AS6C3216
1.0版
32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
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1.0版
描述
创刊号
发行日期
Sep.06.2012
内存联盟公司
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AS6C3216
1.0版
32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
概述
该AS6C3216是33554432位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
2,097,152字×16位或4,194,304字×8
位。它是用非常高的性能捏造，
高可靠性的CMOS技术。其待机电流
是操作温度的范围内是稳定的。
该AS6C3216是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该AS6C3216单电源工作
供应2.7V 3.6V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 55ns
低功耗：
工作电流： 45毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 10A （ TYP。 ） SL版
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节的控制：
（一） BYTE ＃固定到V
CC
LB ＃控制DQ0 DQ7
瑞银控制的DQ8 DQ15
（二） BYTE ＃固定到V
SS
使用DQ15作为地址引脚，而LB ＃ ，
瑞银和DQ8 DQ14引脚未使用
数据保持电压： 1.2V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 48引脚12毫米X 20毫米TSOP -I
产品系列
产品
家庭
AS6C3216(I)
操作
温度
-40 ~ 85℃
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
速度
55ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
10A(SL)
45mA
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1.0版
32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
引脚说明
符号
A0 – A20
A-1 – A20
解码器
2048Kx16/4096Kx8
存储阵列
功能框图
VCC
VSS
描述
地址输入（字模式）
地址输入（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
字节使能
电源
地
A0~A20
/A-1~A20
DQ0 - DQ15数据输入/输出
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
I / O数据
电路
列I / O
BYTE ＃
V
CC
V
SS
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
BYTE ＃
控制
电路
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32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A20
WE＃
CE2
NC
UB ＃
磅＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
AS6C3216
TSOP -I
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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32M位（ 2Mx16 / 4Mx8切换）低功耗CMOS SRAM
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
CE＃
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃ OE ＃
X
X
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
X
H
H
H
L
L
L
X
X
X
L
X
WE＃
X
X
X
H
H
H
H
H
H
L
L
L
H
L
磅＃
X
X
H
L
X
X
L
H
L
L
H
L
X
X
UB ＃
X
X
H
X
L
X
H
L
L
H
L
L
X
X
I / O操作
DQ0 - DQ7 DQ8 - DQ14 DQ15
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
高 - z
高 - Z高 - z
D
OUT
高 - Z高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - Z高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
DOUT
DIN
高 - z
高 - z
A-1
A-1
供应
当前
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
写
BYTE ＃
读
字节＃
写
注意：
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
I
CC
- 55
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
电源电流
周期时间= 1μs的时间
CE＃
≦
0.2V和CE2
≧
V
CC
-0.2V
I
CC1
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
其他引脚在V
IL
或V
IH
待机功耗
CE＃
≧V
CC
-0.2V
电源电流
I
SB1
-SLI
或CE2
≦
0.2V
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
分钟。
2.7
2.2
- 0.2
-1
-1
2.2
-
-
典型值。
3.0
-
-
-
-
2.7
-
45
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
80
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
-
10
20
mA
-
-
0.3
10
2
120
mA
A
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4
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