0D\
$6&
？ 9 ？ [ ？ &026 65 0美元
） HDWXUHV
AS7C164 （ 5V版）
商业温度
组织： 8,192字×8位
中心电源和接地引脚
高速
- 20年12月15日NS地址，访问时间
- 6/7/8 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 550毫瓦（ AS7C164 ） /最大@ 12纳秒
低功耗：待机
- 11毫瓦（ AS7C164 ） / MAX CMOS I / O
2.0V数据保留
易于扩展内存与CE1 ， CE2 ， OE输入
TTL兼容，三态I / O
28引脚JEDEC标准封装
- 300万SOJ
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
/ RJLFGLDJUDP
V
CC
GND
输入缓冲器
A1
A2
A3
A4
A10
A11
A12
I/O7
3LQ DUUDQJHPHQW
28引脚PDIP ， SOJ （ 300毫升）
I/O0
列解码器
A A A AA A
0 5 6 7 8 9
WE
OE
CE1
CE2
控制
电路
6HOHFWLRQ JXLGH
-12
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
12
6
110
2.0
-15
15
7
100
2.0
-20
20
8
90
2.0
单位
ns
ns
mA
mA
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
AS7C164
128×64×8
ARRAY
(65,536)
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
CE2
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
行解码器
SENSE AMP
？ RI ？
&RS \\ ULJKW ？ $ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU ？ $ OO ULJKWV UHVHUYHG ？
$6&
） XQFWLRQDO GHVFULSWLRQ
该AS7C164是组织为8192字×8位的高性能CMOS 65536位的静态随机存取存储器（SRAM）器件。这是
设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T
OE
）的6/7/8 NS是理想的高
高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CE1是高还是CE2为低，器件进入待机模式。该标准AS7C164保证不超过11.0毫瓦
在待机模式下消耗，并且通常仅需要250 μW ;它提供2.0V数据保留的120微瓦的最大功率。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入数据
在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备
应驱动I / O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE ）高。该芯片的驱动器
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写使能是激活的，
输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源。该AS7C164打包在300密耳的SOJ封装。
$ EVROXWH PD [ LPXP UDWLQJV
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C164
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值仅为运行
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的值，我们不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
7UXWK WDEOH
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
in
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
？ RI ？
$6&
5HDG F \\ FOH ？ RYHU WKH RSHUDWLQJ UDQJH
-12
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE1低到低Z输出
CE2高到低Z输出
CE1高到高Z输出
CE2低到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
下降输入
民
12
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
最大
–
12
12
12
6
–
–
–
3
3
–
3
–
12
民
15
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
-15
最大
–
15
15
15
7
–
–
–
4
4
–
4
–
15
民
20
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
-20
最大
–
20
20
20
8
–
–
–
5
5
–
5
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
3
3, 12
3, 12
笔记
.H \\ WR VZLWFKLQJ ZDYHIRUPV
瑞星输入
未定义/无所谓
5HDG ZDYHIRUP ？ ？ DGGUHVV FRQWUROOHG
t
RC
地址
t
AA
D
OUT
数据有效
t
OH
5HDG ZDYHIRUP ？ ？ & （ ？ DQG & （ ？ FRQWUROOHG
t
RC1
CE1
CE2
t
OE
OE
t
OLZ
t
ACE1,
t
ACE2
D
OUT
t
CLZ1,
t
CLZ2
供应
当前
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
OHZ
t
CHZ1,
t
CHZ2
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
？ RI ？
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