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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第151页 > ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-Mx00
月长石
TM
1 W功率型LED光源
数据表
描述
月光石
TM
1W大功率LED光源是一种高
高性能的节能器件,可处理
高热量和高驱动电流。裸露焊盘
设计有从包装到优秀的热传导
主板。
冷白光功率型LED的不同颜色可选
温度范围从4000K到10000K和温暖
白光LED功率范围从2600K到4000K 。
由于采用了扁平封装设计适用于广泛
各种应用,尤其是高度一
约束。
该软件包是用回流焊兼容
流程。这将使更多的自由和灵活性
光源设计。
特点
可提供红,黄,绿,蓝,冷白及
暖白色
高效节能
对于优秀的热传导裸露焊盘
适用于回流焊工艺
高电流操作
使用寿命长
广视角
硅胶封装
ESD HBM等级3B级(阈值> 8千伏)
MSL 2A对于InGaN产品
MSL 4的AlInGaP产品
特定网络阳离子
的AllnGaP技术,红色和黄色
2.1V (典型值),在350mA的的AllnGaP
的InGaN技术,绿,蓝,冷白及
暖白
3.2V (典型值),在350mA的氮化铟镓
应用
便携式(闪光灯,自行车前灯)
阅读灯
建筑照明
庭院照明
装饰照明
包装尺寸
10.00
1
阳极
2阴极
3
散热器
3.30
8.50
合金弹头
3
5.26
10.60
8.50
8.00
1.27
LED
+
齐纳
2.00
1.30
1
5.08
2
0.81
5.25
注意事项:
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.公差为± 0.1毫米除非另有规定。
3.金属散热片连接到阳极电非隔离方案。
设备选型指南(T
j
= 25°C)
光通量,
V[1,2]
( LM )
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
ASMT-MW00
ASMT-MY00
ASMT-MWB1
ASMT-MYB1
AMBER
绿色
冷白
暖白
冷白扩散
暖白扩散
颜色
分钟。
25.5
33.0
25.5
43.0
11.5
43.0
43.0
43.0
43.0
典型值。
35.0
40.0
35.0
60.0
15.0
60.0
50.0
55.0
46.0
马克斯。
43.0
56.0
43.0
73.0
25.5
73.0
73.0
73.0
73.0
测试电流
(MA )
350
350
350
350
350
350
350
350
350
骰子
技术
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
笔记
1.
V
是作为测量用积分球,在25毫秒的单脉冲条件下的总光通量输出。
2.流量误差为± 10 % 。
2
部分编号系统
ASMT -M X XX - X X
1
x
2
x
3
x
4
包装选项
色选斌
最大流量斌选择
最小流量斌选择
骰子类型
N - 氮化铟镓
A - 的AllnGaP
有机硅类型
00 - 用于非二FF
B1 - 迪FF使用
颜色
R =红
A - 琥珀
摹 - 格林
B - 蓝
W - 冷白
- 暖白
注意:
1.请参阅第8页的选择的详细信息。
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
参数
直流正向电流
[1]
峰值脉冲电流
[2]
功耗的AllnGaP
功耗对于InGaN
LED结温的AllnGaP
LED结温的InGaN
工作环境温度范围
存储温度范围
反向Volttage
[3]
ASMT - Mx00 / ASMT- MxB1
350
1000
805
1225
125
110
-40至+100
-40到+120
不推荐
单位
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
注意事项:
1.直流正向电流 - 线性降额根据图5的AlInGaP &图11的InGaN 。
2.脉冲条件占空比= 10 % ,频率= 1kHz的。
3.不建议反向偏压操作。
3
在350 mA时的光学特性( TJ = 25 ° C)
峰波长,
λ
PEAK
(纳米)
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
占主导地位的波
长度, λ
D [1]
(纳米)
典型值
625
625
590
525
460
可视角度大,
2θ½
[2]
(°)
典型值
120
120
120
120
120
夜光ê FFI效率
(流明/瓦特)
典型值
48
54
48
54
13
颜色
AMBER
绿色
典型值
635
635
598
519
454
相关色温
温度, CCT (开尔文)
产品型号
ASMT-MW00
ASMT-MY00
ASMT-MWB1
ASMT-MYB1
可视角度大,
2θ & frac12 ; [2](度)
典型值
110
110
110
110
夜光ê FFI效率
(流明/瓦特)
典型值
54
45
49
41
颜色
冷白
暖白
冷白扩散
暖白扩散
分钟。
4000
2600
4000
2600
马克斯。
10000
4000
10000
4000
在350 mA电气特性(T
J
= 25°C)
正向电压V
F
(伏特)我
F
= 350毫安
骰子类型
的AllnGaP
氮化铟镓
热阻
Rθ J- MS ( ° C / W)
[1]
典型值。
12
10
分钟。
1.7
2.8
典型值。
2.1
3.2
马克斯。
2.3
3.5
注意事项:
1. Rθ J- MS为LED结到金属散热片的热阻。
4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
AMBER
正向电流 - 毫安
430
480
530
580
630
波长 - 纳米
680
730
780
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
相对强度
0
0.5
1
1.5
2
正向电压 - V
2.5
3
图1相对强度与波长为的AlInGaP
图2.正向电流与正向电压的AlInGaP
1.4
相对光通量( - ) - LM
v
1.2
相对强度
0
50
100
150 200 250 300 350 400
MONO脉冲电流 - 毫安
450 500
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-90
-70
-50
-30
-10
10
30
离轴角(°)
50
70
90
图3.相对光通量与单脉冲电流对的AlInGaP
图4.辐射模式的AlInGaP
400
I
F
- 最大正向电流 - 毫安
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
T
A
- 环境温度 - C
80
90
R
JA
= 60 ° C / W
R
JA
= 50℃ / W的
R
JA
= 40 ° C / W
2
相对LOP (归一化,在25℃ )
AMBER
1.5
1
0.5
0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80
结温 - °C
95 110 125
图5.最大正向电流与环境温度的AlInGaP
降额使用基于T
J
MAX = 125°C , Rθ
JA
= 40℃ / W / 50℃/ W和60℃ / W的
图6相对LOP (归一化,在25℃ )与结温
的AlInGaP
5
ASMT-Mx00
月长石
TM
1 W功率型LED光源
数据表
描述
月光石
TM
1W大功率LED光源是一种高
高性能的节能器件,可处理
高热量和高驱动电流。裸露焊盘
设计有从包装到优秀的热传导
主板。
由于采用了扁平封装设计适用于广泛
各种应用,尤其是高度一
约束。
该软件包是用回流焊兼容
流程。这将使更多的自由和灵活性
光源设计。
特点
提供红色,黄色,绿色和蓝色。
高效节能
对于优秀的热传导裸露焊盘
适用于回流焊工艺
高电流操作
使用寿命长
广视角
硅胶封装
ESD HBM等级3B级(阈值> 8千伏)
MSL 2A对于InGaN产品
MSL 4的AlInGaP产品
应用
便携式(闪光灯,自行车前灯)
阅读灯
建筑照明
庭院照明
装饰照明
特定网络阳离子
的AllnGaP技术,红色和黄色
2.1V (典型值),在350mA的的AllnGaP
的InGaN技术,绿色和蓝色
3.2V (典型值),在350mA的氮化铟镓
包装尺寸
10.00
1
阳极
2阴极
3
散热器
3.30
8.50
合金弹头
3
5.26
8.50
8.00
1.27
10.60
LED
+
齐纳
2.00
1.30
1
5.08
2
0.81
5.25
注意事项:
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.公差为± 0.1毫米除非另有规定。
3.金属散热片连接到阳极电非隔离方案。
设备选型指南(T
j
= 25°C)
光通量,
f
V[1,2]
( LM )
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
AMBER
绿色
颜色
分钟。
25.5
33.0
25.5
43.0
11.5
典型值。
35.0
40.0
35.0
60.0
15.0
马克斯。
43.0
56.0
43.0
73.0
25.5
测试电流
(MA )
350
350
350
350
350
骰子
技术
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
氮化铟镓
氮化铟镓
笔记
1.
f
V
是作为测量用积分球,在25毫秒的单脉冲条件下的总光通量输出。
2.流量误差为± 10 % 。
2
部分编号系统
ASMT -M X XX - X X
1
x
2
x
3
x
4
包装选项
色选斌
最大流量斌选择
最小流量斌选择
骰子类型
N - 氮化铟镓
A - 的AllnGaP
有机硅类型
00 - 非二用
B1 - 迪使用
颜色
R =红
A - 琥珀
摹 - 格林
B - 蓝
注意:
1.请参阅第8页的选择的详细信息。
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
参数
直流正向电流
[1]
峰值脉冲电流
[2]
功耗的AllnGaP
功耗对于InGaN
LED结温的AllnGaP
LED结温的InGaN
工作环境温度范围
存储温度范围
反向Volttage
[3]
ASMT-Mx00/
350
1000
805
1225
125
110
-40至+100
-40到+120
不推荐
单位
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
注意事项:
1.直流正向电流 - 线性降额根据图5的AlInGaP &图11的InGaN 。
2.脉冲条件占空比= 10 % ,频率= 1kHz的。
3.不建议反向偏压操作。
3
在350 mA时的光学特性( TJ = 25 ° C)
峰波长,
λ
PEAK
(纳米)
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
占主导地位的波
长度, λ
D [1]
(纳米)
典型值
625
625
590
525
460
可视角度大,
2θ½
[2]
(°)
典型值
120
120
120
120
120
夜光ê FFI效率
(流明/瓦特)
典型值
48
54
48
54
13
颜色
AMBER
绿色
典型值
635
635
598
519
454
在350 mA电气特性(T
J
= 25°C)
正向电压V
F
(伏特)我
F
= 350毫安
骰子类型
的AllnGaP
氮化铟镓
热阻
Rθ J- MS ( ° C / W)
[1]
典型值。
12
10
分钟。
1.7
2.8
典型值。
2.1
3.2
马克斯。
2.3
3.5
注意事项:
1. Rθ J- MS为LED结到金属散热片的热阻。
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
AMBER
正向电流 - 毫安
430
480
530
580
630
波长 - 纳米
680
730
780
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
相对强度
0
0.5
1
1.5
2
正向电压 - V
2.5
3
图1相对强度与波长为的AlInGaP
1.4
相对光通量(V ) - LM
1.2
图2.正向电流与正向电压的AlInGaP
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-90
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
50
100
150 200 250 300 350 400
MONO脉冲电流 - 毫安
450 500
相对强度
1.0
-70
-50
-30
-10
10
30
离轴角(°)
50
70
90
图3.相对光通量与单脉冲电流对的AlInGaP
4
图4.辐射模式的AlInGaP
400
I
F
- 最大正向电流 - 毫安
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
50
60
T
A
- 环境温度 - C
70
80
90
R
JA
= 60 ° C / W
R
JA
= 50℃ / W的
R
JA
= 40 ° C / W
2
相对LOP (归一化,在25℃ )
1.5
1
0.5
0
-40 -25 -10
AMBER
5
20 35 50 65 80
结温 - °C
95 110 125
图5.最大正向电流与环境温度的AlInGaP
降额使用基于T
J
MAX = 125°C , Rθ
JA
= 40℃ / W / 50℃/ W和60℃ / W的
图6相对LOP (归一化,在25℃ )与结温
的AlInGaP
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
绿色
正向电流 - 毫安
相对强度
430
480
530
580
630
波长 - 纳米
680
730
780
0
0.5
1
1.5
2
2.5
正向电压 - V
3
3.5
4
图7相对强度与波长为的InGaN
图8.正向电流与正向电压的InGaN
1.4
相对光通量( φV ) - LM
1.2
相对强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
MONO脉冲电流 - 毫安
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-90
绿色
-70
-50
-30
-10 10
30
离轴角(°)
50
70
90
图9.相对光通量VS单脉冲电流对于InGaN
图10.辐射模式的InGaN
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ASMT-MR00-AHJ00
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ASMT-MR00-AHJ00
Broadcom Limited
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52283
-
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ASMT-MR00-AHJ00
Broadcom Limited
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
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联系人:陈泽强
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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联系人:刘先生
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Avago Technologies
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电话:171-4729-0036(微信同号)
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