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砷化镓集成电路单刀双掷开关不反光
DC- 2.5 GHz的
ASC02M2-12
特点
s
高隔离度（35 dB的0.9千兆赫）
s
低DC功耗
s
不反光
销1
指标
0.244 (6.20 mm)
0.228 (5.80 mm)
SOIC-8
引脚8
0.050 （1.27 MM） BSC
描述
该ASC02M2-12是一种低成本的IC FET单刀双掷非
反射式开关在一个塑料SOIC - 8封装。开关
与-5浮动如图所示，当工作时， 0 V或0 ， + 5V
在下面的页面。这种通用SPDT开关
被用于各种电信应用。
销1
0.068
（1.73 mm）最大。
0.020 （0.51 mm）最大。
0.049
(1.24 mm)
0.016
(0.41 mm)
0.016 MAX 。
（0.41公厘）x
45 °倒角
0.197 (5.00 mm)
0.189 (4.80 mm)
0.010 (0.25 mm)
0.004 (0.10 mm)
0.158 (4.00 mm)
0.150 (3.80 mm)
0.010 (0.25 mm)
0.007 (0.17 mm)
8
马克斯。
在25 ° C电气规格（ 0 ， -5 V ）
参数
1
插入损耗
3
频率
2
DC–0.5
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
DC–0.5
DC–1.0
DC–2.0
DC–2.5
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
37
32
24
18
分钟。
典型值。
0.7
0.8
1.1
1.2
40
35
26
22
1.3:1
1.5:1
1.7:1
1.4:1
1.6:1
1.8:1
马克斯。
0.8
1.0
1.2
1.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
VSWR
4
DC- 0.5 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
在25 °C工作特性（ 0 ， -5 V ）
参数
开关特性
5
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
0.5-2.0 GHz的
对于双音输入功率+13 dBm的
0.5-2.0 GHz的
V
低
= 0 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -5V @ 50 μA至-8 V @ 200 μA（最大值） 。
频率
分钟。
典型值。
3
6
15
+23
+40
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
交调截取点（ IP3 ）
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
2， DC = 300千赫。
0.003分贝/ ℃， 3插入损耗变化。
4.插入损耗状态。
与1 ns的测量5.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
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传真
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1
砷化镓集成电路单刀双掷开关非反射DC- 2.5 GHz的
ASC02M2-12
典型性能数据（ 0 ， -5 V ）
1.4
1.2
1.0
+85C
70
60
50
dB
0.8
0.6
0.4
1.0
dB
-40C
40
30
20
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
2.0
1.8
1.6
控制电压
1.4
1.2
1.0
1.0
2.0
3.0
隔离与频率的关系
绝对最大额定值
特征
RF输入功率
价值
2 W > 500兆赫0 / -8 V
0.5瓦@ 50MHz的0 / -8 V
+0.2 V, -8 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
工作温度
储存温度
Θ
JC
注：超过这些参数可能会造成不可逆的损伤。
频率（GHz ）
引脚输出
V
S
10 k
V
2
C
BL
50
J
2
VSWR与频率的关系
8
1
真值表
消极的操作
V
1
-5
0
V
2
0
-5
J
1
–J
2
插入损耗
隔离
J
1
–J
3
隔离
插入损耗
J
1
C
BL
V
1
7
2
3
4
C
BP
50
C
BP
GND
6
5
C
BL
J
3
GND
积极操作
V
1
0
V
高
V
2
V
高
0
J
1
–J
2
插入损耗
隔离
J
1
–J
3
隔离
插入损耗
显示外部元件仅用于正电压操作。
C
BL
= 100 pF的，C
BP
= 1000 pF的操作>500兆赫。
V
高
= +5到+8 V（V
S
= V
高
± 0.2 V).
2
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