AT28BV16
特点
2.7至3.6V电源供电
完全的读写操作
低功耗
8毫安工作电流
50
A
CMOS待机电流
读取时间 - 250纳秒
字节写 - 3毫秒
直接微处理器控制
数据轮询
在TSOP读/ BUSY开漏输出
高可靠性的CMOS技术
耐力： 100,000次
数据保存： 10年
低电压CMOS兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
电池电压
CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28BV16是一款低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28BV16是一个16K的MEM
8位ORY组织为2048字。该器件与爱特梅尔的制造
可靠的非易失性CMOS技术。
该AT28BV16就像是一个静态RAM为不读或写访问周期
需要的外部元件。在字节写，地址和数据锁存
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
TSOP
顶视图
AT28BV16
PDIP ， SOIC
顶视图
PLCC
顶视图
0308A
2-119
描述
（续）
在内部，释放微处理器的地址和数据
总线用于其它操作。以下写的开始
周期内，设备将进入忙碌状态，并自动
清除并使用内部控制写入锁存的数据
定时器。在写入周期结束时可由下式确定
我DATA轮询/ O
7.
一旦写周期结束时有
被检测到的，用于读出或新接入的写入能
开始。
该CMOS技术提供了250 ns的快速存取时间
在低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于50
A.
Atmel的28BV16具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用错误cor-
内部rection延长耐力和提供改善
已探明的数据保持特性。一个额外的32个字节
E
2
PROM的可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
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AT28BV16
AT28BV16
设备操作
阅读：
该AT28BV16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28BV16相似
编写成静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） initi-
阿泰一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该持续时间
吨的化
WC
，一个读操作将有效是轮询
操作。
数据查询：
该AT28BV16提供数据
轮询信号完成一个写周期。中
一个写周期，数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
（另一
输出是不确定的） 。当写周期是装订
ished ，真正的数据出现在所有输出。
READY / BUSY （只有TSOP ） ：
READY / BUSY是一个开放的
漏极开路输出;它在内部写周期拉低
并发布在写周期完成的。
写保护
无意中写入设备
受到保护，防止在以下几个方面。 （一）的Vcc
有义，如果VCC低于2.0V （典型值）的写入功能
抑制。 （二）对延迟的Vcc电源一旦VCC达到
2.0V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写操作。 （三）收件Inhibit-持有任何
的OE低，高CE或WE抑制高字节写赛扬 - 1
克莱斯。
设备标识：
A N EX吨R A 32字节
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9 12
±
0.5V和AD-使用
礼服地点7E0H到7FFH的额外字节数可能
作为经常以相同的方式写入或读出，从
存储器阵列。
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