【AF60N03N沟道增强型功率MOSFET特点- 简单的驱动要求- 低栅极电荷- 快速切换- 符合R】,IC型号AF60N03D,AF60N03D PDF资料,AF60N03D经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AF60N03

N沟道增强型功率MOSFET

特点

- 简单的驱动要求

- 低栅极电荷

- 快速切换

- 符合RoHS标准

- 无铅电镀产品

概述

先进的功率MOSFET提供设计师

与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

该TO- 252包装普遍首选的所有

商业，工业表面贴装应用和

适用于低电压应用，如直流/直流

转换器。

I

D

(A)

45

产品概述

BV

DSS

(V)

30

R

DS （ ON）

(m)

12

引脚分配

（前视图）

3

2

1

D

G

S

引脚说明

引脚名称

S

G

D

描述

来源

门

漏

订购信息

一个X

特征

F： MOSFET

PN

60N03 X X

包

D： TO- 252

填料

空白：管或散装

答：带卷&

框图

D

S

G

该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果

此产品。在任何授权不得销售该产品。

1.0版2005年9月8日

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AF60N03

N沟道增强型功率MOSFET

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

=10V

漏电流脉冲

（注1 ）

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

T

C

=25C

T

C

=100C

T

C

=25C

等级

30

±20

45

32

120

44

0.352

-55至175

-55至175

单位

V

V

A

A

W

W / ℃，

C

C

热数据

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻结案件

热阻Junction-环境

马克斯。

马克斯。

最大

3.4

110

单位

摄氏度/ W

摄氏度/ W

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

静态漏源

导通电阻

（注2 ）

栅极阈值电压

正向跨导

（注2 ）

漏极 - 源极漏电流

(T

J

=25C)

漏极 - 源极漏电流

(T

J

=175C)

门源漏

总栅极电荷

（注2 ）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

（注2 ）

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

参考25℃ ，

I

D

=1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=20A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=15A

V

DS

= V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=10A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=20A

V

DS

=20V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=20A

R

G

=3.3, V

GS

=10V

R

D

=0.75

V

GS

=0V

V

DS

=25V,

f=1.0MHz

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

范围

典型值。

-

0.026

-

-

-

25

-

-

-

11.6

3.9

7

8.8

57.5

18.5

6.4

1135

200

135

马克斯。

-

-

12

25

3

-

1

uA

250

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

nA

nC

单位

V

V / OC

m

V

S

nS

pF

源极 - 漏极二极管

符号

参数

V

SD

正向电压上

（注2 ）

t

rr

反向恢复时间

Q

rr

反向恢复电荷

注1 ：

脉冲宽度有限的安全工作区。

注2 ：

脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％。

测试条件

I

S

= 45A ，V

GS

=0V

I

S

= 20A ，V

GS

=0V,

dl/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

23.3

16

马克斯。

1.3

-

-

单位

V

ns

nC

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AF60N03

N沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

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AF60N03

N沟道增强型功率MOSFET

典型性能特性

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

图9.最高安全工作区

Fig10 。有效的瞬态热阻抗

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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AF60N03

N沟道增强型功率MOSFET

标识信息

TO-252

（顶视图）

标志

产品型号

60N03

YYWWX

YY ：年

WW ： N个星期

X

：内部代码（可选）

包装信息

封装类型： TO- 252

D

D1

E2

E3

B1

e

A2

e

R: 0.127~0.381

F1

A3

(0.1mm)

1.所有尺寸以毫米为单位。

2.尺寸不包括模具突起。

符号

A2

A3

B1

D

D1

F

F1

E1

E2

E3

e

C

单位：毫米

分钟。

喃。

马克斯。

1.80

2.30

2.80

0.40

0.50

0.60

0.40

0.70

1.00

6.00

6.50

7.00

4.80

5.35

5.90

2.20

2.63

3.05

0.50

0.85

1.20

5.10

5.70

6.30

0.50

1.10

1.70

3.50

4.00

4.50

-

2.30

-

0.35

0.50

0.65

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C

F

E1

1.0版

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：曾先生/刘小姐

地址：深圳福田区中航路华乐大厦625室

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