2000年10月
AS6VA5128
2.7V至3.3V 512K × 8 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM
特点
AS6VA5128
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字×8位
2.7V至3.3V ，在55纳秒
低功耗：ACTIVE
- 132毫瓦，在3.3V和55纳秒
1.2V数据保留
平等的机会和周期时间
易内存扩展与CS ， OE输入
最小的占位面积封装
- 36 （ 48 ） - 球形FBGA
- 32引脚TSOP I和II TSOP封装可在
联盟AS6UB5128产品系列（可用一月
2001)
低功耗：待机
- 66
W
最大电压为3.3V
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
48 - CSP BGA封装
（阴影部分表示无球）
1
A
A
0
I / O
5
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
7
I / O
8
A
9
B
C
D
I/O1
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
SENSE AMP
512K
×
8
ARRAY
(4,194,304)
I/O8
E
F
G
H
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
WE
OE
CS
A
18
OE
A
10
CS
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
3
I / O
4
A
14
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6VA5128
民
(V)
2.7
典型值
2
(V)
3.0
最大
(V)
3.3
速度
（纳秒）
55
功耗
待机（我
SB1
)
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
MAX （
A)
2
20
10/6/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6VA5128
功能说明
该AS6VA5128是一个低功耗CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
524288字× 8位。它是专为存储应用数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口
是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55纳秒非常适合低功耗应用。高电平有效和低码片
选择（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，器件进入待机模式： AS6VA5128保证不超过66
W
耗电量
在3.3V和55ns 。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）来实现低。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ，与写使能（WE ）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.7V至3.3V电源。该装置是
在提供JEDEC标准36 （ 48 ） - 球形FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
电源电流
I
SB
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
2
半导体联盟
10/6/00
2000年10月
AS6VA5128
2.7V至3.3V 512K × 8 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM
特点
AS6VA5128
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字×8位
2.7V至3.3V ，在55纳秒
低功耗：ACTIVE
- 132毫瓦，在3.3V和55纳秒
1.2V数据保留
平等的机会和周期时间
易内存扩展与CS ， OE输入
最小的占位面积封装
- 36 （ 48 ） - 球形FBGA
- 32引脚TSOP I和II TSOP封装可在
联盟AS6UB5128产品系列（可用一月
2001)
低功耗：待机
- 66
W
最大电压为3.3V
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
48 - CSP BGA封装
（阴影部分表示无球）
1
A
A
0
I / O
5
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
7
I / O
8
A
9
B
C
D
I/O1
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
SENSE AMP
512K
×
8
ARRAY
(4,194,304)
I/O8
E
F
G
H
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
WE
OE
CS
A
18
OE
A
10
CS
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
3
I / O
4
A
14
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6VA5128
民
(V)
2.7
典型值
2
(V)
3.0
最大
(V)
3.3
速度
（纳秒）
55
功耗
待机（我
SB1
)
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
MAX （
A)
2
20
10/6/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6VA5128
功能说明
该AS6VA5128是一个低功耗CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
524288字× 8位。它是专为存储应用数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口
是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55纳秒非常适合低功耗应用。高电平有效和低码片
选择（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，器件进入待机模式： AS6VA5128保证不超过66
W
耗电量
在3.3V和55ns 。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）来实现低。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ，与写使能（WE ）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.7V至3.3V电源。该装置是
在提供JEDEC标准36 （ 48 ） - 球形FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
电源电流
I
SB
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
2
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