a
特点
5 V单电源
285 kSPS的吞吐速率
自校准和系统校准用的自动校准
上电
8个单端或4个伪差分输入
低功耗： 60 mW的典型值
自动断电转换后（ 2.5瓦典型值）
灵活的串行接口： 8051 / SPI / QSPI / P兼容
24引脚DIP ， SOIC和SSOP封装
应用
电池供电系统（个人数字助理，
医疗器械，移动通信）
笔计算机
仪表和控制系统
高速调制解调器
5 V单电源，8通道
14位285 kSPS的采样ADC
AD7856
功能框图
AV
DD
AGND
DV
DD
AIN1
AIN8
....
I / P
MUX
T / H
AD7856
.....
4.096V
参考
COMP
REF
IN
/ REF
OUT
C
REF1
收费
再分配
DAC
CLKIN
C
REF2
CAL
校准
内存和
调节器
SAR ADC +
控制
CONVST
忙
睡觉
BUF
DGND
概述
该AD7856是一款高速，低功耗， 14位ADC，能操作
阿泰从5 V单电源供电。 ADC的权力与
一组默认条件，此时它可以作为一个被操作
只读ADC 。两款ADC都含有自校准和系统
校准选项，可确保操作精度不受时间和
温度，它有许多用于低省电选项
电源应用。
的AD7856能够285 kHz的吞吐率。输入
跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪
差分采样方案。的AD7856电压范围为0至
V
REF
与直接二进制输出编码。输入信号范围是
电源和器件能够转换充满力量显
的NAL至10兆赫。
CMOS结构确保了典型的低功耗
60 mW的正常运转和5.1毫瓦在掉电模式
在10 kSPS的吞吐速率。的部分是在24引脚，
0.3英寸宽双列直插式封装（ DIP ） ， 24引脚小外形
（ SOIC ）和24引脚小外形收缩（ SSOP ）封装。
请查看数据表索引31页。
串行接口/控制寄存器
SYNC
DIN
DOUT
SCLK
产品亮点
1. 5 V单电源。
2.自动校准上电。
3.灵活的电源管理选项，包括自动
转换后掉电。
4.工作在基准电压从1.2 V到V
DD
.
5.模拟输入范围为0 V至V
DD
.
6.八个单端或四个伪差分输入通道。
7.自我和系统校准。
8.通用串行I / O端口（ SPI / QSPI / 8051 / μP） 。
SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
A级：F
CLKIN
= 6兆赫（ -40 ℃至+ 105 ℃） ，女
样品
= 285千赫; 等级：
f
CLKIN
= 4 MHz时， （ 0℃至+ 105 ℃） ，女
样品
= 102千赫; （ AV
DD
DV
DD
= +5.0 V 5%,
REF
IN
/ REF
OUT
= 4.096 V外部基准，除非另有说明，
睡觉
=逻辑高电平;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。 ）规格
系统蒸发散申请模式2操作，标准的3线SPI接口;请参考模式1规范的详细时序部分。
AD7856–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比
3
（SNR）的
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声
互调失真（ IMD ）
二阶条款
三阶条款
通道到通道隔离
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
±
2
偏移误差
±
10
偏移误差匹配
正满量程误差
±
10
正满量程误差匹配
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
输入电容
参考输入/输出
REF
IN
输入电压范围
输入阻抗
REF
OUT
输出电压
REF
OUT
温度系数
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN4
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
1, 2
A版
1
78
–86
–87
–86
–86
–90
14
±
2
K版
1
78
–86
–87
–90
–90
–90
14
±
2
±
2
±
10
±
5
±
3
±
10
±
2
0到V
REF
±
1
20
2.3/V
DD
150
3.696/4.496
20
V
DD
– 1.0
0.4
±
1
10
单位
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
位
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
伏
A
最大
pF的典型值
V最小/最大
千欧（典型值）
V最小/最大
PPM /°C的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
测试条件/评论
f
IN
= 10千赫
79.5分贝典型值
-95 dB典型值
-95 dB典型值
FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫
FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫
V
IN
= 25千赫
任何通道
4.096 V外部基准电压，V
DD
= 5 V
保证无漏码为13位。
0到V
REF
±
1
20
4.096/V
DD
150
3.696/4.496
20
V
DD
– 1.0
0.4
±
1
10
即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V
REF
， AIN （ - ）可
偏颇了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）
从1.2伏官能
电阻连接到内部参考节点
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
V
DD
– 0.4
V
DD
– 0.4
0.4
0.4
±
1
±
1
10
10
直（自然科学）二进制
3.5
0.33
5.25
0.5
I
来源
= 200
A
I
SINK
- 0.8毫安
s
最大
s
民
21 CLKIN周期
–2–
REV 。一
AD7856
参数
电源性能
AV
DD,
DV
DD
I
DD
普通模式
5
睡眠模式
6
随着外部时钟上
A版
1
+4.75/+5.25
17
30
400
随着外部时钟关闭
5
K版
1
+4.75/+5.25
17
10
500
5
单位
V最小/最大
最大mA
A
典型值
A
典型值
A
最大
AV
DD
DV
DD
= 4.75 V至5.25 V典型12毫安
完全掉电。电源管理位IN连接
控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0
局部断电。电源管理位
控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1
通常为0.5
A.
完全掉电。电源管理
换货。在控制寄存器设为PMGT1 = 1位，
PMGT0 = 0
局部断电。电源管理位
控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 1
V
DD
= 5.25 V.通常为60毫瓦;
睡觉
= V
DD
V
DD
= 5.25 V.
睡觉
= 0 V
V
DD
= 5.25 V典型5.25
W;
睡觉
= 0 V
允许的偏移电压量程标定
许满量程电压量程标定
测试条件/评论
200
正常模式功耗
休眠模式下功耗
随着外部时钟上
随着外部时钟关闭
系统校准
偏移校准跨度
7
增益校准跨度
7
89.25
52.5
26.25
200
89.25
52.5
26.25
A
典型值
毫瓦MAX
W
典型值
W
最大
V MAX / MIN
V MAX / MIN
+0.0375
×
V
REF
/–0.0375
×
V
REF
+1.01875
×
V
REF
/–0.98125
×
V
REF
笔记
1
温度范围如下：A版本： -40°C至+ 105°C 。 K版： 0 ° C至+ 105°C 。
2
校准后的规格适用。
3
SNR计算包含失真和噪声分量。
4
样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。
5
所有数字输入@ DGND除
CONVST ，睡眠， CAL
和
SYNC
@ DV
DD
。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。
6
CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除
CONVST ，睡眠， CAL ，
和
SYNC
@ DV
DD
。在数字输出无负载。
模拟输入@ AGND 。
7
偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7856可以校准的范围。还请注意，这些电压的跨度和是
不是绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）
±
0.0375
×
V
REF
和
AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来将是V
REF
±
0.01875
×
V
REF
).
此进行更详细的解释在数据表中的校正部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
AD7856
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
f
CLKIN2
f
SCLK
t
1 3
t
2
t
兑换
t
3
t
4 4
t
5 4
t
6 4
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
125
t
13
t
146
t
15
t
16
t
CAL
t
CAL1
t
CAL2
500
6
6
100
50
3.5
–0.4 t
SCLK
±
0.4 t
SCLK
30
30
45
30
20
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
30
30/0.4 t
SCLK
50
90
50
2.5 t
CLKIN
2.5 t
CLKIN
41.7
37.04
4.63
DD
= 5 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。 A级：F
CLKIN
= 6兆赫; 等级：F
CLKIN
= 4兆赫）。
单位
千赫分钟
兆赫最大
兆赫最大
ns（最小值）
ns（最大值）
s
最大
ns（最小值）
ns的最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns的最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
毫秒（典型值）
毫秒（典型值）
毫秒（典型值）
描述
主时钟频率
CONVST
脉宽
CONVST ↓
忙↑传播延迟
转换时间= 20吨
CLKIN
同步？
到SCLK ↓建立时间（非连续的SCLK输入）
同步？
到SCLK ↓建立时间（连续输入SCLK ）
从延迟
同步？
直到DOUT三州残疾人
从延迟
同步？
直到DIN三态禁用
数据访问时间SCLK ↓后
数据建立时间之前SCLK ↑
数据有效到SCLK保持时间
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
SCLK ↑到
同步？
保持时间（非连续SCLK ）
（连续SCLK ）
从延迟
同步？
直到DOUT三态启用
从延迟
SCLK ↓
根据DIN被配置为输出
从延迟
SCLK ↓
根据DIN被配置为输入
CAL ↑
忙↑延迟
CONVST ↓
忙↑延迟校准序列
全自校准时间，主时钟依赖
(250026 t
CLKIN
)
内部DAC Plus系统满量程校准时间，主
时钟属（ 222228吨
CLKIN
)
系统失调校准时间，主时钟依赖
(27798 t
CLKIN
)
在T限制
民
, T
最大
A版
K版
500
4
4
100
50
5.25
–0.4 t
SCLK
±
0.4 t
SCLK
50
50
75
40
20
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
30
30/0.4 t
SCLK
50
90
50
2.5 t
CLKIN
2.5 t
CLKIN
62.5
55.5
6.94
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的
DD
），并定时从1.6 V的电压电平
请参阅表X和时序图不同的接口模式和校准。
2
马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。
3
该
CONVST
脉宽这里只适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的
CONVST
脉宽适用
（见掉电部分） 。
4
测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
5
t
12
当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间
背面去除的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t
12
在时序特性所是真正的公交车
放弃部分的时间，并且独立于总线负载的。
6
t
14
当装载有图1的电路被衍生形式采取的数据输出改变0.5 V的测量的时间测量的数目是再
外推回除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t
14
在时序特性报价是
该部分在关闭输出驱动器和配置DIN线作为输入的真实延迟。一旦这段时间过去之后，用户可以驱动DIN线
明知不会发生总线冲突。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
REV 。一
QQ：2881677436 复制
