初步的技术数据
特点
2Ω最大导通电阻
0.5Ω最大导通电阻平坦度
200毫安continious电流
33 V电源电压范围
在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装
2Ω最大导通电阻，
±15 V/12 V/±5 V
iCMOS
双路SPDT开关
ADG1436
功能框图
ADG1436
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2A
D2
S2B
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
通信系统
继电器更换
开关所对于逻辑"1"输入
图1.TSSOP包
ADG1436
S1A
D1
S1B
S2A
D2
S2B
逻辑
IN1
IN2
EN
开关所一个“ 1 ”输入逻辑
图2.LFCSP包
概述
该ADG1436是包含两个单片CMOS器件
独立可选的单刀双掷开关。提供EN输入上
LFCSP封装用于启用或禁用该设备。当
禁用时，所有通道均关断。每个开关导通
当对同样在两个方向上，并具有一输入信号
范围延伸到供应。在断开状态下，信号
水平最高的供应被阻断。两个开关展览
先开后合式开关动作中使用的多路复用器
应用程序。
它的设计上的
iCMOS工艺
流程。
iCMOS工艺
（工业 -
CMOS ）是一种模块式制造工艺，将高
电压CMOS（互补金属氧化物半导体）
和双极性技术。它使一个广泛的发展
中能33 V工作电压高性能模拟集成电路的范围
在一个足迹，没有上一代的高压器件
已经能够实现。与采用传统的模拟IC
CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以承受高电源
REV 。中国
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
电压，同时还能提升性能大幅提升，
更低的功耗，并减小封装尺寸。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。
iCMOS工艺
结构确保超低
功率耗散，从而使部分理想地适合用于便携式
和电池供电的仪器。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
2Ω最大导通电阻随温度。
最小失真
3 V逻辑兼容数字输入： V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
超低功耗： <0.03 μW 。
16引脚TSSOP和16引脚的4 mm× 4毫米LFCSP
包。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2007 ADI公司保留所有权利。
ADG1436
目录
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 7
真值表开关.............................................. ............... 8
ESD注意事项................................................ .................................. 7
初步的技术数据
引脚配置和功能描述............................ 8
术语................................................. ...................................... 9
典型性能特征........................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 15
修订历史
中国修订版|第17页2
初步的技术数据
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
ADG1436
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
1.5
2
0.1
0.5
0.1
0.5
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±0.04
±1
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;图23
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V ;我
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
=
16.5
V
V
S
= ±10 V, V
s
= ± 10 V ;图23
V
S
= ±10 V, V
s
= ± 10 V ;;图23
V
S
= V
D
= ± 10 V ;图23
±2.5
±2.5
±2.5
±5
±5
±5
2.0
0.8
0.005
±0.5
5
120
150
85
105
105
125
130
150
V
IN
= V
INL
或V
INH
200
140
170
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图25
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
15
50
50
60
0.015
100
35
35
70
0.001
40
1
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图27
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图29
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图30
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图31
R
L
= 110Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图32
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V ，5 V或V
DD
1
150
300
0.001
1.0
中国修订版|第17页3
ADG1436
25°C
V
DD
/V
SS
初步的技术数据
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
±4.5/±16.5
V最小/最大
GND = 0V
1
通过设计保证，不受生产测试。
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
2.5
3
0.1
V
S
≤ +10 V，I
S
= -10毫安;图23
V
S
≤ +10 V，I
S
= -10毫安
4
0.5
0.1
0.5
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±0.04
±1
V
S
= + 3V / + 6 V / + 9 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 12 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;图24
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;图24
V
S
= V
D
= 1伏或10伏，图25
±2.5
±2.5
±2.5
±5
±5
±5
2.0
0.8
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
0.001
±0.5
5
120
150
85
105
105
125
130
150
V
IN
= V
INL
或V
INH
200
140
170
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
15
1
30
50
60
0.015
100
35
35
70
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;图27
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图29
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图30 ;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;图31
R
L
= 110Ω ， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图32
F = 1兆赫; V
S
= 6V
F = 1兆赫; V
S
= 6V
F = 1兆赫; V
S
= 6 V
中国修订版|第17页4
初步的技术数据
25°C
电源要求
I
DD
I
DD
V
DD
ADG1436
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V
最小/最大
0.001
1.0
150
300
5/16.5
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
GND = 0V ， VSS = 0V
1
通过设计保证，不受生产测试。
双电源
V
DD
= 5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
40°C
to
+85°C
40°C
to
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
测试条件/评论
3
4
0.1
V
S
= ± 3.3V ，我
S
=
10
毫安;见图十
V
DD
= +4.5 V, V
SS
=
4.5
V
V
S
= ± 3.3 V，I
S
=
10
mA
0.1
±0.01
±0.5
±0.01
±0.5
±0.04
±1
±2.5
±2.5
±5
±5
±5
±5
2.0
0.8
0.001
±0.5
3
150
190
85
105
105
125
130
150
V
S
=
3
V / 0 V / + 3 V ;我
S
=
10
mA
V
DD
= +5.5 V, V
SS
=
5.5
V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5 V ;见图十
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5 V ;见图十
V
S
= V
D
= ± 4.5V ;见图十
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
265
140
170
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
50
10
50
50
60
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;图25
R
L
= 300 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;图25
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;参见图25
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;见图十
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
x
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
x
中国修订版|第17页5
QQ：2881677436 复制
