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2002年3月
AS7C33128PFS32A
AS7C33128PFS36A
3.3V 128K X 32/36管道爆裂的同步SRAM
特点
组织: 131,072字× 32或36位
快速的时钟速度为200兆赫的LVTTL / LVCMOS
快速时钟到数据存取: 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒
快速OE访问时间: 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒
完全同步寄存器到寄存器操作
单个寄存器“流通”模式
单周期解选
双循环取消也可以( AS7C33128PFD32A /
AS7C33128PFD36A)
奔腾
1
兼容的体系结构和定时
异步输出使能控制
经济型100引脚TQFP封装
字节写使能
多芯片能够很容易地扩展
3.3核心供电
2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
DDQ
典型值为30 mW的待机功率在掉电模式
ntd⊙
1
流水线架构,可
( AS7C33128NTD32A / AS7C33128NTD36A )
1奔腾
是Intel Corporation的注册商标。 NTD 是一种
商标联盟半导体公司。所有商标
本文档中提及均为其各自所有者的财产。
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[16:0]
17
CLK
CE
CLR
D
CE
地址
注册
CLK
D
Q0
突发的逻辑
Q1
17
Q
管脚配置
A6
A7
CE0
CE1
BW
d
BW
c
BW
b
BW
a
CE2
V
DD
V
SS
CLK
GWE
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
128K × 32/36
内存
ARRAY
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
15
17
GWE
BWE
BW
d
DQ
d
Q
字节写
注册
CLK
D
DQ
c
Q
字节写
注册
CLK
D
DQ
b
Q
字节写
注册
CLK
D
DQ
a
Q
字节写
注册
CLK
D
启用
CE
注册
CLK
动力
D
启用
Q
延迟
注册
CLK
Q
36/32
36/32
BW
c
BW
b
BW
a
CE0
CE1
CE2
4
ZZ
OE
FT
36/32
DQ [ A:D ]
选购指南
–200
最小周期时间
最大时钟频率
最大的流水线时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流(DC)的
5
200
3
570
160
30
–183
5.4
183
3.1
540
140
30
–166
6
166
3.5
475
130
30
–133
7.5
133
4
425
100
30
–100
10
100
5
325
90
30
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
3/4/02; v.1.4
半导体联盟
LBO
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
OE
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
DQP
c
/ NC
DQ
c
DQ
c
V
DDQ
V
SSQ
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
V
SSQ
V
DDQ
DQ
c
DQ
c
FT
V
DD
NC
V
SS
DQ
d
DQ
d
V
DDQ
V
SSQ
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
V
SSQ
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
DQP
d
/ NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
TQFP 14 × 20毫米
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQP
b
/ NC
DQ
b
DQ
b
V
DDQ
V
SSQ
DQ
b
DQ
b
DQ
b
DQ
b
V
SSQ
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
V
SS
NC
VDD
ZZ
DQ
a
DQ
a
V
DDQ
V
SSQ
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
V
SSQ
V
DDQ
DQ
a
DQ
a
DQP
a
/ NC
注:引脚1,30,51,80是NC为32 ×
13 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C33128PFS32A
AS7C33128PFS36A
功能说明
该AS7C33128PFS32A和AS7C33128PFS36A是高性能的CMOS 4兆位同步静态随机存取存储器(SRAM)
设备组织为131072字× 32位或36位,并结合两阶段寄存器 - 寄存器流水线为最高频率上的任何给定的
技术。
定时对这些设备是与现有的Pentium兼容
同步缓存规格。这个体系结构适于ASIC和DSP
( TMS320C6X )和PowerPC
1
基于系统的计算,数据通信,仪器仪表,以及通信系统。
5.0 / 5.4 / 6.0 / 7.5 / 10 ns的时钟存取时间短的循环时间(T
CD
) 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒启用200 , 183 , 166 , 133和100 MHz的
总线频率。三芯片使能( CE )输入允许轻松扩展内存。被启动以两种方式之一突发工作:控制器
地址选通( ADSC) ,或者处理器地址选通( ADSP ) 。突发提前引脚( ADV )允许后续内部产生爆裂
地址。
读周期开始与ADSP (不论WE和ADSC的)使用新的外部地址读入片内地址寄存器
当ADSP采样为低电平时,芯片使取样积极的,与输出缓冲器使能OE 。在读操作的数据访问
由当前地址,由CLK的上升沿,在地址寄存器中的注册,被运送到所述数据输出寄存器和驱动上
输出引脚CLK的下一个上升沿。 ADV被忽略的时钟边沿采样ADSP断言,但被采样的所有后续
时钟边沿。地址是在内部增加了突发的下一个访问时, ADV采样为低电平,无一不地址选通脉冲高。
突发模式可选择与LBO输入。与LBO悬空或驱动高,突发操作使用奔腾
数序列。同
LBO低电平时,器件采用适用于PowerPC的线性计数序列
和许多其他应用。
写周期被禁用输出缓冲器, OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有32 /
36位不论个人BW的状态[ A:D ]投入。交替地,当GWE为高电平时,一个或多个字节可以被写入通过断言
BWE及相应的单个字节BWN信号(S ) 。
BWN被忽略的时钟边沿采样ADSP低,但被采样的所有后续时钟边沿。输出缓冲器被禁用时BWN
采样为低电平(无论OE ) 。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平。地址是内部递增到
下一个脉冲串的地址,如果BWN和ADV采样低。
读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差异随之而来。
ADSP必须采样为高电平时, ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。
WE信号进行采样的时钟沿采样ADSC低(和ADSP高) 。
主控芯片使CE0块ADSP ,但不ADSC 。
AS7C33128PFS32A和AS7C33128PFS36A家庭工作于3.3V内核电源。的I / O使用单独的电源,可以操作
在2.5V或3.3V 。这些器件采用100引脚14 × 20毫米TQFP封装。
电容
参数
输入电容
I / O容量
GWE
L
H
H
H
符号
C
IN
C
I / O
信号的
地址和控制销
I / O引脚
BWE
X
L
H
L
BWN
X
L
X
H
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
T
T
F*
F
*
单位
pF
pF
写使能真值表(每字节)
.H\
X =无关,L =低,H =高, T = True时, F = FALSE; * =有效读取; N = A,B , C,D ; WE ,文=内部写信号。
突发订单
起始地址
第一个增量
第二个增量
三是增量
交错的突发订单
LBO=1
00
01
10
11
01
00
11
10
10
11
00
01
11
10
01
00
起始地址
第一个增量
第二个增量
三是增量
线性突发顺序
LBO=0
00
01
10
11
01
10
11
00
10
11
00
01
11
00
01
10
1的PowerPC
是国际商业机器公司的注册商标。
3/4/02; v.1.4
半导体联盟
13 P. 2
AS7C33128PFS32A
AS7C33128PFS36A
信号说明
信号
CLK
A0–A16
DQ [A,B , C,D ]
CE0
CE1 , CE2
ADSP
ADSC
ADV
GWE
BWE
BW [A,B , C,D ]
OE
LBO
FT
ZZ
I / O
I
I
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
性能
时钟
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
ASYNC
STATIC
默认值=
STATIC
ASYNC
描述
时钟。除了OE , FT , ZZ , LBO所有的输入是同步的这个时钟。
地址。采样时,所有的芯片都能够积极ADSC或ADSP断言。
数据。当芯片被使能和OE激活驱动作为输出。
主控芯片使能。采样时钟边沿时, ADSP和ADSC有效。当CE0是
不活动的, ADSP被阻止。请参阅同步真值表以获取更多信息。
同步芯片使。高电平有效和低电平有效,分别为。采样时钟
边当ADSC有效,或当CE0和ADSP活跃。
地址选通处理器。置为低电平来加载一个新的总线地址,或进入待机
模式。
地址选通控制。置为低电平来加载一个新的地址或进入待机模式。
提前。低电平持续一阵读/写。
全局写使能。置为低电平写入所有32/36位。当高, BWE和BW [ A:D ]
控制写使能。
字节写使能。置为低电平与GWE = HIGH ,使体重的影响[ A:D ]投入。
写使能。用于控制单个字节写入时GWE = HIGH和BWE =
低。如果有BW的[ A:D ]是活跃GWE = HIGH和BWE = LOW周期是写
周期。如果所有BW [ A:D ]无效的周期是一个读周期。
异步输出使能。 I / O引脚被驱动时, OE处于活动状态,芯片在读
模式。
计数模式。当驱动高,计数序列如下英特尔XOR约定。当
驱动为低电平,计数顺序如下线性约定。
这个信号被拉高。
18
流通mode.When低,使得单个寄存器流通模式。连接
V
DD
如果未使用或流水线操作。
睡眠模式。放置器件进入低功耗模式;数据将被保留。连接至GND ,如果未使用。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于GND
相对于GND输入电压(输入引脚)
相对于GND输入电压( I / O引脚)
功耗
直流输出电流
存储温度(塑料)
在偏置温度
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IN
V
IN
P
D
I
OUT
T
英镑
T
BIAS
–0.5
–0.5
–0.5
–65
–65
最大
+4.6
V
DD
+ 0.5
V
DDQ
+ 0.5
1.8
50
+150
+135
单位
V
V
V
W
mA
o
C
o
C
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在外面与本规范的业务部门所标明这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大
额定条件下可能会影响其可靠性。
3/4/02; v.1.4
半导体联盟
13第3页
AS7C33128PFS32A
AS7C33128PFS36A
同步真值表
CE0
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
X
H
X
H
CE1
X
L
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
CE2
X
X
X
H
H
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
ADSP
X
L
H
L
H
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
H
X
ADSC
L
X
L
X
L
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
H
1
OE
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
地址进行访问
NA
NA
NA
NA
NA
NEXT
NEXT
当前
当前
NEXT
NEXT
当前
当前
NEXT
NEXT
当前
当前
CLK
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
手术
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
开始阅读
开始阅读
开始阅读
开始阅读
续。读
续。读
暂停阅读
暂停阅读
续。读
续。读
暂停阅读
暂停阅读
开始写
续。写
续。写
挂起写
挂起写
DQ
Hi
Z
Hi
Z
Hi
Z
Hi
Z
Hi
Z
Hi
Z
2
Hi
Z
Hi
Z
2
Hi
Z
Q
Hi
Z
Q
Hi
Z
Q
Hi
Z
Q
Hi
Z
D
3
D
D
D
D
X
X
X
X
X
X
X
F
F
F
F
F
F
F
F
F
F
T
T
T
T
T
1
请参阅“写使能真值表”第2页了解更多信息。
2
Q在流经模式。
3对于下面的一个读写操作,
OE
必须为高电平的输入数据建立时间,高通量的输入保持时间召开之前。
关键:X =无关,L =低,H =高。
3/4/02; v.1.4
半导体联盟
13第4页
AS7C33128PFS32A
AS7C33128PFS36A
推荐工作条件
参数
电源电压
3.3V的I / O电源电压
2.5V的I / O电源电压
地址
控制引脚
I / O引脚
工作环境温度
符号
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
T
A
3.135
0.0
3.135
0.0
2.35
0.0
2.0
–0.5
2
2.0
–0.5
2
0
公称
3.3
0.0
3.3
0.0
2.5
0.0
最大
3.6
0.0
3.6
0.0
2.9
0.0
V
DD
+ 0.3
0.8
V
DDQ
+ 0.3
0.8
70
单位
V
V
V
V
V
°
C
输入电压
1
1输入电压范围适用于3.3VI / O操作。对于2.5VI / O操作,请联络厂方输入规格。
2 V
IL
分钟。 = -2.0V脉冲宽度小于0.2 ×吨
RC
.
TQFP封装热阻
描述
热阻
(结到环境)
1
热阻
(结到外壳顶部的)
1
1 ,该参数进行采样。
条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗,每环评手续/
JESD51
符号
θ
JA
θ
JC
典型
46
2.8
单位
°
C / W
°
C / W
3/4/02; v.1.4
半导体联盟
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    -
    -
    -
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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