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AT28BV64
特点
2.7V至3.6V电源
完全的读写操作
低功耗
8毫安工作电流
50
A
CMOS待机电流
读取时间 - 300纳秒
字节写 - 3毫秒
直接微处理器控制
数据轮询
READY / BUSY开漏输出
高可靠性的CMOS技术
耐力： 100,000次
数据保存： 10年
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
64K （ 8K ×8 ）
电池电压
CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28BV64是低电压，低功耗电可擦除可编程
只读专为电池供电的应用而设计的内存。它的64K
存储器由8位， 8192字。 Atmel的先进制造
非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为200 ns的电源
功耗低于30毫瓦。当取消选择器件的待机电流
小于50
A.
该AT28BV64是像没有读或写周期静态RAM访问
需要的外部元件。在字节写，地址和数据锁存
在内部，释放微处理器的地址和数据总线，用于其它操作。跟着
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
NC
DC
功能
地址
芯片使能
PDIP ， SOIC顶视图
AT28BV64
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
READY / BUSY输出
无连接
不连接
PLCC顶视图
TSOP顶视图
0493A
2-127
描述
（续）
哞哞叫的写周期开始，该装置会去
忙碌的状态，并自动清除并写入锁存
使用一个内部的定时器控制数据。该装置包括
两种方法用于检测一个写周期结束时，水平
检测我RDY / BUSY和数据查询/ O
7
。一旦
已被检测到的一个写周期结束时，新的接入
对于一个读或写操作可以开始。
Atmel的28BV64具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用错误cor-
内部rection延长耐力和提供改善
已探明的数据保持特性。一个额外的32个字节
E
2
PROM的可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-128
AT28BV64
AT28BV64
设备操作
阅读：
该AT28BV64访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28BV64相似
编写成静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） initi-
阿泰一个字节写操作。的地址位置被锁定在
下降WE （或CE ）的边缘;新的数据被锁存的
上升沿。在内部，该设备进行自我清晰BE-
前写。一旦一个字节写入已启动，它会自动
matically时间本身来完成。一旦编程
操作已启动，在t的持续时间
WC
, a
读操作将有效是一个轮询操作。
READY / BUSY ：
1脚是漏极开路READY / BUSY
输出可以被用来检测写周期的结束。
RDY / BUSY积极拉低在写周期
和释放在完成写操作的。开放
漏连接允许OR-搭售的几个设备
相同的RDY / BUSY线。
数据查询：
该AT28BV64提供数据
轮询信号完成一个写周期。中
一个写周期，数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
（另一
输出是不确定的） 。当写周期是装订
ished ，真正的数据出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
受到保护，防止在以下几个方面。 （一）V
CC
有义若V
CC
低于1.8V （典型值）的写入功能
抑制。 （二）V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
A S
达到2.0V的设备将自动超时10毫秒
（典型值）允许字节写入前。 （三）收件Inhibit-
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
字节写周期。
2-129
直流和交流工作范围
AT28BV64-30
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
操作模式
模式
读
写
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
工作电流AC
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1毫安
I
OL
= 2毫安RDY / BUSY
I
OH
= -100
A
2.0
2.0
0.3
0.3
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1.0V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1.0V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; CE = V
IL
民
最大
5
5
50
8
0.6
单位
A
A
A
mA
V
V
V
V
V
2-130
AT28BV64
AT28BV64
AC阅读特点
AT28BV64-30
符号
t
加
t
CE （ 1 ）
t
OE （2）
t
DF （3， 4）
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从OE ， CE或地址输出保持，
以先发生
0
0
0
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
300
300
150
60
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注：1. CE可能会延迟到t
加
- t
CE
该地址后，
没有对T过渡的影响
加
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
加
- t
OE
地址更改，恕不对T的影响后，
加
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
< 20纳秒
引脚电容
中（f = 1MHz时， T = 25℃）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点，而不是100％测试。
2-131
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