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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第804页 > ADM3312EARU-REEL
a
15千伏ESD保护， 2.7 V至3.6 V
串行口收发器与绿色空闲
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
*
有源接收器可以提醒处理器，其可再取
该ADM33xxE设备从关断模式。
该ADM3307E包含五个驱动器和三个接收器，是
用于移动电话的数据块状的电缆和便携式的COM
思想促进应用。
该ADM3311E包含三个驱动器和五个接收器，是
设计用于笔记本电脑/笔记本电脑的串行端口的应用程序。
该ADM3310E是ADM3311E的低电流版本。这
器件还允许两个接收器活跃在关断模式。
该ADM3312E包含三个驱动器和三个接收器，是
用于串行端口的应用程序，PDA，移动电话数据
肿块电缆和其他手持设备。
该ADM3315E是ADM3312E的低电流版本，
一个22千瓦的接收器输入阻抗，减少驱动器
DTE设备的要求。其主要应用于掌上电脑，
掌上电脑和手机的数据线疙瘩。
该ADM33xxE器件采用CMOS工艺制造
对于最小的功率消耗。所有部件具有很高的水平
过电压保护和闭锁免疫力。
所有ADM33xxE器件采用32引脚5毫米可用
5 mm
LFCSP封装和TSSOP封装（ ADM3307E ，
ADM3310E和ADM3311E采用28引脚TSSOP封装; ADM3312E
和ADM3315E采用24引脚TSSOP封装） 。该ADM3311E还
是在一个28引脚SSOP封装。
该ADM33xxE设备坚固耐用的RS - 232线路驱动器/
从2.7 V单电源供电，以3.6 V接收器
升压电压转换器加上电平移位发射器
和接收器可以同时经营有待开发的RS - 232电平
从单电源。特性包括低功耗，
绿色的空闲动作，高传输速率，和兼容性
对电磁兼容性的欧盟指令。这EM
兼容性指令包括防止辐射和
传导干扰，包括高水平的静电
放电。
所有的RS -232（和CMOS ，SD和
EN
对于ADM3307E ）输入和
输出保护，防止静电放电（最多
±
15千伏） 。
这可确保符合IEC 1000-4-2要求。
这些器件非常适用于运行在恶劣的电
环境或者RS - 232电缆经常被
插入/拔出。他们也躲不开高射频场
优势无需特殊的屏蔽措施。
排放量也控制在非常严格的限制。 CMOS
技术被用来保持功耗为绝对
最小，从而最大限度地延长电池寿命的便携式应用。
特点
绿色待机省电模式
采用2.7 V至3.6 V电源
工作在3 V逻辑
0.1μF至1μF电荷泵电容
低EMI
低功耗关断模式： 20 nA的
全RS - 232合规
460千比特/ s的数据速率
1接收机活跃在关断（ 2 ADM3310E ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2对RS - 232的I / O （ ADM33xxE ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2的CMOS和RS - 232 I / O的
(ADM3307E)
应用
移动电话手机/数据线
笔记本电脑和笔记本电脑
打印机
外设
调制解调器
掌上电脑/手持设备/掌上电脑
概述
该ADM33xxE线驱动器/接收器的产品被设计成
完全满足EIA-232标准，同时与单个操作
2.7 V至3.6 V电源供电。该器件具有一个板上
电荷泵式DC- DC转换器，省去了双
电源供应器。这种直流 - 直流转换器包括一个电压
三倍频和电压逆变器内部产生积极的
和负电源从输入3 V电源。直流 -
到直流转换器工作在绿色空闲模式，由此电荷
泵振荡器被选通和关断，以保持输出
电压
±7.25
不同的负载条件下， V 。这最大限度地减小
的功率消耗，使这些产品的理想
电池供电的便携式设备。
该ADM33xxE设备适合于恶劣elec-操作
Trical公司环境以及包含ESD保护达
±
15千伏
在他们的RS-232线（ ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E ，
和ADM3315E ） 。该ADM3307E包含ESD保护
最多
±
15千伏上的所有I / O线（ CMOS ， RS - 232 ，
EN ，
和SD ） 。
关断的设施，降低了功耗，
66纳瓦也被提供。关断时，一个接收器仍
活性（两个接收机活性与ADM3310E ） ，由此允许
监测的外围设备。此功能允许器件
被关闭，直到外围设备开始通信。
*受保护
由美国专利号5606491 。
启摹
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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2004 ADI公司保留所有权利。
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
功能方框图
C1
C1
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
C4
0.1 F
电压C2 +
V
CC
三倍频/ C3 +
逆变器
3V至C1 +
C2
9V
C1
C3–
V
EN
SD
关闭
输入
T1
IN
T2
IN
CMOS
输入
1
T3
IN
T4
IN
T5
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
T1
T2
C4
0.1 F
V
CC
C3
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
V
CC
C3
0.1 F
C5
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
R3
OUT
R4
OUT
R5
OUT
10 F
钽
启用
输入
10 F
钽
V–
GND
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
C2
3V至
9V
C1–
EN
C5
0.1 F
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
T4
OUT
T5
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
SD
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
R2
R3
R4
R5
关闭
输入
EIA/TIA-232
输出
T3
T3
T4
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
R5
IN
EIA/TIA-232
输入
2
T5
R1
R2
R3
R1
OUT
R2
OUT
R3
OUT
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3307E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
ADM3310E/
ADM3311E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
C1
0.1 F
C4
0.1 F
V
CC
10 F
钽
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
C2
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
C3
0.1 F
C5
0.1 F
EN
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
3V至
C2
9V
C1–
SD
关闭
输入
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
T3
R1
R2
R3
R1
IN
R2
IN
R3
IN
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3312E/
ADM3315E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K （ 22K FOR ADM3315E ）下拉电阻
对每一个RS - 232输入。
–2–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
(V
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
ADM3307E
ADM3311E ， ADM3312E
CC
= 2.7 V至3.6 V ， C1-C5 = 0.1 F.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
民
2.7
典型值
3.3
0.75
0.75
0.45
0.45
最大
3.6
1.5
4.5
1
4.5
0.85
35
1
25
±
1
0.8
0.4
0.4
V
CC
– 0.6
0.04
0.05
+7.25
–7.25
+6.5
–6.5
–25
0.4
+25
1.3
2.0
0.14
5
22
2.4
±
1
±
5
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
kW
kW
T
IN
= GND
T
IN
,
EN ，
SHDN
T
IN
,
EN ，
SHDN ; V
CC
= 2.7 V
T
IN
,
EN ，
SHDN
I
OUT
= 1.6毫安
I
OUT
= –200
mA
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
空载
空载
空载
空载
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;空载
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
无负载; V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;牛逼
A
= 0∞C
至85℃
无负载; V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;牛逼
A
= – 40∞C
至+ 85°C
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
R
L
= 3千瓦至GND上的所有T
前前后后
测试条件/评论
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E ， ADM3315E
关断电源电流
输入上拉电流
输入漏电流， SD ，
EN
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
CMOS输出漏电流
ADM3307E
ADM3310E ， ADM3311E
ADM3312E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V +
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V +
ADM3310E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V
ADM3310E ， ADM3315E
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
ADM3307E ， ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E
ADM3315E
2.0
0.35
0.02
10
0.02
3
14
7
31
启摹
–3–
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
（续）
参数
输出电压摆幅
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312
±
5.0
民
典型值
±
5.0
±
6.4
±
5.5
最大
±
5.5
单位
V
V
V
W
mA
Kbps的
Kbps的
Kbps的
ms
ms
ns
ns
ns
V / ms的
kV
kV
kV
测试条件/评论
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
(V
CC
= 3.0 V)
(V
CC
= 2.7 V)
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
发射机输出电阻
RS-232
输出短路电流
最大数据速率
ADM3307E
300
±
15
720
920
460
0.3
0.17
100
300
500
18
±
15
±
15
±
8
±
60
250
460
ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E
ADM3315E
接收器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
接收器输出使能时间，t
ER
接收器输出禁止时间，t
DR
发射器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
过渡区转换率
ESD保护（ I / O引脚）
250
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 2.7 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
C
L
= 150 pF的
C
L
= 150 pF的; ADM3307E只有
R
L
= 3千瓦，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的
1
人体模型
IEC 1000-4-2气隙放电
IEC 1000-4-2接触放电
2
1
3
笔记
1
测量+3 V至-3 V或-3 V至3 V.
2
包括CMOS I / O ，SD和
EN
为ADM3307E 。
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
- 0.3 V ）至+9 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-9 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
热阻抗，
q
JA
CP- 32 LFCSP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32.5 ° C / W
RU- 28 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RU- 24 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RS - 28 SSOP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .76.0 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值（ IEC 1000-4-2空气） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ IEC 1000-4-2接触） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。
±
8千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
–4–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
产品选择指南
通用
ADM3307E
供应
电压
2.7 V至3.6 V
Tx
5
Rx
3
接收号
活跃
在SD
1
速度
1 Mbps的
15千伏
ESD
I
CC
最大
I
CC
关闭
马克斯*
1
mA
附加功能
±
15 kV ESD保护
在RS-232和CMOS
CMOS I / O的含
SD和
EN
销。
2 RXS活跃在关断。
绿色空闲模式
6级五，低功耗
ADM3311E.
RS-232
1.5毫安
CMOS
EN
和SD
RS-232
ADM3310E
2.7 V至3.6 V
3
5
2
460 kbps的
0.85毫安1
mA
ADM3311E
ADM3312E
ADM3315E
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
3
3
3
5
3
3
1
1
1
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
1毫安
1
mA
1毫安
1
mA
0.85毫安1
mA
22千瓦的Rx I / P
性。绿色空闲
模电平6 V.低功耗
ADM3312E.
*I
CC
关机是20 nA的典型。
订购指南
模型
ADM3307EARU
ADM3307EARU-REEL
ADM3307EARU-REEL7
ADM3307EACP
ADM3307EACP-REEL
ADM3307EACP-REEL7
ADM3310EARU
ADM3310EARU-REEL
ADM3310EARU-REEL7
ADM3310EACP
ADM3310EACP-REEL
ADM3310EACP-REEL7
ADM3311EARS
ADM3311EARS-REEL
ADM3311EARS-REEL7
ADM3311EARZ*
ADM3311EARZ-REEL*
ADM3311EARZ-REEL7*
ADM3311EARU
ADM3311EARU-REEL
ADM3311EARU-REEL7
ADM3311EACP
ADM3312EARU
ADM3312EARU-REEL
ADM3312EARU-REEL7
ADM3312EACP
ADM3312EACP-REEL
ADM3312EACP-REEL7
ADM3315EARU
ADM3315EARU-REEL
ADM3315EARU-REEL7
ADM3315EARUZ*
ADM3315EARUZ-REEL*
ADM3315EARUZ-REEL7*
ADM3315EACP
ADM3315EACP-REEL
ADM3315EACP-REEL7
*
Z =无铅一部分。
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
封装选项
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
RU-28
RU-28
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
RU-24
RU-24
RU-24
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADM33xxE配备专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
启摹
–5–
a
15千伏ESD保护， 2.7 V至3.6 V
串行口收发器与绿色空闲
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
*
有源接收器可以提醒处理器，其可再取
该ADM33xxE设备从关断模式。
该ADM3307E包含五个驱动器和三个接收器，是
用于移动电话的数据块状的电缆和便携式的COM
思想促进应用。
该ADM3311E包含三个驱动器和五个接收器，是
设计用于笔记本电脑/笔记本电脑的串行端口的应用程序。
该ADM3310E是ADM3311E的低电流版本。这
器件还允许两个接收器活跃在关断模式。
该ADM3312E包含三个驱动器和三个接收器，是
用于串行端口的应用程序，PDA，移动电话数据
肿块电缆和其他手持设备。
该ADM3315E是ADM3312E的低电流版本，
一个22千瓦的接收器输入阻抗，减少驱动器
DTE设备的要求。其主要应用于掌上电脑，
掌上电脑和手机的数据线疙瘩。
该ADM33xxE器件采用CMOS工艺制造
对于最小的功率消耗。所有部件具有很高的水平
过电压保护和闭锁免疫力。
所有ADM33xxE器件采用32引脚5毫米可用
5 mm
LFCSP封装和TSSOP封装（ ADM3307E ，
ADM3310E和ADM3311E采用28引脚TSSOP封装; ADM3312E
和ADM3315E采用24引脚TSSOP封装） 。该ADM3311E还
是在一个28引脚SSOP封装。
该ADM33xxE设备坚固耐用的RS - 232线路驱动器/
从2.7 V单电源供电，以3.6 V接收器
升压电压转换器加上电平移位发射器
和接收器可以同时经营有待开发的RS - 232电平
从单电源。特性包括低功耗，
绿色的空闲动作，高传输速率，和兼容性
对电磁兼容性的欧盟指令。这EM
兼容性指令包括防止辐射和
传导干扰，包括高水平的静电
放电。
所有的RS -232（和CMOS ，SD和
EN
对于ADM3307E ）输入和
输出保护，防止静电放电（最多
±
15千伏） 。
这可确保符合IEC 1000-4-2要求。
这些器件非常适用于运行在恶劣的电
环境或者RS - 232电缆经常被
插入/拔出。他们也躲不开高射频场
优势无需特殊的屏蔽措施。
排放量也控制在非常严格的限制。 CMOS
技术被用来保持功耗为绝对
最小，从而最大限度地延长电池寿命的便携式应用。
特点
绿色待机省电模式
采用2.7 V至3.6 V电源
工作在3 V逻辑
0.1μF至1μF电荷泵电容
低EMI
低功耗关断模式： 20 nA的
全RS - 232合规
460千比特/ s的数据速率
1接收机活跃在关断（ 2 ADM3310E ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2对RS - 232的I / O （ ADM33xxE ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2的CMOS和RS - 232 I / O的
(ADM3307E)
应用
移动电话手机/数据线
笔记本电脑和笔记本电脑
打印机
外设
调制解调器
掌上电脑/手持设备/掌上电脑
概述
该ADM33xxE线驱动器/接收器的产品被设计成
完全满足EIA-232标准，同时与单个操作
2.7 V至3.6 V电源供电。该器件具有一个板上
电荷泵式DC- DC转换器，省去了双
电源供应器。这种直流 - 直流转换器包括一个电压
三倍频和电压逆变器内部产生积极的
和负电源从输入3 V电源。直流 -
到直流转换器工作在绿色空闲模式，由此电荷
泵振荡器被选通和关断，以保持输出
电压
±7.25
不同的负载条件下， V 。这最大限度地减小
的功率消耗，使这些产品的理想
电池供电的便携式设备。
该ADM33xxE设备适合于恶劣elec-操作
Trical公司环境以及包含ESD保护达
±
15千伏
在他们的RS-232线（ ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E ，
和ADM3315E ） 。该ADM3307E包含ESD保护
最多
±
15千伏上的所有I / O线（ CMOS ， RS - 232 ，
EN ，
和SD ） 。
关断的设施，降低了功耗，
66纳瓦也被提供。关断时，一个接收器仍
活性（两个接收机活性与ADM3310E ） ，由此允许
监测的外围设备。此功能允许器件
被关闭，直到外围设备开始通信。
*受保护
由美国专利号5606491 。
启摹
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ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
功能方框图
C1
C1
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
C4
0.1 F
电压C2 +
V
CC
三倍频/ C3 +
逆变器
3V至C1 +
C2
9V
C1
C3–
V
EN
SD
关闭
输入
T1
IN
T2
IN
CMOS
输入
1
T3
IN
T4
IN
T5
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
T1
T2
C4
0.1 F
V
CC
C3
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
V
CC
C3
0.1 F
C5
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
R3
OUT
R4
OUT
R5
OUT
10 F
钽
启用
输入
10 F
钽
V–
GND
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
C2
3V至
9V
C1–
EN
C5
0.1 F
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
T4
OUT
T5
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
SD
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
R2
R3
R4
R5
关闭
输入
EIA/TIA-232
输出
T3
T3
T4
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
R5
IN
EIA/TIA-232
输入
2
T5
R1
R2
R3
R1
OUT
R2
OUT
R3
OUT
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3307E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
ADM3310E/
ADM3311E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
C1
0.1 F
C4
0.1 F
V
CC
10 F
钽
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
C2
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
C3
0.1 F
C5
0.1 F
EN
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
3V至
C2
9V
C1–
SD
关闭
输入
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
T3
R1
R2
R3
R1
IN
R2
IN
R3
IN
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3312E/
ADM3315E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K （ 22K FOR ADM3315E ）下拉电阻
对每一个RS - 232输入。
–2–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
(V
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
ADM3307E
ADM3311E ， ADM3312E
CC
= 2.7 V至3.6 V ， C1-C5 = 0.1 F.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
民
2.7
典型值
3.3
0.75
0.75
0.45
0.45
最大
3.6
1.5
4.5
1
4.5
0.85
35
1
25
±
1
0.8
0.4
0.4
V
CC
– 0.6
0.04
0.05
+7.25
–7.25
+6.5
–6.5
–25
0.4
+25
1.3
2.0
0.14
5
22
2.4
±
1
±
5
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
kW
kW
T
IN
= GND
T
IN
,
EN ，
SHDN
T
IN
,
EN ，
SHDN ; V
CC
= 2.7 V
T
IN
,
EN ，
SHDN
I
OUT
= 1.6毫安
I
OUT
= –200
mA
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
空载
空载
空载
空载
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;空载
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
无负载; V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;牛逼
A
= 0∞C
至85℃
无负载; V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;牛逼
A
= – 40∞C
至+ 85°C
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
R
L
= 3千瓦至GND上的所有T
前前后后
测试条件/评论
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E ， ADM3315E
关断电源电流
输入上拉电流
输入漏电流， SD ，
EN
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
CMOS输出漏电流
ADM3307E
ADM3310E ， ADM3311E
ADM3312E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V +
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V +
ADM3310E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V
ADM3310E ， ADM3315E
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
ADM3307E ， ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E
ADM3315E
2.0
0.35
0.02
10
0.02
3
14
7
31
启摹
–3–
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
（续）
参数
输出电压摆幅
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312
±
5.0
民
典型值
±
5.0
±
6.4
±
5.5
最大
±
5.5
单位
V
V
V
W
mA
Kbps的
Kbps的
Kbps的
ms
ms
ns
ns
ns
V / ms的
kV
kV
kV
测试条件/评论
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
(V
CC
= 3.0 V)
(V
CC
= 2.7 V)
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
发射机输出电阻
RS-232
输出短路电流
最大数据速率
ADM3307E
300
±
15
720
920
460
0.3
0.17
100
300
500
18
±
15
±
15
±
8
±
60
250
460
ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E
ADM3315E
接收器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
接收器输出使能时间，t
ER
接收器输出禁止时间，t
DR
发射器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
过渡区转换率
ESD保护（ I / O引脚）
250
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 2.7 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
C
L
= 150 pF的
C
L
= 150 pF的; ADM3307E只有
R
L
= 3千瓦，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的
1
人体模型
IEC 1000-4-2气隙放电
IEC 1000-4-2接触放电
2
1
3
笔记
1
测量+3 V至-3 V或-3 V至3 V.
2
包括CMOS I / O ，SD和
EN
为ADM3307E 。
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
- 0.3 V ）至+9 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-9 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
热阻抗，
q
JA
CP- 32 LFCSP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32.5 ° C / W
RU- 28 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RU- 24 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RS - 28 SSOP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .76.0 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值（ IEC 1000-4-2空气） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ IEC 1000-4-2接触） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。
±
8千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
–4–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
产品选择指南
通用
ADM3307E
供应
电压
2.7 V至3.6 V
Tx
5
Rx
3
接收号
活跃
在SD
1
速度
1 Mbps的
15千伏
ESD
I
CC
最大
I
CC
关闭
马克斯*
1
mA
附加功能
±
15 kV ESD保护
在RS-232和CMOS
CMOS I / O的含
SD和
EN
销。
2 RXS活跃在关断。
绿色空闲模式
6级五，低功耗
ADM3311E.
RS-232
1.5毫安
CMOS
EN
和SD
RS-232
ADM3310E
2.7 V至3.6 V
3
5
2
460 kbps的
0.85毫安1
mA
ADM3311E
ADM3312E
ADM3315E
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
3
3
3
5
3
3
1
1
1
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
1毫安
1
mA
1毫安
1
mA
0.85毫安1
mA
22千瓦的Rx I / P
性。绿色空闲
模电平6 V.低功耗
ADM3312E.
*I
CC
关机是20 nA的典型。
订购指南
模型
ADM3307EARU
ADM3307EARU-REEL
ADM3307EARU-REEL7
ADM3307EACP
ADM3307EACP-REEL
ADM3307EACP-REEL7
ADM3310EARU
ADM3310EARU-REEL
ADM3310EARU-REEL7
ADM3310EACP
ADM3310EACP-REEL
ADM3310EACP-REEL7
ADM3311EARS
ADM3311EARS-REEL
ADM3311EARS-REEL7
ADM3311EARZ*
ADM3311EARZ-REEL*
ADM3311EARZ-REEL7*
ADM3311EARU
ADM3311EARU-REEL
ADM3311EARU-REEL7
ADM3311EACP
ADM3312EARU
ADM3312EARU-REEL
ADM3312EARU-REEL7
ADM3312EACP
ADM3312EACP-REEL
ADM3312EACP-REEL7
ADM3315EARU
ADM3315EARU-REEL
ADM3315EARU-REEL7
ADM3315EARUZ*
ADM3315EARUZ-REEL*
ADM3315EARUZ-REEL7*
ADM3315EACP
ADM3315EACP-REEL
ADM3315EACP-REEL7
*
Z =无铅一部分。
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
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28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
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32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
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5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
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CP-32-2
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CP-32-2
RU-24
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CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADM33xxE配备专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
启摹
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