数据表
特点
0.5 Ω典型导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<25 NS
典型功耗（ <0.1 μW ）
0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
4通道多路复用器
ADG804
功能框图
ADG804
S1 2
S2 9
8 D
S3 4
S4 7
1
A0
10
A1
5
EN
应用
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
手机
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
图1 。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
操作与1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
小型10引脚MSOP封装。
概述
该ADG804是低电压的4通道CMOS多路复用
包括四个单声道。该器件提供超低
在小于0.8 Ω ，在整个温度范围内的电阻。
数字输入可以处理1.8 V逻辑与2.7 V至3.6 V
供应量。
该ADG804开关的四个输入至公共输出1 ，
D，作为由3位二进制地址线确定， A0，A1和
EN 。在EN引脚为逻辑0，禁用该设备。该ADG804
具有先开后合式开关。
该ADG804是3.3 V完全指定， 2.5 V和1.8 V电源
操作。它采用10引脚MSOP封装。
5.
6.
REV 。一
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04307-0-001
1 4
解码器
ADG804
目录
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置................................................ ............................. 7
数据表
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
9月11日 - 修订版。 0到版本A
改动最大漏电流参数和
条件，表1 .............................................. ............................. 3
改动最大漏电流参数和
条件，表2 .............................................. ............................. 4
改动最大漏电流参数和
条件，表3 .............................................. ............................. 5
添加铅温度参数............................................ 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 13
更改订购指南.............................................. ............ 13
4月4日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
数据表
特定网络阳离子
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
Transistion
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.1
±2
±0.1
±2
±0.1
±2
2
0.8
0.005
±0.1
4
24
30
23
29
5
6
20
28
67
75
0.02
0.06
33
24
105
125
0.003
1.0
4
0.16
0.75
0.075
0.8
0.08
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
ADG804
V
DD
= 2.7 V; V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;图18
V
DD
= 2.7 V; V
S
= 0.65 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V; V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 1 V/2.6 V; V
D
= 2.6 V / 1 V ;图19
V
S
= 1 V/2.6 V; V
D
= 2.6 V / 1 V ;图19
V
S
= V
D
= 1 V或2.6 V ;图20
V
IN
= V
INL
或V
INH
32
30
7
35
31
8
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图23
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图23
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
2
温度范围内，Y版本： -40°C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页3
ADG804
V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
T
Transistion
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.65
0.77
0.4
0.16
0.23
±0.1
±2
±0.1
±2
±0.1
±2
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
25
31
25
30
5
7
20
20
67
75
0.022
0.06
33
25
110
128
0.003
1
__________________________________________________________________________
1
2
数据表
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安;图18
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0.7 V ;我
S
= 10毫安
V
DD
= 2.3 V; V
S
= 0 V到V
DD
; I
S
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 1 V/2 V, V
D
= 2 V / 1 V ;图19
V
S
= 1/2 V, V
D
= 2/1 V ;图19
V
S
= V
D
= 1伏或2伏;图20
0.8
0.08
0.88
0.085
0.24
V
IN
= V
INL
或V
INH
33
32
8
35
34
9
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图22
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.5 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
4
温度范围内，Y版本： -40°C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页4
数据表
V
DD
= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。
1
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2.2
0.1
±0.1
±2
±0.1
±2
±0.1
±2
0.65 V
DD
0.35 V
DD
0.005
±0.1
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
Transistion
t
ON
启用
t
关闭
启用
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N） ）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
4
32
40
34
39
8
10
22
12
67
75
0.14
0.08
30
26
115
130
0.003
1.0
_______________________________________________________________________________________
1
2
ADG804
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 1.8 V; V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 10毫安;图18
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 10毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.35 V, V
D
= 1.35 V/0.6 V;
图19
V
S
= 0.6/1.35 V, V
D
= 1.35/0.6 V;
图19
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.35 V ;图20
2.2
4
2.2
4
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
42
40
11
44
41
13
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图21
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 Ω / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图22
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 V ，C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图25
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100 kHz时，
图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
4
温度范围内，Y版本： -40°C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页5
QQ：2880707522 复制
