TPR175
NPN硅射频，微波功率
晶体管
描述：
该
ASI TPR175
是一种常见的基
晶体管专为脉冲系统
在频带1030至1090年兆赫。
包装样式
产品特点：
公共基础
内部匹配网络
P
G
= 8.0分贝在175 W / 1090 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12.5 A
55 V
3.5 V
388 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.45 ° C / W
1 =收藏家2 =基地3 =发射
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
vsrw
η
C
I
C
= 20毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 50 V
T
C
= 25
°
C
NONETEST
条件
最小典型最大
55
3.5
单位
V
V
---
I
C
= 20毫安
P
OUT
= 175 W
F = 1090 MHz的
10
8.0
9.0
00:1
40
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/1
TPR175
NPN硅射频，微波功率
晶体管
描述：
该
ASI TPR175
是一种常见的基
晶体管专为脉冲系统
在频带1030至1090年兆赫。
包装样式
产品特点：
公共基础
内部匹配网络
P
G
= 8.0分贝在175 W / 1090 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
12.5 A
55 V
3.5 V
388 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.45 ° C / W
1 =收藏家2 =基地3 =发射
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
vsrw
η
C
I
C
= 20毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 50 V
T
C
= 25
°
C
NONETEST
条件
最小典型最大
55
3.5
单位
V
V
---
I
C
= 20毫安
P
OUT
= 175 W
F = 1090 MHz的
10
8.0
9.0
00:1
40
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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