SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
坚固耐用的塑料
高速SRAM
特点
15 ， 20和25 ns访问时间
快速输出使能（吨）高速缓存的应用
AOE
低有功功率
低待机功耗
全静态操作，无时钟或刷新要求
TTL兼容的输入和输出
+ 5V单电源供电
包装行业标准32引脚SOJ
NC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A16
A15
A14
A13
I/O0
I/O1
I/02
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A7
CE
2
WE \\
A8
A9
A10
A11
OE \\
A12
CE \\
1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
AS5C1008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚塑料SOJ （ DJ ）
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
包
塑料SOJ *
记号
-15
-20
-25
DJ
905号
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
XT
IT
引脚功能
A0 - A16
WE \\
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
地
无连接
概述
该ASI AS5C1008是一款高速，低功耗，通过128K
8位加固塑料（ COTS ）的CMOS静态RAM 。这是fabri-
采用高性能， CMOS技术标识。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，收益率在存取时间以最快的速度为15ns （最大值）
军事和工业温度范围。
当芯片使能（ CE \\ ）为高电平时，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
下降到为125mW （最大）在CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用低电平提供
CE \\，并置为高电平CE2和低电平写使能
(
WE \\），同时控制写入和读取的存储器。
TheAS5C1008是引脚兼容其他128K ×8
SRAM的在SOJ包装。
CE \\
1
，CE
2
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
*有关本产品的陶瓷版本，请参阅
MT5C1008数据表。
AS5C1008
修订版3.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于GND ...................................- 0.5V至+ 7.0V
任何引脚相对于GND .........- 0.5V至VCC + 7.0V电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
环境温度与功耗的应用........- 55
o
C至+ 125
o
C
短路输出电流.............................................. ... 260
o
C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS5C1008
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
功能框图
A0
地址
A16
解码器
存储矩阵
I/O0
数据
I/O7
输入数据
控制
列I / O
CE \\
1
CE
2
WE \\
OE \\
AS5C1008
修订版3.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
工作动态
当前
TTL待机电流 -
TTL输入
条件
VCC = MAX ，我
OUT
= 0毫安，
CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
， F = f最大
VCC = MAX ，V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE \\
1
＆ GT ; V
IH
和CE
2
＆ GT ; V
IL
， F = f最大
VCC = MAX ， CE \\
1
>的Vcc -0.2V ，或CE
2
I
SB2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
VCC
+0.5
0.8
2.2
10
10
10
mA
A
A
V
0.4
2.2
-0.5
VCC
+0.5
0.8
V
V
V
-15
-20
-25
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
I
CC1
I
SB1
180
150
140
mA
90
75
70
mA
CMOS待机电流 -
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
>的Vcc -0.2V和
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
GND < V
IN
＆ LT ; VCC
GND < V
OUT
＆ LT ; VCC
输出禁用
VCC =最小，我
OH
= -4.0毫安
VCC =最小，我
OL
= 8.0毫安
10
10
-10
-10
2.4
10
10
-10
-10
2.4
10
10
0.4
VCC
+0.5
-0.5 0.8
引脚说明
A0 - A16 ：地址输入
这17个地址输入中选择131,072 8位字中的一个
RAM中。
CE \\
1
：芯片使能输入1
CE \\
1
被置为低电平读取或写入设备。如果芯片
启用1无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
CE
2
：芯片使能输入2
CE
2
被置为高电平读取或写入设备。如果芯片
启用2为无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
OE \\ ：输出使能输入
输出使能输入为低电平。如果置为低电平
而CE \\
1
有效（低电平）和CE
2
有效（高）和
WE \\无效（高电平）时，从SRAM中的数据将是本
在I / O引脚。在I / O引脚将处于高阻抗
当OE \\置为无效状态。
WE \\ ：写使能输入
写使能输入为低电平和控制读取和
写操作。当CE \\
1
和WE \\都有效（低电平）
和CE
2
被认定存在于I / O引脚（高电平）的输入数据
将被写入到所选择的存储位置。
AS5C1008
修订版3.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
-15
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度（OE \\ > V
IH
)
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
12
12
0
0
12
8
0
5
7
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
5
9
3
3
7
7
0
8
25
20
20
0
0
20
15
0
5
10
1
-20
民
20
15
15
3
3
8
7
0
20
20
3
3
最大
民
25
-25
最大
单位
ns
25
25
ns
ns
ns
ns
10
10
ns
ns
ns
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
15
最大
注意：
1. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZCE
, t
LZOE
和叔
HZOE
是模拟值。
AS5C1008
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
(T
A
= +25
o
C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
符号
C
IN
C
OUT
最大
6
8
单位
pF
pF
AS5C1008
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ........ GND到3.0V
输入上升和下降时间............................................. .............为3ns
输入时序参考电平.............................................. ..1.5V
输出参考电平............................................... 1.5V ...........
输出负载................................................ ..................参见图1
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
+5V
480
5 pF的
对于T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZWE
, t
HZWE
, t
LZOE
和叔
HZOE
图。 1输出负载等效
AS5C1008
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5
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奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
坚固耐用的塑料
高速SRAM
特点
15 ， 20和25 ns访问时间
快速输出使能（吨）高速缓存的应用
AOE
低有功功率
低待机功耗
全静态操作，无时钟或刷新要求
TTL兼容的输入和输出
+ 5V单电源供电
包装行业标准32引脚SOJ
NC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A16
A15
A14
A13
I/O0
I/O1
I/02
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A7
CE
2
WE \\
A8
A9
A10
A11
OE \\
A12
CE \\
1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
AS5C1008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚塑料SOJ （ DJ ）
选项
时机
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
包
塑料SOJ *
记号
-15
-20
-25
DJ
905号
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
XT
IT
引脚功能
A0 - A16
WE \\
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
动力
地
无连接
概述
该ASI AS5C1008是一款高速，低功耗，通过128K
8位加固塑料（ COTS ）的CMOS静态RAM 。这是fabri-
采用高性能， CMOS技术标识。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，收益率在存取时间以最快的速度为15ns （最大值）
军事和工业温度范围。
当芯片使能（ CE \\ ）为高电平时，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
下降到为125mW （最大）在CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用低电平提供
CE \\，并置为高电平CE2和低电平写使能
(
WE \\），同时控制写入和读取的存储器。
TheAS5C1008是引脚兼容其他128K ×8
SRAM的在SOJ包装。
CE \\
1
，CE
2
OE \\
I / O
0
- I / O
7
V
CC
V
SS
NC
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
*有关本产品的陶瓷版本，请参阅
MT5C1008数据表。
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1
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于GND ...................................- 0.5V至+ 7.0V
任何引脚相对于GND .........- 0.5V至VCC + 7.0V电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
环境温度与功耗的应用........- 55
o
C至+ 125
o
C
短路输出电流.............................................. ... 260
o
C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS5C1008
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
功能框图
A0
地址
A16
解码器
存储矩阵
I/O0
数据
I/O7
输入数据
控制
列I / O
CE \\
1
CE
2
WE \\
OE \\
AS5C1008
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
工作动态
当前
TTL待机电流 -
TTL输入
条件
VCC = MAX ，我
OUT
= 0毫安，
CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
， F = f最大
VCC = MAX ，V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE \\
1
＆ GT ; V
IH
和CE
2
＆ GT ; V
IL
， F = f最大
VCC = MAX ， CE \\
1
>的Vcc -0.2V ，或CE
2
I
SB2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
VCC
+0.5
0.8
2.2
10
10
10
mA
A
A
V
0.4
2.2
-0.5
VCC
+0.5
0.8
V
V
V
-15
-20
-25
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
I
CC1
I
SB1
180
150
140
mA
90
75
70
mA
CMOS待机电流 -
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
>的Vcc -0.2V和
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
GND < V
IN
＆ LT ; VCC
GND < V
OUT
＆ LT ; VCC
输出禁用
VCC =最小，我
OH
= -4.0毫安
VCC =最小，我
OL
= 8.0毫安
10
10
-10
-10
2.4
10
10
-10
-10
2.4
10
10
0.4
VCC
+0.5
-0.5 0.8
引脚说明
A0 - A16 ：地址输入
这17个地址输入中选择131,072 8位字中的一个
RAM中。
CE \\
1
：芯片使能输入1
CE \\
1
被置为低电平读取或写入设备。如果芯片
启用1无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
CE
2
：芯片使能输入2
CE
2
被置为高电平读取或写入设备。如果芯片
启用2为无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
OE \\ ：输出使能输入
输出使能输入为低电平。如果置为低电平
而CE \\
1
有效（低电平）和CE
2
有效（高）和
WE \\无效（高电平）时，从SRAM中的数据将是本
在I / O引脚。在I / O引脚将处于高阻抗
当OE \\置为无效状态。
WE \\ ：写使能输入
写使能输入为低电平和控制读取和
写操作。当CE \\
1
和WE \\都有效（低电平）
和CE
2
被认定存在于I / O引脚（高电平）的输入数据
将被写入到所选择的存储位置。
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3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
-15
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度（OE \\ > V
IH
)
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
15
12
12
0
0
12
8
0
5
7
0
7
20
15
15
0
0
15
10
0
5
9
3
3
7
7
0
8
25
20
20
0
0
20
15
0
5
10
1
-20
民
20
15
15
3
3
8
7
0
20
20
3
3
最大
民
25
-25
最大
单位
ns
25
25
ns
ns
ns
ns
10
10
ns
ns
ns
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
15
最大
注意：
1. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZCE
, t
LZOE
和叔
HZOE
是模拟值。
AS5C1008
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
(T
A
= +25
o
C，F = 1.0兆赫）
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
符号
C
IN
C
OUT
最大
6
8
单位
pF
pF
AS5C1008
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ........ GND到3.0V
输入上升和下降时间............................................. .............为3ns
输入时序参考电平.............................................. ..1.5V
输出参考电平............................................... 1.5V ...........
输出负载................................................ ..................参见图1
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
+5V
480
5 pF的
对于T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZWE
, t
HZWE
, t
LZOE
和叔
HZOE
图。 1输出负载等效
AS5C1008
修订版3.5 1/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
