APTGF100SK120TG
降压斩波
NPT IGBT功率模块
VBUS
Q1
G1
NTC2
V
CES
= 1200V
I
C
= 100A @ T = 80℃
应用
AC和DC电机控制
开关电源
特点
非穿通（ NPT ） IGBT快速
- 低电压降
- 低尾电流
- 开关频率高达50 kHz的
- 软恢复二极管并联
- 低二极管VF
- 低漏电流
- 额定雪崩能量
- RBSOA和SCSOA评分
开尔文射，方便车道
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率
手术
稳定的温度特性
很皮实
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
由于易于并联的VCEsat晶体管积极TC
低调
符合RoHS
最大额定值
1200
135
100
300
±20
568
200A @ 1200V
单位
V
A
V
W
APTGF100SKL120TG - 修订版2006年7月2日
E1
UT
0 / VBU一举两得
0 / VBU S
NTC1
0/VBUS
SENSE
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
E1
G1
0/VBUS
SENSE
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
集电极电流脉冲
门 - 发射极电压
最大功率耗散
反向偏置安全工作区
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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1-6
APTGF100SK120TG
所有评级@ T
j
= 25 ° C除非另有说明
电气特性
符号特性
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
GES
零栅极电压集电极电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
门 - 发射极漏电流
测试条件
V
GE
= 0V
T
j
= 25°C
V
CE
= 1200V
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0V
民
典型值
最大
350
600
3.7
6.5
150
单位
A
V
V
nA
3.2
4.0
4.5
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
E
on
E
关闭
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门 - 发射极电荷
门 - 集电极费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关能量
关断开关能量
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 100A
电感式开关（ 25 ° C）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 100A
R
G
= 2.5
电感式开关（ 125°C ）
V
GE
= 15V
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 100A
R
G
= 2.5
V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
公共汽车
= 600V
I
C
= 100A
T
j
= 125°C
R
G
= 2.5
民
典型值
6900
660
440
660
70
400
35
65
320
30
35
65
360
40
13.9
6.1
最大
单位
pF
nC
ns
ns
mJ
菜刀二极管额定值和特性
符号特性
V
RRM
最大峰值重复反向电压
I
RM
I
F
V
F
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
直流正向电流
二极管的正向电压
测试条件
V
R
=1200V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
TC = 70℃
民
1200
典型值
最大
350
600
单位
V
A
A
I
F
= 120A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 120A
V
R
= 800V
的di / dt = 400A / μs的
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.8
400
470
2400
8000
ns
nC
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2-6
APTGF100SKL120TG - 修订版2006年7月2日
I
F
= 120A
I
F
= 240A
120
2.0
2.3
2.5
V
APTGF100SK120TG
热和包装特点
符号特性
R
thJC
V
ISOL
T
J
T
英镑
T
C
力矩
Wt
结到外壳热阻
工作结温范围
存储温度范围
工作温度
安装力矩
包装重量
IGBT
二极管
2500
-40
-40
-40
2.5
民
典型值
最大
0.22
0.46
150
125
100
4.7
160
单位
° C / W
V
°C
牛米
g
RMS隔离电压，任何终端来区分T = 1分，我isol<1mA ， 50 / 60Hz的
散热器来
M5
温度传感器NTC
（见www.microsemi.com应用指南APT0406了解更多信息） 。
符号特性
R
25
电阻@ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.15 K
民
典型值
50
3952
最大
单位
k
K
R
T
=
R
25
1 1
R
T
：热敏电阻在T值
EXP
B
25 / 85
T
T
25
T：热敏电阻温度
SP4封装外形
（单位：mm ）
ALL DIMENSIO NS注明" * "有T OLERENCED AS ：
请参阅应用笔记APT0501 - 安装说明书SP4电源模块上www.microsemi.com
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3-6
APTGF100SKL120TG - 修订版2006年7月2日
APTGF100SK120TG
典型性能曲线
400
IC ，集电极电流（ A）
320
240
160
80
0
0
2
4
6
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
传输特性
V
GE
，门到发射极电压（ V）
8
T
J
=125°C
输出特性（Ⅴ
GE
=15V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
100
IC ，集电极电流（ A）
输出特性（Ⅴ
GE
=10V)
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
T
J
=25°C
80
60
40
T
J
=125°C
20
0
0
1
2
3
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
栅极电荷
4
600
IC ，集电极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
100
200
300
400
I
C
= 100A
T
J
= 25°C
V
CE
=600V
500
400
300
200
100
0
0
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
CE
=240V
T
J
=25°C
V
CE
=960V
T
J
=125°C
T
J
=25°C
4
8
12
V
GE
，门到发射极电压（ V）
导通电压VS门到发射伏。
T
J
= 25°C
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
16
500
600
700
栅极电荷（ NC）
导通电压VS结温
250μs的脉冲测试
< 0.5 ％占空比
V
GE
= 15V
Ic=200A
Ic=100A
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
9
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
6
5
4
3
2
1
0
Ic=200A
Ic=100A
Ic=50A
Ic=50A
10
11
12
13
14
15
V
GE
，门到发射极电压（ V）
击穿电压VS结温。
16
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
集电极到发射极击穿电压
（归一化）
1.20
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
-50
IC ， DC集电极电流（ A）
180
160
140
100
80
60
40
20
0
120
集电极直流电流与外壳温度
1.15
-25
0
25
50
75 100
T
J
，结温（ ° C）
125
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
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4-6
APTGF100SKL120TG - 修订版2006年7月2日
APTGF100SK120TG
导通延迟时间与集电极电流
TD （上） ，导通延迟时间（纳秒）
V
CE
= 600V
R
G
= 2.5
V
GE
= 15V
关断延迟时间与集电极电流
TD （关） ，关断延迟时间（纳秒）
45
400
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
40
350
35
300
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
30
250
V
CE
= 600V
R
G
= 2.5
25
0
50
100
150
200
250
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流上升时间与集电极电流
200
0
50
100
150
200
250
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
电流下降时间与集电极电流
180
V
CE
= 600V
R
G
= 2.5
TF ，下降时间（纳秒）
50
T
J
= 125°C
TR ，上升时间（纳秒）
140
40
100
V
GE
=15V
60
30
T
J
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V ，R
G
= 2.5
20
0
50
100
150
200
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
20
0
50
100
150
200
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
EON，开启能量损耗（兆焦耳）
48
40
32
24
16
8
0
0
V
CE
= 600V
R
G
= 2.5
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
EOFF ，关断能量损失（兆焦耳）
56
开启能量损耗VS集电极电流
关断能量损耗VS集电极电流
16
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
T
J
= 125°C
12
8
T
J
= 25°C
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
4
0
0
50
100
150
200
250
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
50
100
150
200
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
250
开关损耗（兆焦耳）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
开关损耗（兆焦耳）
开关损耗VS栅极电阻
36
EON， 100A
16
开关损耗VS结温。
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.5
EON， 100A
12
EON， 50A
EOFF ， 100A
4
EON， 50A
EOFF ， 50A
EOFF ， 50A
0
5
10
15
20
栅极电阻（欧姆）
25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
www.Microsemi.com
5-6
APTGF100SKL120TG - 修订版2006年7月2日
EOFF ， 100A
8
QQ：2880707522 复制
