AON5820
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
T
J
=125°
C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ，我
D
=10A
V
GS
= 3.5V ，我
D
=9A
V
GS
= 3.1V ，我
D
=9A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.3
85
5.5
8
5.8
6
6.3
6.8
7.4
11
7.6
8
8.3
9.2
65
0.58
1
2.5
1000
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=10A
150
100
1255
220
168
2.5
12.5
5.5
6.5
1.1
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
8.5
12
2.6
7
7.4
11
15
13.5
18
15
1510
290
235
9.5
14
10
10.5
11.5
13
0.65
民
20
1
5
10
1.0
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
K
nC
nC
nC
s
s
s
s
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2011年10月
www.aosmd.com
第2 6
AON5820
典型的电气和热特性
10
V
DS
=10V
I
D
=10A
8
电容（pF）
1600
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1200
2000
4
800
C
OSS
400
C
RSS
2
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
1000.0
100.0
10s
200
160
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5.5°C/W
1
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2011年10月
www.aosmd.com
第4 6
AON5820
典型的电气和热特性
30
25
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
20
15
10
5
0
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10
15
功耗（ W）
5
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
1E-05
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
0.001
1000
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2011年10月
www.aosmd.com
分页： 5 6
AON5820
20V共漏极双N沟道MOSFET
概述
该AON5820采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ON ） ，
低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至2.5V ，同时保留了12V V
GS （ MAX）
评级，这是ESD保护。此设备是suitabl ê
用作单向或双向负荷开关，通过它的共漏极组态容易。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.0V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=3.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=3.1V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=2.5V)
典型的ESD保护
20V
10A
< 9.5mΩ
<为10mΩ
< 10.5mΩ
< 11.5mΩ
< 13mΩ
HBM等级2
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
C
T
A
=25°
C
功耗
A
最大
20
±12
10
8
85
1.7
1
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
T
A
=70°
C
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
61
4.5
最大
40
75
5.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AON5820
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
C
T
J
=125°
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ，我
D
=10A
V
GS
= 3.5V ，我
D
=9A
V
GS
= 3.1V ，我
D
=9A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.3
85
5.5
8
5.8
6
6.3
6.8
7.4
11
7.6
8
8.3
9.2
65
0.58
1
2.5
1000
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=10A
150
100
1255
220
168
2.5
12.5
5.5
6.5
1.1
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
8.5
12
2.6
7
7.4
11
15
13.5
18
15
1510
290
235
9.5
14
10
10.5
11.5
13
0.65
民
20
1
5
10
1.0
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
K
nC
nC
nC
s
s
s
s
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/6
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=10V
I
D
=10A
8
电容（pF）
1600
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1200
2000
4
800
C
OSS
400
C
RSS
2
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
1000.0
100.0
10s
200
160
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5.5°C/W
1
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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典型的电气和热特性
30
25
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
20
15
10
5
0
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10
15
功耗（ W）
5
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
1E-05
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
0.001
1000
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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