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ASDL-4360
高功率和高速红外发射器( 885nm )
在PLCC - 2封装
数据表
描述
ASDL- 4360红外发射器被封装在
这是设计行业标准的PLCC - 2 SMT封装
对于应用程序,需要高辐射强度
和快速切换的广视角。该装置
优化的885nm的发射波长。
特点
885nm波长
工业标准尺寸: PLCC - 2 SMT封装
高速
高功率
低正向电压
高脉冲率
无铅并符合RoHS标准
磁带&卷轴自动化贴装
应用
高速机自动化系统
医疗应用
非接触式位置感测
光学传感
安全应用
订购信息
产品型号
ASDL-4360-C22
包装
磁带&卷轴
送货方式
2000pcs
包装外形
所有尺寸的单位均为毫米
磁带和卷轴尺寸
所有尺寸的单位均为毫米
2
在25 ° C绝对最大额定值
参数
最大正向电流
符号
I
FPK
分钟。
最大
500
单位
mA
参考
T
p
=500ns
T
w
= 100ns的
占空比= 20 %
连续正向电流
功耗
反向电压
工作温度
储存温度
LED结温
引线焊接温度
I
FDC
P
DISS
V
r
T
O
T
S
T
J
11
-40
-40
100
200
85
100
110
260 ,持续5秒
mA
mW
V
°C
°C
°C
°C
I
r
=100uA
在25 ° C电气特性
参数
正向电压
反向电压
热阻
二极管电容
C
O
符号
V
F
V
r
11
250
90
分钟。
典型值。
1.4
1.6
马克斯。
1.7
2.0
单位
V
V
V
° C / W
pF
VR = 0V , F = 1MHz的
条件
I
F
=20mA
I
F
=100mA
I
R
=10uA
在25℃光学特性
参数
辐射轴线上
强度
视角
峰值波长
光谱宽度
光上升时间
符号
I
E
1/2
λ
PK
Δλ
t
r
分钟。
1.0
5.1
典型值。
2.0
10.0
120
885
55
20
马克斯。
单位
毫瓦/ SR
nm
nm
ns
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
FPK
=500mA
占空比= 20 %
脉冲宽度为100ns =
I
FPK
=500mA
占空比= 20 %
脉冲宽度为100ns =
条件
I
F
= 20mA下
I
F
=100mA
光学下降时间
t
f
17
ns
3
典型电气/光学特性曲线(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.2
1
相对辐射强度
IF正向电流( A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
0.5
1
VF正向电压( V)
1.5
2
700
800
900
1000
峰值波长(nm)
图1.峰值波长VS相对辐射强度
12
10
8
6
4
2
0
图2.正向电流与正向电压
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
即 - 相对辐射强度
-0.8
辐射强度(毫瓦/ SR )
0
20
40
60
80
100
120
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电流(mA )
图3.正向电流与辐射强度
105
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IDC MAX - 每段的最大直流电流 - 毫安
图4.角位移VS相对辐射强度
0
20
40
60
T
A
- 环境温度 - C
o
80
100
图5.正向电流与环境温度的降低的基础上TJ
– 110
°C
在250和热敏电阻
° C / W
4
建议再溢流廓
255
230
217
200
180
150
120
80
25
0
P1
UP
50
100
150
200
P3
SOLDER
回流
P4
冷却
250
300
T- TIME
(秒)
R1
MAX 260℃
R3
R4
牛逼 - 温度(℃ )
R2
60秒到90秒
上述217℃
R5
P2
焊膏干
加工区
焊膏干
回流焊
冷却
时间保持高于液相点, 217℃
峰值温度
在5℃以内的实际峰值温度的时间
时间25 ° C到峰值温度
符号
P1 , R1
P2 , R2
P3 , R3
P3 , R4
P4 , R5
DT
25 ℃150 ℃的
150 200°C
200℃ 260℃
260 ℃至200 ℃的
200℃至25℃的
> 217C
260°C
-
25 ℃ 260℃
最大
DT / DTIME
或持续时间
3°C/s
100秒到180秒
3°C/s
-6°C/s
-6°C/s
60年代至90年代
-
20多岁到40多岁
8mins
在回流温度曲线是标称温度曲线的对流回流焊直线表示
流程。的温度分布被分成四个处理区域,每个区域具有不同的
DT / DTIME
温度变化
利率或持续时间。该
DT / DTIME
率或持续时间是在上表中详细说明。的温度在测量
该组件与印刷电路板连接。
在处理区P1中,在PC板和元件引脚被加热到150℃的温度下,以激活在磁通
焊膏。温度斜坡上升率中,R1,被限制为每秒3℃ ,以允许所有的PC的均匀加热
电路板和元件引脚。
处理区间P2应该具有足够的持续时间(100 180秒),以干燥该焊膏。温度
提高到刚好低于焊料的液相线点的水平。
过程区P3是回流焊接区。在区域P3中,将温度迅速以上的液相线点升高
焊接至260℃ (500° F),以获得最佳效果。中的停留时间以上的焊料的液相线点应为60之间
和90秒。这是为了保证焊膏适当凝聚成液态焊料和良好的形成
焊接连接。超过推荐的停留时间内的焊接连接的金属间化合物的生长
变得过大,从而导致弱的和不可靠的连接的形成。温度,然后迅速
减小到低于焊料的固相线温度的点,以允许连接中钎冻结
固体。
加工区P4是凉冻焊下来后。的冷却速率,R 5 ,从焊料的液相线点
至25 ° C(77 °F )不应超过每秒最高6 ℃。这种限制是必要的,以使印刷电路板和
元件引脚改变尺寸均匀,投入最少的应力分量。
建议进行回流焊不超过两次。
5
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联系人:刘先生
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