CBSL150
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI CBSL150
是专为900
兆赫AB类蜂窝基站
放大器器。
包装风格.400 BAL FLG （ C）
产品特点：
国内
输入/输出匹配
P
G
= 9.0分贝典型。在150瓦/ 900兆赫
Omnigold
金属化系统
E
D
C
.1925
F
H
I
N
L
J
暗淡
A
最低
英寸/毫米
.080x45°
A
B
，完全R
（ 4X ） .060
M
G
最大额定值
I
C
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
25 A
28 V
60 V
3.5 V
300瓦@ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
0.6
O
C / W
O
O
O
.220 / 5.59
.210 / 5.33
.120 / 3.05
.380 / 9.65
.780 / 19.81
.435 / 11.05
1.090 / 27.69
1.335 / 33.91
.003 / 0.08
.060 / 1.52
.082 / 2.08
K
最大
英寸/毫米
.230 / 5.84
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.395 / 10.03
.850 / 21.59
.130 / 3.30
.390 / 9.91
.820 / 20.83
1.345 / 34.16
.007 / 0.18
.070 / 1.78
.100 / 2.54
.205 / 5.21
.407 / 10.34
.870 / 22.10
订货编号： ASI10586
O
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
IMD
η
C
ψ
T
C
= 25 C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 26 V
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 150 W
I
CQ
= 2× 150毫安
F = 960 MHz的
R
BE
= 200
最小典型最大
26
35
60
3.5
10
30
8.0
-28
35
45
120
单位
V
V
V
V
mA
---
dB
dBc的
%
驻波比= 5:1 ，在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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