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2003年8月
超前信息
PulseC重
AS80SSTVF16859
DDR 13位至26位寄存缓冲器
特点
差分时钟信号
会见SSTL_2 II类规格的输出
低电压工作 - V
DD
= 2.3 V至2.7 V
可提供64引脚TSSOP和56引脚VFQFN
包（ MLF2 ）
推荐应用
DDR内存模块： PC1600 ， PC2100 ，
PC2700 ， PC3200和
提供了完整的DDR DIMM逻辑解决方案
PCV857
SSTL_2兼容的数据寄存器
框图
CLK
CLKB
RESETB
D1
VREF
R
CLK
D1
Q1A
Q1B
销刀豆网络gurations
Q13A
Q12A
Q11A
Q10A
Q9A
VDDQ
GND
Q8A
Q7A
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
GND
Q1A
Q13B
42 D10
VDDQ
D9
Q12B
D8
Q11B
D7
RESETB
Q10B
Q9B
GND
Q8B
CLKB
Q7B
CLK
Q6B
VDDQ
VDD
GND
VREF
VDDQ
D6
Q5B
D5
Q4B
29 D4
Q3B
Q2B
Q1B
TO 12其他渠道
Q7A 1
Q6A
Q5A
Q4A
Q3A
Q2A
Q1A
Q13B
VDDQ
Q12B
Q11B
Q10B
Q9B
Q8B 14
AS80SSTVF16859
56引脚VFQFN （ MLF2 ）
6.10毫米机身，0.50毫米间距
1
64
2
63
3
62
61
4
5
60
59
6
58
7
57
8
56
9
55
10
54
11
12
53
13
52
51
14
15
50
49
16
48
17
47
18
19
46
20
45
21
44
22
43
42
23
24
41
25
40
26
39
27
38
28
37
29
36
30
35
31
34
32
33
64引脚TSSOP
AS80SSTVF16859
8/6/03; v.0.10
Q7B
15
Q6B
VDDQ
Q5B
Q4B
Q3B
Q2B
Q1B
VDDQ
D1
D2
VDD
VDDQ
D3
28
VDDQ
GND
D13
D12
VDD
VDDQ
GND
D11
D10
D9
GND
D8
D7
RESETB
GND
CLKB
CLK
VDDQ
VDD
VREF
D6
GND
D5
D4
D3
GND
VDDQ
VDD
D2
D1
GND
VDDQ
56
Q8A
VDDQ
Q9A
Q10A
Q11A
Q12A
Q13A
VDDQ
GND
D13
D12
VDD
VDDQ
43
D11
半导体联盟
13 P. 1
&RS \\ ULJKW ？ $ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU ？ $ OO ULJKWV UHVHUYHG ？
AS80SSTVF16859
真值表
1
输入
RESETB
L
H
H
H
CLK
X或浮动
↑
↑
Q输出
CLKB
X或浮动
↓
↓
D
X或浮动
H
L
X
Q
L
H
L
Q
02
L或H
L或H
1 H =高信号电平， L =低信号电平，
↑
=转型从低到高，
↓
=转换前高后低，X =无关。
建立了表示稳态输入条件之前2输出电平。
描述
在13位到26位的PC16859是一种通用的总线驱动器，设计为2.3 V至2.7 VV
DD
操作和SSTL_2 I / O
水平，除了LVCMOS RESETB输入。
从D个数据流，以Q由差分时钟（CLK / CLKB ）和控制信号（ RESETB ）的控制。该
CLK的上升沿被用于触发所述数据流，和CLKB被用来维持足够的噪声容限，
而RESETB ，一个LVCMOS异步信号，目的仅用于在上电时。 PC16859支持
低功耗待机操作。逻辑电平较低， RESETB确保所有内部寄存器和输出（Q ）是
复位到逻辑低状态，并且所有的输入接收器，数据（D） ，和时钟（CLK / CLKB ）被关闭。注意
RESETB必须始终与LVCMOS电平在一个有效的逻辑状态支持，因为VREF可能不稳定
在上电期间。
为了确保输出处于定义的逻辑状态稳定的时钟已经提供之前， RESETB必须保持
在上电期间的一个逻辑低电平。
在DDR DIMM的应用， RESETB被指定为完全异步相对于CLK和
CLKB ，因此，没有时序关系，可以在两个信号之间保证。时进入低功率
待机状态下，该寄存器将被清除，输出将被驱动为逻辑低电平赶紧相对
时间禁用差分输入接收器。这确保在输出无毛刺。当现身
低功耗待机状态，然而，寄存器将被激活相对快速的时间，使
差分输入接收器。当数据输入是一个逻辑电平低，低到中的时钟稳定
RESETB高过渡，直到输入接收器完全启用，该设计保证了输出将
保持在逻辑低电平。
8/6/03, v.0.10
半导体联盟
13 P. 2
AS80SSTVF16859
引脚配置（ 64引脚TSSOP ）
引脚数
1, 2, 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16, 17, 19, 20,
21, 22, 23, 24, 25, 28, 29, 30, 31, 32
7, 15, 26, 34, 39, 43, 50, 54, 58, 63
6, 18, 27, 33, 38, 47, 59, 64
35, 36, 40, 41, 42, 44, 52, 53, 55, 56, 57, 61, 62
48
49
37, 46, 60
51
45
引脚名称
Q(13:1)
GND
VDDQ
D(13:1)
CLK
CLKB
VDD
RESETB
VREF
TYPE
产量
PWR
PWR
输入
输入
输入
PWR
输入
输入
数据输出
地
输出电源电压， 2.5伏
公称
数据输入
正面主时钟输入
负主时钟输入
核心供电电压， 2.5伏的标称
RESET （低电平有效）
输入参考电压， 1.25 V
公称
描述
引脚配置（ 56引脚MLF2 ）
引脚数
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 18, 19,
20, 21, 22, 50, 51, 52, 53, 54, 56
37, 48
9, 17, 23, 27, 34, 44, 49, 55
24, 25, 28, 29, 30, 31, 39, 40, 41, 42, 43, 46, 47
35
36
26, 33, 45
38
32
–
引脚名称
Q(13:1)
GND
VDDQ
D(13:1)
CLK
CLKB
VDD
RESETB
VREF
中心
PAD
TYPE
产量
PWR
PWR
输入
输入
输入
PWR
输入
输入
PWR
数据输出
地
输出电源电压， 2.5伏
公称
数据输入
正面主时钟输入
负主时钟输入
核心供电电压， 2.5伏的标称
RESET （低电平有效）
输入参考电压， 1.25 V
公称
地（ VFQFN封装）
描述
8/6/03, v.0.10
半导体联盟
13第3页
AS80SSTVF16859
绝对最大额定值
储存温度
电源电压
输入电压
1
输出电压
1,2
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
V
DD
, V
DDQ
或GND电流/针
封装的热阻抗
3
- 65 ° C至+ 150°C
-0.5至3.6 V
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.5到V
DD
+ 0.5
= 50毫安
= 50毫安
= 50毫安
= 100毫安
55 ° C / W
1的输入和输出负电压的评分可被排除在外，如果输入和输出钳位的评级是
观察到。
2当输出处于高国家级V这个电流将只流
0
＆ GT ; V
DDQ
.
3封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
这些额定值仅应力的规格，并且该设备的这些功能操作或任何其他条件
以上这些在规范的业务部门所列出的是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响产品的可靠性。
推荐工作条件 - DDRI / DDR333 （ PC1600 ， PC2100 ， PC2700 ）
通过设计保证。不是100 ％生产测试。
参数
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
I
V
IH（ DC）的
V
IH （AC）的
V
IL （ DC ）
V
白细胞介素（AC）的
V
IH
V
IL
V
ICR
V
ID
V
IX
I
OH
I
OL
T
A
8/6/03, v.0.10
描述
电源电压
I / O电源电压
参考电压
终止电压
输入电压
DC输入高电压
交流输入高电压
DC输入低电压
AC输入低电压
输入高电压电平
输入低电平
RESETB
数据
输入
民
2.3
2.3
1.15
V
REF
- 0.04
0
V
REF
+ 0.15
V
REF
+ 0.31
典型值
2.5
2.5
1.25
V
REF
最大
2.7
2.7
1.35
V
REF
+ 0.04
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
REF
- 0.15
V
REF
- 0.31
1.7
0.7
0.97
0.36
(V
DDQ
/2) - 0.2
(V
DDQ
/2) + 0.2
-20
20
0
70
1.53
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°
C
13第4页
共模输入范围CLK 。
CLKB
差分输入电压
差分时钟的交叉点电压
对
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
半导体联盟
AS80SSTVF16859
推荐工作条件 - DDRI -400 （ PC3200 ）
通过保证为设计，而不是100 ％生产测试。
参数
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
I
V
IH（ DC）的
V
IH （AC）的
V
IL （ DC ）
V
白细胞介素（AC）的
V
IH
V
IL
V
ICR
V
ID
V
IX
I
OH
I
OL
T
A
电源电压
I / O电源电压
参考电压
终止电压
输入电压
DC输入高电压
交流输入高电压
DC输入低电压
AC输入低电压
输入高电压电平
输入低电平
共模输入范围
差分输入电压
差的交叉点电压
时钟对
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
0
RESETB
CLK ，
CLKB
1.7
0.7
0.97
0.36
(V
DDQ
/2) - 0.2
(V
DDQ
/2) + 0.2
-16
16
70
1.53
数据
输入
描述
民
2.5
2.5
1.25
V
REF
- 0.04
0
V
REF
+ 0.15
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.15
V
REF
- 0.31
典型值
2.6
2.6
1.3
V
REF
最大
2.7
2.7
1.35
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
°
C
8/6/03, v.0.10
半导体联盟
13第5页
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ACS755CCB-150-PSS
AD261BND-5
AAT2801IXN-4.5-T1
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