2004年4月
AS7C3256A
3.3V 32K ×8 CMOS SRAM （通用I / O）
特点
引脚兼容AS7C3256
工业和商业温度选择
组织： 32,768字×8位
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5，6 ，7，8 ns的输出使能存取时间
极低功耗：ACTIVE
- 180MW最大@ 10纳秒
极低功耗：待机
- 7.2毫瓦最大CMOS I / O
易于内存扩展CE和OE输入
TTL兼容，三态I / O
28引脚JEDEC标准封装
- 300万SOJ
- 8
×
13.4毫米TSOP 1
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
管脚配置
28引脚TSOP 1 （ 8 × 13.4毫米）
28引脚SOJ （ 300万）
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O7
行解码器
SENSE AMP
256 X 128 X 8
ARRAY
(262,144)
I/O0
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
AS7C3256A
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
列解码器
WE
控制
电路
OE
CE
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A A A A A A A
8 9 10 11 12 13 14
选购指南
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
5
50
2
-12
12
6
45
2
-15
15
7
40
2
-20
20
8
35
2
单位
ns
ns
mA
mA
4/23/04; v.2.0
半导体联盟
9 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C3256A
AS7C3256A
功能说明
该AS7C3256A是3.3V高性能CMOS 262,144位静态随机存取存储器（ SRAM ）装置
组织为32,768字×8位。它是专为需要在低电压下的快速数据存取记忆体的应用，
包括奔腾
TM
和PowerPC
TM
和便携式计算。联盟的先进的电路设计和工艺技术
允许3.3V操作，而不会影响性能或经营利润。
该器件进入
待机模式
当
CE
高。 CMOS待机模式下消耗7.2毫瓦。正常运行提供了75 ％
经初步获得降低功耗，在CPU空闲，暂停和拉伸模造成显著降低功耗。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5，6， 7，8纳秒
非常适合高性能应用。该芯片使能（
CE
）输入允许轻松扩展内存与多个银行
记忆的组织。
写周期是由断言芯片使能（ CE）和写使能（ WE） LOW完成。输入引脚上的I / O0 -I / O7数据
被写入的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应
驱动器I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言芯片来完成使能（
CE
）和输出使能（
OE
）较低，写使能（
WE
）高。该
片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当芯片使能或输出使能高，或写
能低，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容。操作是从一个单一的3.3 ± 0.3V供电。该AS7C3256A打包
在大批量工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
数据
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
KEY：
X =无关，L =低，H =高
4/23/04; v.2.0
半导体联盟
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AS7C3256A
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
广告
产业
符号
V
CC
V
IH **
V
IL *
T
A
T
A
民
3.0
2.0
-0.5
0
–40
典型
3.3
–
–
–
–
最大
3.6
V
CC
+0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
* V MIN = -1.0V脉冲宽度小于5ns的。
**
IL
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
直流工作特性（在工作范围内）
1
-10
参数
输入漏
当前
符号
|I
LI
|
测试条件
V
CC
=最大，
V
in
= GND到V
CC
民
–
–
–
最大
1
1
50
民
–
–
–
-12
最大
1
1
45
民
–
–
–
-15
最大
1
1
40
民
–
–
–
-20
最大
1
1
35
单位
A
A
mA
输出漏
V =最大，
|I
LO
|
CC
当前
V
OUT
= GND到V
CC
操作
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
电源I
CC
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
当前
I
SB
待机功耗
电源电流
V
CC
=最大，CE
＆ GT ;
V
IH
f = f
最大
–
20
–
20
–
20
–
20
mA
V
CC
=最大，CE
＆ GT ;
V
CC
–0.2V
I
SB1
V
IN
＆ LT ; 0.2V或
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V ， F = 0
V
OL
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
V
OH
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
–
–
2.4
2.0
0.4
–
–
–
2.4
2.0
0.4
–
–
–
2.4
2.0
0.4
–
–
–
2.4
2.0
0.4
–
mA
V
V
输出电压
电容（ F = 1MHz的，T
a
=室温，V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
4/23/04; v.2.0
半导体联盟
9 P. 3
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