40
12.7
12.3
3.5
16
4
8.1
570
60
80
75
100
0.6
民
20
1
5
100
1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604,
AO6604L
N沟道的典型电气和热性能
16
10
8V
4.5V
8
2V
I
D
(A)
3V
2.5V
6
4
4
V
GS
=1.5V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
100
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
=2.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
4
8
12
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
100
90
80
R
DS （ ON）
(m
)
70
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
1E-04
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
125°C
I
S
(A)
I
D
=3.4A
1E-01
1E-02
25°C
1E-03
1E+01
1E+00
125°C
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=1.8V
I
D
=3.4A
V
GS
=4.5V
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
25°C
0
V
DS
=5V
12
I
D
(A)
8
80
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=1.8V
60
V
GS
=2.5V
40
V
GS
=4.5V
20
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604,
AO6604L
N沟道的典型电气和热性能
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=10V
I
D
=3.4A
800
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
200
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10ms
100s
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
功率（W）的
1ms
10s
I
D
（安培）
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604 ， AO6604L
P沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
4
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.3
-15
86
116
113
151
6
-0.78
-1
-2
540
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
72
49
12
6.1
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-2.5A
0.6
1.6
10
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=3.9,
R
根
=3
I
F
= -2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
12
44
22
21
7.5
28
15.6
8
700
110
145
140
200
-0.55
民
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
第2版： 2004年11月
AO6604 ， AO6604L （绿色产品）
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO6604采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET组成一个高速动力
逆变器，适合于多种应用。
AO6604L （绿色产品）被提供在一个无铅
封装。
特点
N沟道
P沟道
-20V
V
DS
(V) = 20V
-2.5A
I
D
= 3.4A
R
DS （ ON）
<的60mΩ
< 110mΩ （V
GS
= 4.5V)
< 75mΩ
< 140mΩ （V
GS
= 2.5V)
< 100mΩ的
<在200mΩ （V
GS
= 1.8V)
D1
TSOP6
顶视图
G1
S2
G2
1 6
2 5
3 4
D1
S1
D2
G1
S1
G2
D2
S2
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
20
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
±8
3.4
2.7
15
1.15
0.73
-55到150
最大的p沟道
-20
±8
-2.5
-2.0
-15
1.15
0.73
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604 ， AO6604L
N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.4A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.4
15
46
63
57
72
10
0.76
1
2
436
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
66
44
3
6.2
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=3.4A
1.6
0.5
5.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
6.3
40
12.7
12.3
3.5
16
4
8.1
570
60
80
75
100
0.6
民
20
1
5
100
1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604,
AO6604L
N沟道的典型电气和热性能
16
10
8V
4.5V
8
2V
I
D
(A)
3V
2.5V
6
4
4
V
GS
=1.5V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
100
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
=2.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
4
8
12
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
100
90
80
R
DS （ ON）
(m
)
70
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
1E-04
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
125°C
I
S
(A)
I
D
=3.4A
1E-01
1E-02
25°C
1E-03
1E+01
1E+00
125°C
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=1.8V
I
D
=3.4A
V
GS
=4.5V
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
25°C
0
V
DS
=5V
12
I
D
(A)
8
80
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=1.8V
60
V
GS
=2.5V
40
V
GS
=4.5V
20
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6604,
AO6604L
N沟道的典型电气和热性能
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=10V
I
D
=3.4A
800
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
200
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10ms
100s
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
功率（W）的
1ms
10s
I
D
（安培）
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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P沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
4
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.3
-15
86
116
113
151
6
-0.78
-1
-2
540
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
72
49
12
6.1
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-2.5A
0.6
1.6
10
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=3.9,
R
根
=3
I
F
= -2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
12
44
22
21
7.5
28
15.6
8
700
110
145
140
200
-0.55
民
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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