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SDRAM
奥斯汀半导体公司
4梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
扩展测试在-55 ° C至+ 125 ° C和
工业级温度-40 ° C至85°C
写恢复(
t
WR
/
t
DPL
)
t
WR
= 2 CLK
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8或整页
自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式(工业级, -40 ° C至85°C只)
4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
长引脚TSOP提高可靠性
( OCPL * )
流程短/长流测试筛选选项
AS4SD4M16
引脚分配
( TOP VIEW )
54引脚TSOP
选项
记号
4M16
901号
注意: “\\ ”表示低电平有效。
CON连接gurations
4梅格×16 ( 1兆×16× 4组)
塑料包装 - OCPL *
54针TSOP ( 400万)
DG
时间(周期时间)
为8ns ;吨
AC
= 6.5ns @ CL = 3 (T
RP
- 24ns )
为10ns ;吨
AC
= 9ns @ CL = 2
工作温度范围
-Military ( -55 ° C至+ 125°C )
- 工业温度( -40 ° C至85°C )
-8
-10
XT
IT
4梅格×16
CON组fi guration
1梅格×16× 4银行
刷新计数
4K
行寻址
4K ( A0 -A11 )
银行地址
4 ( BA0 , BA1 )
列寻址
256 (A0-A7)
关键时序参数
速度
GRADE
-8
-10
-8
-10
时钟
存取时间
频率
CL = 2 ** CL = 3 **
125兆赫
6.5ns
100兆赫
7ns
83兆赫
9ns
66兆赫
9ns
格局
时间
2ns
3ns
2ns
3ns
HOLD
时间
1ns
1ns
1ns
1ns
*关中心的分型线
** CL = CAS ( READ )延迟
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
SDRAM
奥斯汀半导体公司
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ,动态随机
DOM存取存储器包含67,108,864位。这是内部
配置为四组的DRAM ,具有同步接口
面(所有信号记录在时钟的上升沿
信号CLK ) 。每一个X16的6777216位银行的组织结构
作为4096行× 256列16位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;
存取开始在一个选定的位置,并继续对一个亲
在编程顺序编程的地点数量。 AC-
正如事实开始激活命令的登记,
,然后接着是读或写命令。该
地址位注册与激活命令
用于选择银行和行访问( BA0 , BA1
选择银行; A0 -A11选择行) 。地址位
在读或写命令被注册重合
用来选择突发存取的起始列的位置。
在SDRAM提供了可编程的读或写
的1,2, 4或8的位置,或在整页的突发长度,以
突发终止选项。在自动预充电功能可
被使能,以提供一个自定时行预充电即initi-
ated在脉冲串序列的末端。
64MB的SDRAM采用内部流水线结构
以实现高速操作。此架构是相容
IBLE与预取结构的2n个规则,但它也可以
列地址可以在每个时钟周期变更为
实现了高速的,完全的随机访问。预充电1
银行在访问其他三家银行将隐藏的一个
预充电周期,并提供无缝,高速,随机
访问操作。
该64MB SDRAM的设计在3.3V操作,低
断电记忆系统。提供了一种自动刷新模式中,
随着节电,省电模式。所有的输入和
输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM经营取得重大进展
性能,包括能够同步突发数据
在高数据速率的自动列地址的产生,
为了隐藏内部银行之间交错的能力
预充电时间和能力来随意改变列
在一个脉冲串存取地址在每个时钟周期。
AS4SD4M16
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2
SDRAM
奥斯汀半导体公司
目录
功能框图 - 4梅格×16 ........................................ 4
引脚说明................................................ ............................. 5
功能说明
................................................................. 6
初始化................................................. ............................ 6
寄存器定义................................................ ................. 6
模式寄存器................................................ ................ 6
突发长度................................................ ................... 6
突发类型................................................ ....................... 7
CAS延迟................................................ ................... 8
操作模式................................................ ............. 8
写突发模式............................................... ........... 8
COMMANDS
....................................................................................... 9
事实表1 (命令和DQM操作)
...
...................... 9
命令禁止................................................ .................... 10
无操作( NOP ) ............................................. .................... 10
加载模式寄存器............................................... .............. 10
主动................................................. ...................................... 10
阅读................................................. ......................................... 10
写................................................. ........................................ 10
预充电................................................. ................................ 10
自动预充电................................................ ...................... 10
突发终止................................................ ...................... 11
自动刷新................................................ .......................... 11
自刷新................................................ ............................. 11
手术
..................................................................................... 12
银行/行激活.............................................. .............. 12
读................................................. ....................................... 13
写................................................. ...................................... 19
预充电................................................. .................................. 21
Power-Down...............................................................................21
时钟暂停................................................ ......................... 22
突发读/写单............................................. .............. 22
同时自动预充电............................................... .. 23
真值表2 ( CKE ) ............................................ .......................... 2
5
事实表3 (目前的状态,同一家银行) .........................
........ 26
事实表4 (目前的状态,不同的银行) ...........................
28
绝对最大额定值............................................... ......... 30
DC电气特性和操作条件......... 30
I
CC
规格和条件.............................................. 30
电容................................................. .................................... 31
AC电气特性
(计时表) ............................ 31
时序波形
初始化和加载模式寄存器..................................... 34
掉电模式.............................................. .................. 35
时钟挂起模式............................................... ............ 36
自动刷新模式............................................... ............... 37
自刷新模式............................................... .................. 38
读和写
读 - 如果没有自动预充电................................. 39
阅读 - 使用自动预充电....................................... 40
交行读访问.............................. 41
阅读 - 全页突发............................................ ............. 42
阅读 - DQM操作.............................................. .. 43
写到
写 - 如果没有自动预充电................................ 44
写 - 使用自动预充电...................................... 45
交行写访问.............................. 46
写 - 全页突发............................................ ..... 47
写 - DQM操作.............................................. 。 48
AS4SD4M16
AS4SD4M16
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3
SDRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
4梅格×16 SDRAM
AS4SD4M16
CKE
CLK
CS \\
WE \\
CAS \\
RAS \\
控制
逻辑
命令
解码
BANK1
BANK2 BANK3
模式寄存器
刷新
12
计数器
12
1
2
ROW
地址
MUX
12
12
BANK0
行向
地址
LATCH &
解码器
4096
BANK 0
内存
ARRAY
(4,096 X 256 X 16)
感测放大器
4096
2
2
DQML , DQMH
16
数据
产量
注册
16
DQ0-DQ15
2
A0,
A10,
BA
14
地址
注册
2
银行
控制
逻辑
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
256
(X16)
COLUMN
解码器
16
数据
输入
注册
8
柱分离
地址
计数器/
LATCH
8
AS4SD4M16
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4
SDRAM
奥斯汀半导体公司
引脚说明
TSOP
PIN号码
38
符号
CLK
TYPE
描述
AS4SD4M16
输入
时钟: CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
37
CKE
输入
时钟使能: CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。
停用时钟提供了预充电断电和自
刷新操作(所有银行闲置) , ACTIVE POWER- DOWN (行ACTIVE
在任一银行)或时钟停止作业正在进行中(突发/访问) 。
CKE是同步的,除了器件进入掉电后自我
刷新模式,其中CKE ,直到退出后变成异步
同样的模式。输入缓冲器,包括CLK ,是在断电禁用
和自刷新模式,提供低待机功耗。 CKE可以绑
高。
芯片选择: CS \\能(注册LOW )和禁用(注册HIGH )
命令解码器。当CS \\注册的所有命令都被屏蔽
HIGH 。 CS \\提供了与多个系统的外部组选择
银行。 CS \\被认为是命令代码的一部分。
命令输入: RAS \\ , CAS \\ ,和WE \\ (连同CS \\ )定义
所输入的命令。
输入/输出面膜: DQM是输入屏蔽信号的写访问和
输出使能信号,用于读访问。输入数据被屏蔽时, DQM是
在写周期采样为高。输出缓冲器被放置在一个
高阻态(双时钟延迟)时, DQM是一个读周期内采样为高电平
周期。 DQML对应DQ0 - DQ7 ; DQMH对应DQ8 - DQ15 。
DQML和DQMH被认为是相同的状态时,作为DQM引用。
银行地址输入: BA0和BA1定义到银行ACTIVE , READ ,
写或预充电命令被应用。
地址输入: A0 - A11的ACTIVE命令(行过程中采样
地址A0 - A11)和读/写命令(列地址A0 -A7 ,与
A10限定自动预充电)选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。预充电时A10采样
命令以确定是否所有银行都必须预充电( A10 HIGH)或银行
由BA0 , BA1 ( LOW )选择。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。
19
CS \\
输入
16, 17
18
15, 39
WE \\ CAS \\
RAS \\
DQML ,
DQMH
输入
输入
20, 21
23-26, 29-34,
22, 35
BA0 , BA1
A0-A11
输入
输入
2, 4, 5, 7, 8
10, 11, 13, 42
44, 45, 47, 48
50, 51, 53
36, 40
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
1, 14, 27
28, 41, 54
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
DQ0- DQ15
输入/
数据I / O :数据总线。
产量
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
供应
供应
供应
供应
无连接:这些引脚悬空。
DQ电源:提供隔离电源的DQ ,以提高抗噪声能力。
DQ地:提供隔离地面的DQ ,以提高抗噪声能力。
电源: + 3.3V ± 0.3V 。
地面上。
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5
SDRAM
奥斯汀半导体公司
4梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
扩展的测试在-55 ° C至+ 125 ° C和
工业级温度-40 ° C至85°C
写入恢复(
t
WR
/
t
DPL
)
t
WR
= 2 CLK
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8或整页
自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式(工业级, -40 ° C至85°C只)
4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
更长的引脚TSOP提高可靠性
( OCPL * )
短流程/长流测试筛选选项
AS4SD4M16
引脚分配
( TOP VIEW )
54引脚TSOP
选项
记号
4M16
901号
注意: “\\ ”表示低电平有效。
配置
4梅格×16 ( 1兆×16× 4组)
塑料包装 - OCPL *
54针TSOP ( 400万)
DG
时间(周期时间)
为8ns ;吨
AC
= 6.5ns @ CL = 3 (T
RP
- 24ns )
为10ns ;吨
AC
= 9ns @ CL = 2
工作温度范围
-Military ( -55 ° C至+ 125°C )
- 工业温度( -40 ° C至85°C )
-8
-10
XT
IT
4梅格×16
CON组fi guration
1梅格×16× 4银行
刷新计数
4K
行寻址
4K ( A0 -A11 )
银行地址
4 ( BA0 , BA1 )
列寻址
256 (A0-A7)
关键时序参数
速度
GRADE
-8
-10
-8
-10
时钟
存取时间
频率
CL = 2 ** CL = 3 **
125兆赫
6.5ns
100兆赫
7ns
83兆赫
9ns
66兆赫
9ns
格局
时间
2ns
3ns
2ns
3ns
HOLD
时间
1ns
1ns
1ns
1ns
*关中心的分型线
** CL = CAS ( READ )延迟
欲了解更多产品信息
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1
SDRAM
奥斯汀半导体公司
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ,动态随机
DOM存取存储器包含67,108,864位。这是内部
配置为四组的DRAM ,具有同步接口
面(所有信号记录在时钟的上升沿
信号CLK ) 。每一个X16的6777216位银行的组织结构
作为4096行× 256列16位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;
存取开始在一个选定的位置,并继续对一个亲
在编程顺序编程的地点数量。 AC-
正如事实开始激活命令的登记,
,然后接着是读或写命令。该
地址位注册与激活命令
用于选择银行和行访问( BA0 , BA1
选择银行; A0 -A11选择行) 。地址位
在读或写命令被注册重合
用来选择突发存取的起始列的位置。
在SDRAM提供了可编程的读或写
的1,2, 4或8的位置,或在整页的突发长度,以
突发终止选项。在自动预充电功能可
被使能,以提供一个自定时行预充电即initi-
ated在脉冲串序列的末端。
64MB的SDRAM采用内部流水线结构
以实现高速操作。此架构是相容
IBLE与预取结构的2n个规则,但它也可以
列地址可以在每个时钟周期变更为
实现了高速的,完全的随机访问。预充电1
银行在访问其他三家银行将隐藏的一个
预充电周期,并提供无缝,高速,随机
访问操作。
该64MB SDRAM的设计在3.3V操作,低
断电记忆系统。提供了一种自动刷新模式中,
随着节电,省电模式。所有的输入和
输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM经营取得重大进展
性能,包括能够同步突发数据
在高数据速率的自动列地址的产生,
为了隐藏内部银行之间交错的能力
预充电时间和能力来随意改变列
在一个脉冲串存取地址在每个时钟周期。
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SDRAM
奥斯汀半导体公司
目录
功能框图 - 4梅格×16 ........................................ 4
引脚说明................................................ ............................. 5
功能说明
................................................................. 6
初始化................................................. ............................ 6
寄存器定义................................................ ................. 6
模式寄存器................................................ ................ 6
突发长度................................................ ................... 6
突发类型................................................ ....................... 7
CAS延迟................................................ ................... 8
操作模式................................................ ............. 8
写突发模式............................................... ........... 8
COMMANDS
....................................................................................... 9
事实表1 (命令和DQM操作)
...
...................... 9
命令禁止................................................ .................... 10
无操作( NOP ) ............................................. .................... 10
加载模式寄存器............................................... .............. 10
主动................................................. ...................................... 10
阅读................................................. ......................................... 10
写................................................. ........................................ 10
预充电................................................. ................................ 10
自动预充电................................................ ...................... 10
突发终止................................................ ...................... 11
自动刷新................................................ .......................... 11
自刷新................................................ ............................. 11
手术
..................................................................................... 12
银行/行激活.............................................. .............. 12
读................................................. ....................................... 13
写................................................. ...................................... 19
预充电................................................. .................................. 21
Power-Down...............................................................................21
时钟暂停................................................ ......................... 22
突发读/写单............................................. .............. 22
同时自动预充电............................................... .. 23
真值表2 ( CKE ) ............................................ .......................... 2
5
事实表3 (目前的状态,同一家银行) .........................
........ 26
事实表4 (目前的状态,不同的银行) ...........................
28
绝对最大额定值............................................... ......... 30
DC电气特性和操作条件......... 30
I
CC
规格和条件.............................................. 30
电容................................................. .................................... 31
AC电气特性
(计时表) ............................ 31
时序波形
初始化和加载模式寄存器..................................... 34
掉电模式.............................................. .................. 35
时钟挂起模式............................................... ............ 36
自动刷新模式............................................... ............... 37
自刷新模式............................................... .................. 38
读和写
读 - 如果没有自动预充电................................. 39
阅读 - 使用自动预充电....................................... 40
交行读访问.............................. 41
阅读 - 全页突发............................................ ............. 42
阅读 - DQM操作.............................................. .. 43
写到
写 - 如果没有自动预充电................................ 44
写 - 使用自动预充电...................................... 45
交行写访问.............................. 46
写 - 全页突发............................................ ..... 47
写 - DQM操作.............................................. 。 48
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功能框图
4梅格×16 SDRAM
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CKE
CLK
CS \\
WE \\
CAS \\
RAS \\
控制
逻辑
命令
解码
BANK1
BANK2 BANK3
模式寄存器
刷新
12
计数器
12
1
2
ROW
地址
MUX
12
12
BANK0
行向
地址
LATCH &
解码器
4096
BANK 0
内存
ARRAY
(4,096 X 256 X 16)
感测放大器
2
2
DQML , DQMH
16
数据
产量
注册
16
2
A0,
A10,
BA
14
地址
注册
2
银行
控制
逻辑
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
256
(X16)
COLUMN
解码器
4096
DQ0-DQ15
16
数据
输入
注册
8
柱分离
地址
计数器/
LATCH
8
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4
SDRAM
奥斯汀半导体公司
引脚说明
TSOP
PIN号码
38
符号
CLK
TYPE
描述
AS4SD4M16
输入
时钟: CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
37
CKE
输入
时钟使能: CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。
停用时钟提供了预充电断电和自
刷新操作(所有银行闲置) , ACTIVE POWER- DOWN (行ACTIVE
在任一银行)或时钟停止作业正在进行中(突发/访问) 。
CKE是同步的,除了器件进入掉电后自我
刷新模式,其中CKE ,直到退出后变成异步
同样的模式。输入缓冲器,包括CLK ,是在断电禁用
和自刷新模式,提供低待机功耗。 CKE可以绑
高。
芯片选择: CS \\能(注册LOW )和禁用(注册HIGH )
命令解码器。当CS \\注册的所有命令都被屏蔽
HIGH 。 CS \\提供了与多个系统的外部组选择
银行。 CS \\被认为是命令代码的一部分。
命令输入: RAS \\ , CAS \\ ,和WE \\ (连同CS \\ )定义
所输入的命令。
输入/输出面膜: DQM是输入屏蔽信号的写访问和
输出使能信号,用于读访问。输入数据被屏蔽时, DQM是
在写周期采样为高。输出缓冲器被放置在一个
高阻态(双时钟延迟)时, DQM是一个读周期内采样为高电平
周期。 DQML对应DQ0 - DQ7 ; DQMH对应DQ8 - DQ15 。
DQML和DQMH被认为是相同的状态时,作为DQM引用。
银行地址输入: BA0和BA1定义到银行ACTIVE , READ ,
写或预充电命令被应用。
地址输入: A0 - A11的ACTIVE命令(行过程中采样
地址A0 - A11)和读/写命令(列地址A0 -A7 ,与
A10限定自动预充电)选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。预充电时A10采样
命令以确定是否所有银行都必须预充电( A10 HIGH)或银行
由BA0 , BA1 ( LOW )选择。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。
19
CS \\
输入
16, 17
18
15, 39
WE \\ CAS \\
RAS \\
DQML ,
DQMH
输入
输入
20, 21
23-26, 29-34,
22, 35
BA0 , BA1
A0-A11
输入
输入
2, 4, 5, 7, 8
10, 11, 13, 42
44, 45, 47, 48
50, 51, 53
36, 40
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
1, 14, 27
28, 41, 54
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2.1版6/05
DQ0- DQ15
输入/
数据I / O :数据总线。
产量
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
供应
供应
供应
供应
无连接:这些引脚悬空。
DQ电源:提供隔离电源的DQ ,以提高抗噪声能力。
DQ地:提供隔离地面的DQ ,以提高抗噪声能力。
电源: + 3.3V ± 0.3V 。
地面上。
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4梅格×16 SDRAM
同步DRAM内存
特点
扩展测试在-55 ° C至+ 125 ° C和
工业级温度-40 ° C至85°C
写恢复(
t
WR
/
t
DPL
)
t
WR
= 2 CLK
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8或整页
自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式(工业级, -40 ° C至85°C只)
4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
长引脚TSOP提高可靠性
( OCPL * )
流程短/长流测试筛选选项
AS4SD4M16
引脚分配
( TOP VIEW )
54引脚TSOP
选项
记号
4M16
901号
注意: “\\ ”表示低电平有效。
CON连接gurations
4梅格×16 ( 1兆×16× 4组)
塑料包装 - OCPL *
54针TSOP ( 400万)
DG
时间(周期时间)
为8ns ;吨
AC
= 6.5ns @ CL = 3 (T
RP
- 24ns )
为10ns ;吨
AC
= 9ns @ CL = 2
工作温度范围
-Military ( -55 ° C至+ 125°C )
- 工业温度( -40 ° C至85°C )
-8
-10
XT
IT
4梅格×16
CON组fi guration
1梅格×16× 4银行
刷新计数
4K
行寻址
4K ( A0 -A11 )
银行地址
4 ( BA0 , BA1 )
列寻址
256 (A0-A7)
关键时序参数
速度
GRADE
-8
-10
-8
-10
时钟
存取时间
频率
CL = 2 ** CL = 3 **
125兆赫
6.5ns
100兆赫
7ns
83兆赫
9ns
66兆赫
9ns
格局
时间
2ns
3ns
2ns
3ns
HOLD
时间
1ns
1ns
1ns
1ns
*关中心的分型线
** CL = CAS ( READ )延迟
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请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS4SD4M16
修订版1.5 10/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
SDRAM
奥斯汀半导体公司
概述
64MB的SDRAM是高速CMOS ,动态随机
DOM存取存储器包含67,108,864位。这是内部
配置为四组的DRAM ,具有同步接口
面(所有信号记录在时钟的上升沿
信号CLK ) 。每一个X16的6777216位银行的组织结构
作为4096行× 256列16位。
读取和写入访问到SDRAM是突发式;
存取开始在一个选定的位置,并继续对一个亲
在编程顺序编程的地点数量。 AC-
正如事实开始激活命令的登记,
,然后接着是读或写命令。该
地址位注册与激活命令
用于选择银行和行访问( BA0 , BA1
选择银行; A0 -A11选择行) 。地址位
在读或写命令被注册重合
用来选择突发存取的起始列的位置。
在SDRAM提供了可编程的读或写
的1,2, 4或8的位置,或在整页的突发长度,以
突发终止选项。在自动预充电功能可
被使能,以提供一个自定时行预充电即initi-
ated在脉冲串序列的末端。
64MB的SDRAM采用内部流水线结构
以实现高速操作。此架构是相容
IBLE与预取结构的2n个规则,但它也可以
列地址可以在每个时钟周期变更为
实现了高速的,完全的随机访问。预充电1
银行在访问其他三家银行将隐藏的一个
预充电周期,并提供无缝,高速,随机
访问操作。
该64MB SDRAM的设计在3.3V操作,低
断电记忆系统。提供了一种自动刷新模式中,
随着节电,省电模式。所有的输入和
输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM经营取得重大进展
性能,包括能够同步突发数据
在高数据速率的自动列地址的产生,
为了隐藏内部银行之间交错的能力
预充电时间和能力来随意改变列
在一个脉冲串存取地址在每个时钟周期。
AS4SD4M16
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SDRAM
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目录
功能框图 - 4梅格×16 ........................................ 4
引脚说明................................................ ............................. 5
功能说明
................................................................. 6
初始化................................................. ............................ 6
寄存器定义................................................ ................. 6
模式寄存器................................................ ................ 6
突发长度................................................ ................... 6
突发类型................................................ ....................... 7
CAS延迟................................................ ................... 8
操作模式................................................ ............. 8
写突发模式............................................... ........... 8
COMMANDS
....................................................................................... 9
事实表1 (命令和DQM操作)
...
...................... 9
命令禁止................................................ .................... 10
无操作( NOP ) ............................................. .................... 10
加载模式寄存器............................................... .............. 10
主动................................................. ...................................... 10
阅读................................................. ......................................... 10
写................................................. ........................................ 10
预充电................................................. ................................ 10
自动预充电................................................ ...................... 10
突发终止................................................ ...................... 11
自动刷新................................................ .......................... 11
自刷新................................................ ............................. 11
手术
..................................................................................... 12
银行/行激活.............................................. .............. 12
读................................................. ....................................... 13
写................................................. ...................................... 19
预充电................................................. .................................. 21
Power-Down...............................................................................21
时钟暂停................................................ ......................... 22
突发读/写单............................................. .............. 22
同时自动预充电............................................... .. 23
真值表2 ( CKE ) ............................................ .......................... 2
5
事实表3 (目前的状态,同一家银行) .........................
........ 26
事实表4 (目前的状态,不同的银行) ...........................
28
绝对最大额定值............................................... ......... 30
DC电气特性和操作条件......... 30
I
CC
规格和条件.............................................. 30
电容................................................. .................................... 31
AC电气特性
(计时表) ............................ 31
时序波形
初始化和加载模式寄存器..................................... 34
掉电模式.............................................. .................. 35
时钟挂起模式............................................... ............ 36
自动刷新模式............................................... ............... 37
自刷新模式............................................... .................. 38
读和写
读 - 如果没有自动预充电................................. 39
阅读 - 使用自动预充电....................................... 40
交行读访问.............................. 41
阅读 - 全页突发............................................ ............. 42
阅读 - DQM操作.............................................. .. 43
写到
写 - 如果没有自动预充电................................ 44
写 - 使用自动预充电...................................... 45
交行写访问.............................. 46
写 - 全页突发............................................ ..... 47
写 - DQM操作.............................................. 。 48
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SDRAM
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功能框图
4梅格×16 SDRAM
AS4SD4M16
CKE
CLK
CS \\
WE \\
CAS \\
RAS \\
控制
逻辑
命令
解码
BANK1
BANK2 BANK3
模式寄存器
刷新
12
计数器
12
1
2
ROW
地址
MUX
12
12
BANK0
行向
地址
LATCH &
解码器
4096
BANK 0
内存
ARRAY
(4,096 X 256 X 16)
感测放大器
4096
2
2
DQML , DQMH
16
数据
产量
注册
16
DQ0-DQ15
2
A0,
A10,
BA
14
地址
注册
2
银行
控制
逻辑
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
256
(X16)
COLUMN
解码器
16
数据
输入
注册
8
柱分离
地址
计数器/
LATCH
8
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SDRAM
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引脚说明
TSOP
PIN号码
38
符号
CLK
TYPE
描述
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输入
时钟: CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
37
CKE
输入
时钟使能: CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。
停用时钟提供了预充电断电和自
刷新操作(所有银行闲置) , ACTIVE POWER- DOWN (行ACTIVE
在任一银行)或时钟停止作业正在进行中(突发/访问) 。
CKE是同步的,除了器件进入掉电后自我
刷新模式,其中CKE ,直到退出后变成异步
同样的模式。输入缓冲器,包括CLK ,是在断电禁用
和自刷新模式,提供低待机功耗。 CKE可以绑
高。
芯片选择: CS \\能(注册LOW )和禁用(注册HIGH )
命令解码器。当CS \\注册的所有命令都被屏蔽
HIGH 。 CS \\提供了与多个系统的外部组选择
银行。 CS \\被认为是命令代码的一部分。
命令输入: RAS \\ , CAS \\ ,和WE \\ (连同CS \\ )定义
所输入的命令。
输入/输出面膜: DQM是输入屏蔽信号的写访问和
输出使能信号,用于读访问。输入数据被屏蔽时, DQM是
在写周期采样为高。输出缓冲器被放置在一个
高阻态(双时钟延迟)时, DQM是一个读周期内采样为高电平
周期。 DQML对应DQ0 - DQ7 ; DQMH对应DQ8 - DQ15 。
DQML和DQMH被认为是相同的状态时,作为DQM引用。
银行地址输入: BA0和BA1定义到银行ACTIVE , READ ,
写或预充电命令被应用。
地址输入: A0 - A11的ACTIVE命令(行过程中采样
地址A0 - A11)和读/写命令(列地址A0 -A7 ,与
A10限定自动预充电)选择一个位置从存储器中
阵列中的各行。预充电时A10采样
命令以确定是否所有银行都必须预充电( A10 HIGH)或银行
由BA0 , BA1 ( LOW )选择。地址输入还提供操作码
在一个加载模式寄存器命令。
19
CS \\
输入
16, 17
18
15, 39
WE \\ CAS \\
RAS \\
DQML ,
DQMH
输入
输入
20, 21
23-26, 29-34,
22, 35
BA0 , BA1
A0-A11
输入
输入
2, 4, 5, 7, 8
10, 11, 13, 42
44, 45, 47, 48
50, 51, 53
36, 40
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
1, 14, 27
28, 41, 54
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修订版1.5 10/01
DQ0- DQ15
输入/
数据I / O :数据总线。
产量
NC
VDDQ
VSSQ
VDD
VSS
供应
供应
供应
供应
无连接:这些引脚悬空。
DQ电源:提供隔离电源的DQ ,以提高抗噪声能力。
DQ地:提供隔离地面的DQ ,以提高抗噪声能力。
电源: + 3.3V ± 0.3V 。
地面上。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AS4SD4M16
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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