APT6045BVFR
APT6045SVFR
APT6045BVFRG APT6045SVFRG
600V
15A
0.45
Ω
*
G表示符合RoHS ，无铅终端完成。
功率MOS V FREDFET
功率MOS V是新一代高压N沟道enhance-
换货模式功率MOSFET 。这项新技术最大限度地减少了EF- JFET
FECT ，提高封装密度并降低了导通电阻。功率MOS
V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
BVFR
TO
-2
47
D
3
PAK
SVFR
更快的开关
低漏
3
额定雪崩能量
D
快速恢复体二极管
G
S
TO- 247或表面贴装 PAK封装
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT6045B_SVFR(G)
单位
伏
安培
600
15
60
±30
±40
250
2.0
-55到150
300
15
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
960
静态电气特性
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA)
漏源导通电阻
2
民
典型值
最大
单位
伏
600
0.45
250
1000
±100
2
4
(V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A)
欧
μA
nA
伏
050-7204修订版A 1-2010
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安）
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT6045B_SVFR(G)
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 15A @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 300V
I
D
= 15A @ 25°C
R
G
= 1.6Ω
民
典型值
最大
单位
2600
305
125
115
15
52
10
9
38
6
3120
425
180
170
25
75
20
18
50
12
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
dv
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
(I
S
= -15A, /
dt
= 100A / μs）内
反向恢复电荷
(I
S
= -15A, /
dt
= 100A / μs）内
峰值恢复电流
(I
S
= -15A,
di
/
dt
= 100A / μs）内
di
di
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
V / ns的
ns
μC
安培
15
60
1.3
15
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -15A)
5
V
SD
/
dt
峰值二极管恢复
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
250
500
1.9
6
15
26
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.50
40
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结
温度
2脉冲测试：脉冲宽度< 380
μs,
占空比< 2 ％
3见MIL- STD- 750方法3471
4起始物为
j
= + 25 ° C，L = 8.50mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
L
= 15A
5
dv
/
dt
再FL ECT数字测试电路，而不是限制
设备本身。
IS
≤
-
ID
14A
di
/
dt
≤
700A/μs
VR
≤
600V
TJ
≤
150
°
C
Microsemi的保留权利更改，恕不另行通知，此处包含的说明和信息。
0.5
D=0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.01
单脉冲
注意：
0.1
0.05
050-7270修订版A 1-2010
PDM
t1
t2
0.001
10
-5
占空比D =
1
/
t2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
t
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
10
-3
APT6045B_SVFR(G)
100
I
D
，漏极电流（安培）
50
操作点这里
限于由R
（上）
DS
10,000
10μS
100μS
C，电容（pF ）
5,000
C
国际空间站
10
5
1mS
1,000
C
OSS
500
C
RSS
10mS
1
0.5
T
C
=+25°C
T
J
=+150°C
单脉冲
100mS
DC
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
50
50
0.1
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = 7.5A
D
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
V
DS
=120V
V
DS
=300V
16
10
5
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
12
V
DS
=480V
8
1
.5
4
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
.1
TO- 247 （B ）封装外形
E3 100 ％锡镀
（散热器）
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 （ 0.242 ） BSC
D
3
PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05(.632)
13.41 (.528)
13.51(.532)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
漏
1.04 (.041)
1.15(.045)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99(.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 （ 0.022 ） { 3 }的PLC
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 （ 0.215 ） BSC
{ 2的PLC。 }
1-2010
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
（铅基）
散热器（珍藏）
门
漏
并导致
镀
来源
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-7204修订版A
来源
漏
尺寸以毫米（英寸）
门
单位为毫米（英寸）
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2881677436 复制
