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AT28C16-T
特点
理想的可重写内存属性
简单的写操作
自定时字节写入
片上的地址和数据锁存器用于类似SRAM的写操作
快速写周期时间 - 1毫秒
5伏仅非易失性写入
写检测结束
RDY / BUSY输出
数据轮询
高可靠性
耐力:100,000写周期
数据保存: 10年以上
单5伏电源进行读写
极低的功耗
30毫安工作电流
100
A
待机电流
描述
在AT28C16 -T是理想的非易失性存储器的属性:它是一个低功率, 5伏,只
字节写入非易失性存储器(E
2
舞会) 。待机电流通常小于
100
Α.
在AT28C16 -T是这样写的静态RAM ,消除了复杂的编程
明算法。 1毫秒的快速写入周期时间,可快速重新配置网卡
在系统。数据保存期限10年以上,排除的必要性
对于电池。三个访问时间已经被指定,以允许不同的层
存储器以及PCMCIA接口之间的缓冲。
在AT28C16 -T访问像读取和写入操作的静态RAM 。中
字节写,地址和数据被内部锁存。以下的起始
写周期,设备将进入繁忙状态,并自动写入数据锁存
使用一个内部控制的计时器。该设备提供了两种方法,用于检测所述端
的一个写周期;在RDY / BUSY输出的I和数据查询/ O
7
.
16K ( 2K ×8 )
PCMCIA
非易失性
属性
内存
AT28C16-T
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BSY
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
READY / BUSY输出
无连接
TSOP
顶视图
0285C
2-175
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 125°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-176
AT28C16-T
AT28C16-T
设备操作
读:
AT28C16 -T访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚detemined的存储器位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态,每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节:
将数据写入AT28C16 -T类似
编写成静态RAM 。在WE或CE输入低脉冲
用OE高, CE或WE低(分别)启动
字节写。的地址被锁存的下降沿
WE或CE (最后以先到为准),并且数据被锁存
在WE或CE (以先到为准科幻RST)的上升沿。
一旦一个字节写入启动它会自动时间本身
完成。对于AT28C16 - T中的写周期时间是1
ms以下。一旦编程操作已
发起并在t的持续时间
WC
,进行读操作将
有效地是一个轮询操作。
READY / BUSY :
1脚是漏极开路READY / BUSY输出
放指示所述自定时接口的当前状态
纳尔写周期。 READY / BUSY积极拉低时
在写周期,并释放在完成的
写。开漏输出允许或拴几个
设备到一个共同的中断输入。
数据查询:
在AT28C16 -T还提供了数据
轮询信号完成一个写周期。在一
写周期,数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
(另一
输出是不确定的) 。当写周期是装订
ished ,真正的数据出现在所有OUPUTS 。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护,以防止:(1 )V
CC
有义若V
CC
低于3.8V (典型值)的写入功能
抑制; (二)V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
A S
达到3.8V时,设备会自动超时5毫秒
(典型值) ,允许一个字节写入前; (三)收件Inhibit-
控股OE低,CE中的任何一个高或WE抑制高
字节写周期。
CHIP CLEAR :
的整个存储器的内容
AT28C16 -T的可能由芯片清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12V ,芯片
当10ms的低脉冲加到WE清零。
设备标识:
A N E X吨R A 3 2 - B Y形吨(E S)华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
方式识别。通过提高
9
到12V ( ±0.5V ),并使用AD-
礼服地点7E0H到7FFH的额外字节数可能
作为经常以相同的方式写入或读出,从
存储器阵列。
2-177
直流和交流工作范围
AT28C16-15T
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
芯片擦除
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
V
H (3)
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IL
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
2.0
.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1.0V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1.0V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
最大
10
10
100
2
3
30
45
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
2-178
AT28C16-T
AT28C16-T
AC阅读特点
PCMCIA
符号
t
C
(R)
t
A
(A)
t
A
( CE)
t
A
( OE)的
t
EN
( CE)
t
EN
( OE)的
t
V
(A)
t
DIS
( CE)
t
DIS
( OE)的
ATMEL
符号
t
RC
t
t
CE ( 1 )
t
OE (2)
t
LZ (4)
t
OLZ (4)
t
OH
t
DF (3, 4)
t
DF (3, 4)
AT28C16-15T
参数
读周期时间
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出使能的CE时间
输出使能,从OE时间
输出保持时间
从CE输出禁止时间
从OE输出禁止时间
0
0
0
0
0
0
50
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
150
150
75
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注:1. CE可能会延迟到t
- t
CE
该地址后,
没有对T过渡的影响
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
- t
OE
地址更改,恕不对T的影响后,
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的) 。
4.此参数的特点,而不是100%测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
& LT ; 5纳秒
引脚电容
中(f = 1MHz时, T = 25℃)
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点,而不是100%测试。
2-179
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