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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第395页 > AT-42035-TR1
高达6 GHz的中等功率
硅双极晶体管
技术参数
AT-42035
特点
高输出功率：
21.0 dBm的典型P
1分贝
在2.0 GHz的
20.5 dBm的典型P
1分贝
在4.0 GHz的
高增益1分贝
压缩：
14.0分贝通常g
1分贝
在2.0 GHz的
9.5分贝通常g
1分贝
在4.0 GHz的
低噪声系数：
1.9分贝典型的NF
O
在2.0 GHz的
高增益带宽
产品：
8.0 GHz的典型F
T
性价比高陶瓷
微带套餐
不同的功能。 20个发射器
手指互相交叉的几何
产生了一个中等大小的晶体管
用阻抗，很容易
匹配低噪声和中
电源应用。该装置是
设计用于低噪声使用，
宽带放大器，混频器和
振荡器应用在VHF ，
UHF和微波频率。
附近的最佳噪声匹配
50
高达1 GHz ，使得这
设备很容易作为一个低噪声用
放大器。
对AT- 42035双极型晶体管是
使用安捷伦10GHz的F制造
T
自对准晶体管（ SAT ）
流程。模具是氮化passi-
氧基团的表面保护。
优良的设备均匀，
性能和可靠性是
通过使用离子产生
注入，自对准
技术，和黄金金属化
在此器件的制造。
35微-X包
描述
安捷伦的AT- 42035是一个普遍的
目的NPN双极晶体管
它可提供出色的高
高频性能。该
AT- 42035安装在一个成本
有效的表面贴装100万
微-X封装。在4微米
发射极 - 发射极间的间距使
在许多使用这种晶体管
2
AT- 42035绝对最大额定值
[1]
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
1.5
20
12
80
600
150
-65到150
热阻
[2,5]
:
θ
jc
= 175 ° C / W
注意事项：
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
例
= 25°C.
3.减免5.7毫瓦/°C，对于T
C
> 95 ℃。
4.存储超过+ 150 ° C可以玷污这个包的引线使其难以
焊接到电路。
5.此技术产生一个小的光斑尺寸更高，尽管更
准确测定
θ
jc
比其他方法。见测量
MENTS节“热阻”的详细信息。
电气规格，T
A
= 25°C
符号
|S
21E
|
2
P
1分贝
G
1分贝
NF
O
G
A
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
参数和测试条件
[1]
插入功率增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
最佳的噪声系数： V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
增益带宽积： V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[1]
: V
CB
= 8 V ， F = 1兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
dB
GHz的
—
A
A
pF
30
分钟。
10.0
典型值。
11.0
5.0
21.0
20.5
14.0
9.5
2.0
3.0
13.5
10.0
8.0
150
270
0.2
2.0
马克斯。
0.28
注意事项：
一，在本试验中，发射极接地。
3
AT- 42035的典型表现，T
A
= 25°C
20
24
24
2.0 GHz的
P
1分贝
（ dBm的）
1.0 GHz的
P
1分贝
（ dBm的）
10 V
6V
4V
20
16
12
P
1dB
16
20
4.0 GHz的
P
1dB
2.0 GHz的
|S
21E
|
2
增益（dB ）
12
2.0 GHz的
16
8
12
16
G
1分贝
（ dB）的
G
1分贝
（ dB）的
4.0 GHz的
G
1dB
4
8
14
G
1dB
4.0 GHz的
12
10
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
10 V
6V
4V
0
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
50
4
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
50
50
图1.插入功率增益与
集电极电流和频率。
V
CE
= 8 V.
图2.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图3.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和电压。 F = 2.0千兆赫。
40
35
30
味精
24
21
G
A
18
增益（dB ）
20
15
10
5
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
频率（GHz ）
MAG
|S
21E
|
2
增益（dB ）
25
15
12
9
6
NF
O
4
3
2
1
1.0
2.0
0
3.0 4.0 5.0
3
0
0.5
频率（GHz ）
图4.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 35 mA的电流。
图5.噪声系数和相关
增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 10 mA的电流。
NF
O
（ dB）的
4
AT- 42035典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.72
-46
28.3
26.09
152
0.5
.59
-137
20.9
11.13
102
1.0
.56
-171
15.4
5.91
80
1.5
.56
169
12.1
4.03
67
2.0
.58
155
9.7
3.06
55
2.5
.59
147
8.0
2.50
48
3.0
.61
137
6.5
2.10
38
3.5
.63
128
5.2
1.82
27
4.0
.63
117
4.0
1.60
17
4.5
.63
106
3.1
1.43
7
5.0
.64
93
2.3
1.30
-3
5.5
.67
79
1.5
1.19
-13
6.0
.72
70
0.6
1.07
-23
dB
-37.0
-31.0
-28.2
-26.6
-24.2
-22.6
-20.8
-19.6
-18.0
-16.5
-15.4
-14.3
-13.4
S
12
MAG 。
.014
.028
.039
.047
.062
.074
.092
.105
.126
.149
.169
.193
.215
S
22
ANG 。
73
44
47
52
55
61
65
62
57
53
48
41
35
MAG 。
.92
.58
.51
.50
.48
.47
.46
.47
.49
.51
.52
.51
.46
ANG 。
-14
-27
-29
-33
-38
-42
-51
-63
-72
-80
-87
-94
-105
AT- 42035典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
S
21
频率。
S
11
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.50
-88
33.2
45.64
135
0.5
.52
-164
22.4
13.24
92
1.0
.53
174
16.6
6.75
76
1.5
.53
160
13.1
4.55
64
2.0
.55
148
10.8
3.45
53
2.5
.57
142
9.0
2.81
47
3.0
.59
134
7.5
2.37
37
3.5
.60
125
6.3
2.06
27
4.0
.60
116
5.2
1.81
17
4.5
.60
104
4.2
1.62
7
5.0
.61
92
3.4
1.47
-2
5.5
.64
79
2.6
1.35
-13
6.0
.69
70
1.7
1.21
-23
可在设备型号部分的模型此设备。
dB
-42.0
-32.8
-28.2
-25.6
-23.2
-21.6
-20.0
-18.4
-17.0
-16.0
-14.9
-14.1
-13.2
S
12
MAG 。
.008
.023
.039
.053
.069
.084
.101
.120
.141
.158
.179
.198
.219
S
22
ANG 。
68
57
63
66
65
67
64
61
57
50
45
37
30
MAG 。
.77
.45
.42
.41
.41
.39
.38
.39
.41
.43
.44
.43
.38
ANG 。
-22
-25
-26
-30
-36
-40
-49
-61
-71
-78
-84
-91
-102
AT- 42035的噪声参数：
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
GHz的
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.0
1.1
1.3
2.0
3.0
Γ
选择
MAG
.04
.04
.07
.20
.51
昂
10
66
150
-178
-110
R
N
/50
0.13
0.12
0.12
0.12
0.36
5
35微-X封装尺寸
.085
2.15
4
辐射源
0.083 DIA 。
2.11
016
1
3
.020
.508
2
辐射源
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.057
±
.010
1.45
±
.25
.100
2.54
.022
.56
.455
±
.030
11.54
±
.75
.006
±
.002
.15
±
.05
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AM29F400AB-150FI
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    -
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