APT5026HVR
500V 18.5A 0.260
功率MOS V
TO-258
功率MOS V
是新一代高电压N沟道增强
模式的功率MOSFET 。这种新技术的最小的JFET效应，
增加填充密度，并降低了导通电阻。功率MOS V
还实现了门，通过优化布局更快的开关速度。
更快的开关
低漏
100 ％雪崩测试
热门TO- 258封装
G
D
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT5026HVR
单位
伏
安培
500
18.5
74
±30
±40
200
1.6
-55到150
300
18.5
30
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
1210
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特性/测试条件
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
500
18.5
0.260
25
250
±100
2
4
(V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D [续]
)
欧
A
nA
伏
050-5820修订版B
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V)
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安）
APT网站 - http://www.advancedpower.com
德，俄勒冈州97702-1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
美国
405 S.W.哥伦比亚街
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
欧洲
大道J.F.肯尼迪蝙蝠B4公园Cadéra北
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT5026HVR
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
R
G
= 1.6
民
典型值
最大
单位
3600
470
180
140
22
65
11
10
50
7
4320
660
270
210
35
95
22
20
75
14
ns
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller " ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特性/测试条件
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
二极管的正向电压
1
2
民
典型值
最大
单位
安培
伏
ns
C
18.5
74
1.3
415
6.6
（体二极管）
(V
GS
= 0V时，我
S
= -I
D [续]
)
反向恢复时间（I
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
反向恢复电荷（我
S
= -I
D [续]
， DL
S
/ DT = 100A / μs）内
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
特征
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.62
40
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 7.07mH ， R = 25Ω ，峰值I = 18.5A
j
G
L
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380
S,
占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.7
0.5
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
0.02
注意：
PDM
t1
t2
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
占空比D = T1 /吨
0.01
0.005
0.01
单脉冲
050-5820修订版B
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
-4
APT5026HVR
50
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 7V ， 10V 15V &
6V
I
D
，漏极电流（安培）
50
40
40
VGS=15V
VGS = 7V & 10V
5.5V
6V
30
5.5V
30
20
5V
10
4.5V
4V
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
20
5V
10
4.5V
4V
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
50
I
D
，漏极电流（安培）
TJ = -55°C
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.8
V
GS
40
TJ = + 125°C
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.6
30
1.4
VGS=10V
20
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
1.2
VGS=20V
1.0
10
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
20
I
D
，漏极电流（安培）
0.8
0
20
40
60
80
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
GS
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
16
12
8
4
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
= 10V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-50
2.0
1.5
1.0
0.5
0.7
050-5820修订版B
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
APT5026HVR
80
50
I
D
，漏极电流（安培）
10S
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
10,000
5,000
C，电容（pF ）
100S
西塞
10
1mS
5
10mS
1
.5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
DC
1,000
500
科斯
CRSS
.1
1
5 10
50 100
500
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
I = I [续]
D
D
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
I
DR
，反向漏电流（安培）
100
50
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
100
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
20
VDS=100V
VDS=250V
12
VDS=400V
8
16
10
5
4
50
100
150
200
250
300
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压
1
TO- 258封装外形
1.14 (.045)
0.88 (.035)
17.65 (.695)
17.39 (.685)
8.89 (.350)
8.63 (.340)
4.19 (.165)
3.94 (.155)
21.21 (.835)
20.70 (.815)
13.84 (.545)
13.58 (.535)
17.96 (.707)
17.70 (.697)
漏
19.05 (0.750)
12.70 (0.500)
来源
门
3.56 （ 0.140 ） BSC
6.86 (.270)
6.09 (.240)
1.65 （ 0.065 ）直径。典型值。
1.39 （ 0.055 ） 3信息
5.08 （ 0.200 ） BSC
050-5820修订版B
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
