AMMP-6421
13-16 GHz的1W功率放大器采用SMT封装
数据表
描述
该AMMP - 6421 MMIC是一个1W的功率放大器
表面贴装封装设计用于和Transmit使用
即在13GHz的之间的频率运行TER值
在16GHz 。 13GHz的和为16 GHz之间，它提供了29 dBm的
的小信号增益输出功率（ P- 1分贝）和26分贝。
该功率放大器的线性优化操作
输出三阶截取点为+ 36dBm的（ OIP3 ） 。
该AMMC - 6421与Avago的独特的制造
增强型0.25m的GaAs PHEMT工艺
这消除了对负DC偏压。
特点
的5x5mm表面贴装封装
一瓦饱和输出功率
50
匹配输入和输出
主要规格（VD = 5V ， Idsq = 0.6A ）
频率范围13 16 GHz的
26分贝的小信号增益
输出功率@ P-1为29dBm的（典型值）。
输入/输出回波损耗-6dB / -8dB的
包图
Vg
1
Vd1
2
Vd2
3
应用
4
RF OUT
在RF
8
微波无线电系统
卫星VSAT ，上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入（包括802.16和
802.20 WIMAX）
WLL和MMDS回路
功能框图
7
Vg
6
Vd1
5
1
2
3
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
Vg
Vd1
Vd2
RF_OUT
Vd2
Vd1
Vg
RF_IN
Vd2
8
4
7
6
5
符合RoHS豁免
请参考有害物质表第10页。
注： MSL等级= 2A级
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机模型（ A类）= 50 V
ESD人体模型（ 0级） = 200 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
电气规格
1.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式TA = 25℃时测得的数据。
2.预组装成组件的性能晶片验证的100 ％ 。
3.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能的一个或多个验证
频率。
4，规格从测量一个50 Ω的测试环境中得来。在放大器性能的各方面可
通过应用程序的附加共轭，线性，低噪声过一个更窄的带宽得到改善（ Гopt ）
匹配。
在P1dB为14.5与保证测量精度+/- 1分贝的增益+/- 1.2分贝为5.增益测试13和16 GHz的
P1dB为13 GHz和+/- 1.5分贝的P1dB为14.5 GHz和16 GHz的。
6， NF是晶圆上测量。额外的连接线（ -0.2nH ）的输入可以改善NF在某些频率。
表1. RF电气特性
TA = 25℃ ， VD = 5.0V ， IDQ = 0.6毫安， V G = + 0.5V ，莫宁= 50 Ω
13GHz
参数
小信号增益，增益
在1dBGain压缩的P1dB输出功率
在3dBGain压缩， P3dB输出功率
输出三阶截点， OIP3 ;
点ΔF = 2 MHz的; POUT = 10 dBm时， SCL
闵反向隔离，隔离
输入回波损耗， RLIN
输出回波损耗， RLout
14.5GHz
典型值
26
29
30
36
45
6
8
16GHz
最大最小
28
24
25
民
24
27
最大最小
30
22
26
典型值
26
29
30
36
45
6
8
典型值
26
29
30
36
45
6
8
最大
30
单位
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
评论
表2.推荐工作范围
1.环境工作温度TA = 25 ℃，除非另有说明。
2.通道到背面热阻（ Tchannel （TC ） = 34 ℃）使用红外显微镜测量。热
阻力位在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
描述
漏极供电电流，身份证
门电源电压， Vg的
分钟。
典型
600
0.5
马克斯。
单位
mA
V
评论
VD = 5V ， Vg的一套典型的ID（ Q）的典型
ID（ Q） = 600毫安
2
表3.热性能
参数
热电阻（通道背面） ，
θJC
通道温度，总胆固醇
注意：
1.假设的SnPb焊接至评估射频板在85℃的基板温度。最坏情况下的信道温度下静止
操作。在饱和输出功率，直流功耗上升至5 W和1.43 W产品类型RF功率传送到负载。功耗为3.57 W和
的温度上升的信道是33.6 ℃。在这种条件下，在基板温度必须保持在低于94.3 ℃，以保持最大
工作信道温度低于155 ℃。
测试条件
环境工作温度TA = 25°C
价值
θJC
= 17 ° C / W
TCH = 136℃
绝对最低和最高等级
表4.最小和最大额定值
描述
漏极供电电压， Vd的
门电源电压， Vg的
功耗PD
[2,3]
CW RF输入功率，引脚
[2]
通道温度，总胆固醇，最大
[4,5]
贮存箱温度， TSTG
大会的最大温度，最高温度
-65
分钟。
马克斯。
6
1
8
23
+150
+150
260
单位
V
V
W
DBM
°C
°C
°C
评论
CW
第二个最多30个
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
电源电压2.组合，漏电流，输入功率和输出功率不得超过PD 。
3.当在此条件下为85 ℃，平均无故障时间（ MTTF）的底板温度下进行操作是显著降低。
4.这些等级适用于每一个人FET
5.工作通道温度会直接影响设备的平均无故障时间。为了获得最大的寿命，所以建议的结温是
保持在尽可能低的水平。
3
AMMP - 6421典型性能
（ 3.5毫米连接器基于测试夹具获得的数据，这些数据是包括连接器损耗和电路板损耗。 ）
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5 V，I
D（ Q）
= 600毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
)
40
35
30
S21[dB]
25
20
15
10
5
0
8
10
12
14
16
频率[ GHz的]
18
20
-80
-20
8
10
12
14
16
频率[ GHz的]
18
20
-60
-40
S21[dB]
S12[dB]
-20
回波损耗（分贝）
S12 （分贝）
-5
0
0
S11[dB]
S22[dB]
-10
-15
图1.典型增益和反向隔离
图2.典型的回波损耗（输入和输出）
35
30
P-1 [ dBm的] ， PAE （％）
25
20
15
10
5
8
10
12
14
16
频率[ GHz的]
18
20
P-1
PAE
噪声（分贝）
10
8
6
4
2
0
8
10
12
14
16
频率[ GHz的]
18
20
图3.典型输出功率（ @ P- 1）和PAE和频率
图4.典型噪声系数
40
35
宝[ dBm的] ，而且， PAE [ ％ ]
30
25
20
15
10
5
0
-25
-20
-15
-10
-5
0
销[ dBm的]
5
10
15
的Pout （ dBm的）
PAE [％]
ID（总）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
IDS [马]
IM3级[ dBc的]
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
10
11
12
13
14 15 16 17
频率[ GHz的]
18
19
20
图5.典型输出功率， PAE ，总漏电流与输入
功率14GHz
4
图6.典型的IM3水平对频率在+ 20dBm的输出单载波
级别（ SCL ）
典型性能
（续）
（ 3.5毫米连接器基于测试夹具获得的数据，这些数据是包括连接器损耗和电路板损耗。 ）
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 5 V，I
D（ Q）
= 600毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
)
0
-10
-20
IM3 [ dBc的]
-30
-40
-50
-60
-70
-80
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
SCL [ dBm的]
IM3[dBc]
IDS [马]
900
850
800
IM3 [ dBc的]
IDS [马]
750
700
650
600
550
500
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
SCL [ dBm的]
IM3[dBc]
IDS [马]
900
850
800
750
700
650
600
550
500
IDS [马]
IDS [马]
图7.典型的IM3水平和IDS与在13GHz的单载波输出电平
图8.典型的IM3水平和IDS与在14GHz单载波输出电平
0
-10
-20
IM3 [ dBc的]
-30
-40
-50
-60
-70
-80
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
SCL [ dBm的]
IM3[dBc]
IDS [马]
900
850
800
IM3 [ dBc的]
IDS [马]
750
700
650
600
550
500
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
SCL [ dBm的]
IM3[dBc]
IDS [马]
900
850
800
750
700
650
600
550
500
图9.典型的IM3水平和IDS与在15GHz单载波输出电平
图10.典型的IM3水平，与IDS在为16 GHz单载波输出电平
5
QQ：2880707522 复制
