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HELP4
特点
TM
UMTS900 (频段8 )
WCDMA线性PAM
AWT6628A
数据表 - 版本2.5
HSPA标准
第四代HELP
TM
技术
高效率( R99) : (无直流 - 直流
转换器)
40 % @ P
OUT
= 28.9 dBm的
26 % @ P
OUT
= +17 dBm的
17 % @ P
OUT
= 13.5 dBm的
17 % @ P
OUT
= +7 dBm的
10 % @ P
OUT
= +3.5 dBm的
低静态电流: 3毫安
低漏电流的关断模式: <5 μA
内部稳压器
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
端口。
所有RF端口内部DC块
优化用于一个50
Ω系统
1.8V控制逻辑
AWT6628A
M45包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
RoHS Compliant Package, 260
o
MSL - 3
应用
Band 8 (EGSM) WCDMA/HSPA Wireless
器件
GND在蛞蝓( PAD)
该AWT6628A HELP4
TM
PA是第四代
帮助
TM
产品经营WCDMA设备
UMTS900 (Band 8) . This PA incorporates ANADIGICS’
RF
IN
HELP4
TM
技术,可提供出色的效率
在低功率水平和无低静态电流
无需外部稳压器或转换器。
V
MODE2
该设备采用先进的制造InGaP-
PLUS
TM
HBT技术,提供先进设备,最先进的
可靠性,温度稳定性和耐用性。
三种可选的偏置模式,优化效率
V
MODE1
针对不同的输出功率水平和关断模式
低漏电流增加手机的通话与
待机时间。 A“菊花链式”定向耦合器
V
EN
集成在模块中,从而消除了需要
an external coupler. The self-contained 3 mm x 3 mm
x 1 mm surface mount package incorporates matching
网络的输出功率,效率最佳化,并
线性度在50
Ω系统。
10/2012
产品说明
V
BATT
1
10
V
CC
2
CPL
9
RF
OUT
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
4
7
GND
5
图1 :框图
6
CPL
OUT
AWT6628A
V
BATT
1
10
9
V
CC
RF
IN
2
RF
OUT
V
MODE2
3
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
图2 :接脚分布(透视顶视图)
CPL
OUT
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
CPL
OUT
GND
CPL
IN
RF
OUT
V
CC
描述
电池电压
RF输入
模式控制电压2
模式控制电压1
PA使能电压
耦合器输出
耦合器输入
RF输出
电源电压
2
数据表 - 版本2.5
10/2012
AWT6628A
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
电池电压(V
BATT
)
控制电压(V
MODE1
, V
MODE2
, V
EN
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。接触
对于延长的时期绝对的收视率可能会产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
, V
BATT )
使能电压(V
EN
)
模式控制电压(V
MODE1
,V
MODE2
)
输出功率( UMTS )
R99 WCDMA , HPM
HSPA (MPR = 0), HPM
R99 WCDMA , MPM
HSPA (MPR = 0) ,MPM
R99 WCDMA , LPM
HSPA ( MPR = 0 ) , LPM
外壳温度(T
C
)
880
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
28.1
(1)
27.0
(1)
-
-
-
-30
典型值
-
+3.4
+1.8
-
+1.8
-
28.9
27.8
17.0
16.0
7.0
6.0
-
最大
915
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
-
-
-
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
< 28.9 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
3GPP TS 34.121-1 ,相对8
表C.11.1.3 ,
SUBTEST 1
°C
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项:
( 1 )对于工作在3.1 V,P
OUT
由0.8分贝降额。
3
数据表 - 版本2.5
10/2012
AWT6628A
表4 :电气规格 - WCDMA运营( R99调制)
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
EN
= +1.8 V, 50
系统)
参数
25
14
9
(1)
典型值
27.5
18
12.5
-41
-40
-40
-55
-57
-59
40
26
17
17
10
2.8
<0.1
0.04
0.7
<5
-133
-50
-58
-
20
20
<0.25
最大
30
21
16
-36
-36
-36
-48
-48
-48
-
-
-
-
-
4.3
0.15
0.1
1.4
10
-
-35
-45
2:1
-
-
-
单位
评论
P
OUT
P
OUT
= 28.9 dBm的
P
OUT
= +17 dBm的
P
OUT
= +7 dBm的
P
OUT
= 28.9 dBm的
P
OUT
= +17 dBm的
P
OUT
= +7 dBm的
P
OUT
= 28.9 dBm的
P
OUT
= +17 dBm的
P
OUT
= +7 dBm的
P
OUT
= 28.9 dBm的
P
OUT
= +17 dBm的
P
OUT
= 13.5 dBm的
P
OUT
= +7 dBm的
P
OUT
= +3.5 dBm的
通过V
CC
V
MODE1
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
V
MODE2
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
1.8 V
0V
0V
0V
1.8 V
1.8 V
1.8 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
-
-
-
-
-
-
35.5
22
-
13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
ACLR2在10 MHz偏移
dBc的
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流(WinSock )
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4 FO
输入阻抗
耦合系数
指向性
耦合器IN_OUT
菊花链插入损耗
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
mA
mA
mA
mA
A
dBm / Hz计
通过V
模式
销,V
MODE1,2
= +1.8 V
通过V
EN
针,V
EN
= +1.8 V
通过V
BATT
针,V
MODE1,2
= +1.8 V
V
BATT
= +4.35 V, V
CC
= +4.35 V,
V
EN
= 0 V, V
MODE1,2
= 0 V
925兆赫到960兆赫
dBc的
VSWR
dB
dB
dB
P
OUT
28.9 dBm的
698 MHz至2620 MHz的
引脚6-8 ,关断模式
P
OUT
28.9 dBm的
带内土地驻波< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于在所有工作范围
适用于在整个工作范围
-
-
<-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在897.5兆赫。
4
数据表 - 版本2.5
10/2012
AWT6628A
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断模式
运用逻辑低的水平(见工作范围
表)至V
EN
, V
MODE1
和V
MODE2
电压。
偏置模式
功率放大器可以被放置在任何低,
中等或高偏置模式通过应用
适当的逻辑电平(见工作范围表)
于V
模式
电压。下面偏置控制表
列出的操作的推荐模式的各种
应用程序。
三种操作模式,建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
水平
> 17 dBm的。在 17dBm的 - 7
dBm时, PA应该是“模式转换”到中等
电源模式。对于P
OUT
levels < ~7 dBm, the PA can be
切换到低功率模式,进一步降低静态
电流消耗。
表5 :偏置控制
应用
低功耗
(低偏置模式)
医学功率
(中偏置模式)
高功率
(高偏置模式)
关闭
P
OUT
水平
+7 dBm的
> 6 dBm的
+17 dBm的
> +16 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
EN
+1.8 V
+1.8 V
+1.8 V
0V
V
MODE1
+1.8 V
+1.8 V
0V
0V
V
MODE2
+1.8 V
0V
0V
0V
V
CC
3.1 - 4.35 V
3.1 - 4.35 V
3.1 - 4.35 V
3.1 - 4.35 V
V
BATT
> 3.1 V
> 3.1 V
> 3.1 V
> 3.1 V
V
BATT
V
CC
C5
2.2 F
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
C1
C9
0.01 μF 100 pF的
GND在塞
1
2
3
4
5
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
V
CC
RF
OUT
CPL
IN
GND
10
9
8
7
C3
330 pF的
C2
C4
0.01 μF 2.2 μF的陶瓷
RF
OUT
CPL
IN
CPL
OUT
CPL
OUT
6
图3 :评估板电路图
5
数据表 - 版本2.5
10/2012
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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