特点
快速读取访问时间 - 90纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 64 mA最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚PDIP
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 50微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
8-Megabit
（ 1M ×8 ） OTP
EPROM
AT27C080
1.描述
该AT27C080芯片是一款低功耗，高性能的8,388,608位一次性亲
可编程只读组织为1M ×8位的存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C080需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于90纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速
编程。功耗通常10毫安在主动模式和小于
10 μA，在待机模式下。
该AT27C080可在封装，包括一个选择;一次性可编程
BLE （ OTP ）塑料PLCC ， PDIP和TSOP 。所有器件具有两线控制（ CE，
OE ） ，使设计人员能够灵活地防止总线争用。
高密度1兆字节的存储容量， AT27C080允许固件进行
可靠地存储，也可以由系统没有大容量存储的延迟访问
媒体。
Atmel公司的AT27C080具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产
化利用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。编程时间通常只
50微秒/字节。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0360L–EPROM–12/07
AT27C080
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF的高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
一体化紫外线擦除剂量............................. 7258瓦秒/厘米
2
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性
损坏设备。这是一个压力等级
该装置的唯一的和功能性操作
这些或超出其它任何条件
在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
3
0360L–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE / V
PP
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
IL
V
PP
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A19 = V
IL
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C080-90
工业运行温度（外壳）
V
CC
电源
-40° C - 85° C
5V
±
10%
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
V
OUT
= 0V至V
CC
（融为一体，印第安纳州）
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1.0
±5.0
100
1.0
40
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或OE / V前申请
PP
，并同时或OE / V后取出
PP
.
4
AT27C080
0360L–EPROM–12/07
AT27C080
9. AC特性读操作
AT27C080-90
符号
t
ACC(4)
t
CE(3)
t
OE(3)(4)
t
DF(2)(5)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE / V
PP
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
90
90
20
30
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准先发生
从地址， CE或OE / V输出保持
PP
，以先发生
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
2. t
DF
为指定的表单OE / V
PP
或CE ，以先到为准。输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
3. OE / V
PP
可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE 。
4. OE / V
PP
可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
5.此参数仅取样，而不是100％测试。
5
0360L–EPROM–12/07
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