数据表
29319.100g
3940
全桥式功率MOSFET控制器
- 针对汽车应用
1
2
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1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
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15
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
该A3940KLP和A3940KLW是特别设计
汽车应用需要高功率电机。每个提供
四个高电流栅极驱动输出驱动广泛的能力
n沟道功率MOSFET的全桥配置。
自举电容器被用来提供上述电池
所需的n沟道FET的电源电压。内部电荷泵
的为高端允许直流( 100 %占空比)操作
桥梁。
保护功能包括欠压/过压供电,热
关机,电机引线短路至电池短路接地故障
通知和一个可编程死区时间调整为横
导预防。
该
过电压跳闸点是用户可调。
该A3940是两种功率封装可供选择,一个28-
引脚TSSOP封装,带有裸焊盘的热(后缀LP )和28引脚
宽体SOIC (后缀LW ) 。
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
A3940KLP
( TSSOP封装,带有裸
导热垫)
A3940KLW
( SOIC )
约。 2X实际尺寸。
绝对最大额定值
负载电源电压范围, VBB ,
VDRAIN , CP1 ..........
-0.6 V至40 V
输出电压范围,
LSS ..............................
-2 V至6.5 V
GHA / GHB ,V
GHX
........
-2 V至+55 V
SA / SB ,V
SX
..................
-2 V至+45 V
GLA / GLB ,V
GLX
..........
-2 V至+16 V
CA / CB ,V
CX
..............
-0.6 V至+55 V
CP2 , VCP , VIN ..........
-0.6 V至+52 V
逻辑输入/输出电压范围
V
IN
, V
OUT
...................
0.3 V至6.5 V
工作温度范围,
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温,T
J
.........
+150°C*
存储温度范围,
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的,但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET
!
电荷泵提升,在低电池电压输入条件下的栅极驱动
!
电荷泵为100%占空比的自举栅极驱动器
!
同步整流
!
故障诊断输出
!
可调节死区时间的交叉传导保护
!
电动机引线短路至电池短路到地的保护
!
欠压/过电压保护
!
-40 ° C至+ 150 ° C,T
J
手术
!
热关断
通过完整的部件号总是订货,例如,
A3940KLP
.
3940
全桥电源
MOSFET控制器
功能框图
为终端分配和描述,请参见网页7和8 。
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
2
3940
全桥电源
MOSFET控制器
A3940KLP
( TSSOP )
A3940KLW
( SOIC )
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测得的典型双面印刷电路板。
这里介绍的产品是一个或多个下制造
美国专利和美国专利正在申请中。
Allegro MicroSystems公司保留作出正确的,从时间到
时间的推移,可能需要从细节规范的偏离
以允许改进的性能,可靠性,或
制造它的产品。前下订单,用户
警告验证信息被依靠的是最新的。
Allegro产品不授权使用的关键部件
未经明确的书面批准生命支持设备或系统。
此处包含的信息被认为是准确和
可靠的。然而, Allegro MicroSystems公司不承担任何responsi-
相容性供其使用;也不对任何专利或其他权利的
第三方可能导致其使用。
www.allegromicro.com
3
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
电源
V
BB
静态电流
I
BB
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 0
空载
I
REG5
= 4.0毫安
I
REG5
= 0 - 6.4毫安, V
BB
= 40 V
V
BB
= 40 V, V
REG5
= 0
V
BB
= 14 - 40 V,I
CP
= 15毫安
V
BB
= 7 V,I
CP
= 15毫安
SR = 1 , MODE = 0 ,使能PWM =
I
CP
= 15毫安, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 7 V
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V ,海岸,停止
V
IN
= 15 V ,无负载
I
REG13
= 15毫安, V
IN
= 11 V - 14 V
V
IN
= 15 V - 40 V,I
REG13
= 15毫安
V
IN
= 40 V,I
REG13
= 0 - 15毫安
V
IN
= 40 V, V
REG13
= 0(脉冲)
RESET = 0 V
REG5
= 4 V
RESET = 1到V
REG13
,紫外线清除
–
–
–
–
–
–
–
4.5
–
–
–
11.7
15
–
–
–
–
12.6
–
–
–
–
10
–
4.8
4.3
5.0
4.8
35.4
35.1
–
5.0
5.0
5.0
28
13
–
500
2.5
3.5
1.4
13.3
0.7
2.0
2.0
60
30
1.4
7.0
7.0
7.0
7.0
40.0
40.0
1.0
5.5
–
–
–
13.8
–
–
–
–
–
14.0
–
–
–
–
–
–
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mV
mV
mA
V
V
mA
mV
ms
ms
mA
V
V
mV
mV
mA
s
ms
VREG5输出电压
VREG5线路调整
VREG5负载调节
VREG5短路电流
VCP输出电压电平
VCP栅极驱动器
VCP输出电压纹波
VCP打气时间
VREG13静态输入电流
VREG13输出电压
VREG13电压差
VREG13线路调整
VREG13负载调节
VREG13短路电流
进入到睡眠响应时间
唤醒响应时间
V
REG5
V
REG5
V
REG5
I
REG5M
V
CP
I
CP
V
CP (PP)的
t
up
I
REG13
V
REG13
V
REGDV
V
REG13
V
REG13
I
REG13M
t
睡觉
t
WAKE
V
BB
+9.5 V
BB
+10.7 V
BB
+11.8
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
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4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
IN(0)
V
DSL (H)的
I
xU
r
SDU(上)
t
r
V
DSL (L)的
I
xL
r
DSL (上)
t
f
t
pd
t
SK ( O)
t
DEAD
输入高电平(逻辑1 ) ,除了RESET 。
输入高电平(逻辑1) RESET
低电平输入(逻辑0 )
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V,除了RESET ( 0 )
V
IN
= 0.8 V, RESET ( 0 )
GHX :我
xU
= -10毫安,V
sx
= 0
在GLx :我
xU
= -10毫安,V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 25°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
, 20 %80% ,C
L
= 3300 pF的
GHX :我
xL
= 10 mA时, V
sx
= 0
在GLx :我
xL
= 10 mA时, V
LSS
= 0
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 25°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
中,80 %至20% ,C
L
= 3300 pF的
逻辑输入来卸载GHX ,在GLx
由上升沿或下降沿进行分组
长= 0时,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 0时,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
长= 1,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 1,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
2.0
2.2
–
–
–
–
–
–
–
40
16
–
–
–
0.8
100
40
1.0
V
REG13
V
REG13
–
–
13
23
–
150
150
–
–
6.0
7.5
–
225
50
–
11.0
–
345
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
mA
mA
ns
mV
mV
mA
mA
ns
ns
ns
s
s
s
s
逻辑输入电流
门极驱动, GHX ,在GLx (内源或上层交换机级)
输出高电压
源电流(脉冲)
源导通电阻
源负载上升时间
输出低电压
灌电流(脉冲)
沉导通电阻
沉负载下降时间
门极驱动, GHX ,在GLx (一般)
传播延迟
输出偏移时间
死区时间
(直通预防)
GHX之间, GLX转换
同相的
–
–
0.3
–
8.3
–
–
–
–
–
–
–
V
REG13
- 2.2 –
V
REG13
- 0.2 –
–
700
400
–
4.0
–
7.0
–
–
90
–
–
–
550
1.8
3.0
–
–
–
800
–
–
–
70
门极驱动, GHX ,在GLx (内部SINK或更低开关级)
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL (H)的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL (H)的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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数据表
29319.100g
3940
全桥式功率MOSFET控制器
- 针对汽车应用
1
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15
该A3940KLP和A3940KLW是特别设计
汽车应用需要高功率电机。每个提供
四个高电流栅极驱动输出驱动广泛的能力
n沟道功率MOSFET的全桥配置。
自举电容器被用来提供上述电池
所需的n沟道FET的电源电压。内部电荷泵
的为高端允许直流( 100 %占空比)操作
桥梁。
保护功能包括欠压/过压供电,热
关机,电机引线短路至电池短路接地故障
通知和一个可编程死区时间调整为横
导预防。
该
过电压跳闸点是用户可调。
该A3940是两种功率封装可供选择,一个28-
引脚TSSOP封装,带有裸焊盘的热(后缀LP )和28引脚
宽体SOIC (后缀LW ) 。
4
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7
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14
A3940KLP
( TSSOP封装,带有裸
导热垫)
A3940KLW
( SOIC )
约。 2X实际尺寸。
绝对最大额定值
负载电源电压范围, VBB ,
VDRAIN , CP1 ..........
-0.6 V至40 V
输出电压范围,
LSS ..............................
-2 V至6.5 V
GHA / GHB ,V
GHX
........
-2 V至+55 V
SA / SB ,V
SX
..................
-2 V至+45 V
GLA / GLB ,V
GLX
..........
-2 V至+16 V
CA / CB ,V
CX
..............
-0.6 V至+55 V
CP2 , VCP , VIN ..........
-0.6 V至+52 V
逻辑输入/输出电压范围
V
IN
, V
OUT
...................
0.3 V至6.5 V
工作温度范围,
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温,T
J
.........
+150°C*
存储温度范围,
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的,但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET
!
电荷泵提升,在低电池电压输入条件下的栅极驱动
!
电荷泵为100%占空比的自举栅极驱动器
!
同步整流
!
故障诊断输出
!
可调节死区时间的交叉传导保护
!
电动机引线短路至电池短路到地的保护
!
欠压/过电压保护
!
-40 ° C至+ 150 ° C,T
J
手术
!
热关断
通过完整的部件号总是订货,例如,
A3940KLP
.
3940
全桥电源
MOSFET控制器
功能框图
为终端分配和描述,请参见网页7和8 。
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
2
3940
全桥电源
MOSFET控制器
A3940KLP
( TSSOP )
A3940KLW
( SOIC )
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测得的典型双面印刷电路板。
这里介绍的产品是一个或多个下制造
美国专利和美国专利正在申请中。
Allegro MicroSystems公司保留作出正确的,从时间到
时间的推移,可能需要从细节规范的偏离
以允许改进的性能,可靠性,或
制造它的产品。前下订单,用户
警告验证信息被依靠的是最新的。
Allegro产品不授权使用的关键部件
未经明确的书面批准生命支持设备或系统。
此处包含的信息被认为是准确和
可靠的。然而, Allegro MicroSystems公司不承担任何responsi-
相容性供其使用;也不对任何专利或其他权利的
第三方可能导致其使用。
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3
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
电源
V
BB
静态电流
I
BB
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 0
空载
I
REG5
= 4.0毫安
I
REG5
= 0 - 6.4毫安, V
BB
= 40 V
V
BB
= 40 V, V
REG5
= 0
V
BB
= 14 - 40 V,I
CP
= 15毫安
V
BB
= 7 V,I
CP
= 15毫安
SR = 1 , MODE = 0 ,使能PWM =
I
CP
= 15毫安, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 7 V
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V ,海岸,停止
V
IN
= 15 V ,无负载
I
REG13
= 15毫安, V
IN
= 11 V - 14 V
V
IN
= 15 V - 40 V,I
REG13
= 15毫安
V
IN
= 40 V,I
REG13
= 0 - 15毫安
V
IN
= 40 V, V
REG13
= 0(脉冲)
RESET = 0 V
REG5
= 4 V
RESET = 1到V
REG13
,紫外线清除
–
–
–
–
–
–
–
4.5
–
–
–
11.7
15
–
–
–
–
12.6
–
–
–
–
10
–
4.8
4.3
5.0
4.8
35.4
35.1
–
5.0
5.0
5.0
28
13
–
500
2.5
3.5
1.4
13.3
0.7
2.0
2.0
60
30
1.4
7.0
7.0
7.0
7.0
40.0
40.0
1.0
5.5
–
–
–
13.8
–
–
–
–
–
14.0
–
–
–
–
–
–
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mV
mV
mA
V
V
mA
mV
ms
ms
mA
V
V
mV
mV
mA
s
ms
VREG5输出电压
VREG5线路调整
VREG5负载调节
VREG5短路电流
VCP输出电压电平
VCP栅极驱动器
VCP输出电压纹波
VCP打气时间
VREG13静态输入电流
VREG13输出电压
VREG13电压差
VREG13线路调整
VREG13负载调节
VREG13短路电流
进入到睡眠响应时间
唤醒响应时间
V
REG5
V
REG5
V
REG5
I
REG5M
V
CP
I
CP
V
CP (PP)的
t
up
I
REG13
V
REG13
V
REGDV
V
REG13
V
REG13
I
REG13M
t
睡觉
t
WAKE
V
BB
+9.5 V
BB
+10.7 V
BB
+11.8
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
续下页...
4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
IN(0)
V
DSL (H)的
I
xU
r
SDU(上)
t
r
V
DSL (L)的
I
xL
r
DSL (上)
t
f
t
pd
t
SK ( O)
t
DEAD
输入高电平(逻辑1 ) ,除了RESET 。
输入高电平(逻辑1) RESET
低电平输入(逻辑0 )
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V,除了RESET ( 0 )
V
IN
= 0.8 V, RESET ( 0 )
GHX :我
xU
= -10毫安,V
sx
= 0
在GLx :我
xU
= -10毫安,V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 25°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
, 20 %80% ,C
L
= 3300 pF的
GHX :我
xL
= 10 mA时, V
sx
= 0
在GLx :我
xL
= 10 mA时, V
LSS
= 0
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 25°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
中,80 %至20% ,C
L
= 3300 pF的
逻辑输入来卸载GHX ,在GLx
由上升沿或下降沿进行分组
长= 0时,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 0时,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
长= 1,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 1,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
2.0
2.2
–
–
–
–
–
–
–
40
16
–
–
–
0.8
100
40
1.0
V
REG13
V
REG13
–
–
13
23
–
150
150
–
–
6.0
7.5
–
225
50
–
11.0
–
345
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
mA
mA
ns
mV
mV
mA
mA
ns
ns
ns
s
s
s
s
逻辑输入电流
门极驱动, GHX ,在GLx (内源或上层交换机级)
输出高电压
源电流(脉冲)
源导通电阻
源负载上升时间
输出低电压
灌电流(脉冲)
沉导通电阻
沉负载下降时间
门极驱动, GHX ,在GLx (一般)
传播延迟
输出偏移时间
死区时间
(直通预防)
GHX之间, GLX转换
同相的
–
–
0.3
–
8.3
–
–
–
–
–
–
–
V
REG13
- 2.2 –
V
REG13
- 0.2 –
–
700
400
–
4.0
–
7.0
–
–
90
–
–
–
550
1.8
3.0
–
–
–
800
–
–
–
70
门极驱动, GHX ,在GLx (内部SINK或更低开关级)
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL (H)的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL (H)的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
续下页...
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5
3940
全桥式功率MOSFET控制器
- 针对汽车应用
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
该A3940KLP和A3940KLW是特别设计
汽车应用需要高功率电机。每个提供
四个高电流栅极驱动输出驱动广泛的能力
n沟道功率MOSFET的全桥配置。
自举电容器被用来提供上述电池
所需的n沟道FET的电源电压。内部电荷泵
的为高端允许直流( 100 %占空比)操作
桥梁。
保护功能包括欠压/过压供电,热
关机,电机引线短路至电池短路接地故障
通知和一个可编程死区时间调整为横
导预防。
该
过电压跳闸点是用户可调。
该A3940是两种功率封装可供选择,采用28引脚提供
TSSOP与暴露热焊盘(封装类型LP )和28引脚
宽体SOIC (封装类型LW ) 。这两种封装类型可供选择
铅(以Pb计)的免费版本,采用100%雾锡电镀引脚框
(后缀-T ) 。
数据表
29319.100i
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
A3940KLP
( TSSOP封装,带有裸
导热垫)
A3940KLW
( SOIC )
约。 2X实际尺寸。
绝对最大额定值
负载电源电压范围, VBB ,
VDRAIN , CP1 ..........
-0.6 V至40 V
输出电压范围,
LSS ..............................
-2 V至6.5 V
GHA / GHB ,V
GHX
........
-2 V至+55 V
SA / SB ,V
SX
..................
-2 V至+45 V
GLA / GLB ,V
GLX
..........
-2 V至+16 V
CA / CB ,V
CX
..............
-0.6 V至+55 V
CP2 , VCP , VIN ..........
-0.6 V至+52 V
逻辑输入/输出电压范围
V
IN
, V
OUT
...................
0.3 V至6.5 V
工作温度范围,
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温,T
J
.........
+150°C*
存储温度范围,
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的,但应避免使用。
特点
驱动宽范围的N沟道MOSFET
电荷泵提升,在低电池电压输入条件下的栅极驱动
电荷泵为100%占空比的自举栅极驱动器
同步整流
故障诊断输出
可调节死区时间的交叉传导保护
电动机引线短路至电池短路到地的保护
欠压/过电压保护
-40 ° C至+ 150 ° C,T
J
手术
热关断
总是为了通过完整的零件编号
产品型号
A3940KLP-T
A3940KLP
A3940KLW-T
A3940KLW
无铅
是的
–
是的
–
包
28引脚TSSOP
28引脚TSSOP
28引脚SOICW
28引脚SOICW
3940
全桥电源
MOSFET控制器
功能框图
为终端分配和描述,请参见网页7和8 。
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
2
3940
全桥电源
MOSFET控制器
A3940KLP
( TSSOP )
A3940KLW
( SOIC )
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测得的典型双面印刷电路板。
这里介绍的产品是一个或多个下制造
美国专利和美国专利正在申请中。
Allegro MicroSystems公司保留作出正确的,从时间到
时间的推移,可能需要从细节规范的偏离
以允许改进的性能,可靠性,或
制造它的产品。前下订单,用户
警告验证信息被依靠的是最新的。
Allegro产品不授权使用的关键部件
未经明确的书面批准生命支持设备或系统。
此处包含的信息被认为是准确和
可靠的。然而, Allegro MicroSystems公司不承担任何responsi-
相容性供其使用;也不对任何专利或其他权利的
第三方可能导致其使用。
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3
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
电源
V
BB
静态电流
I
BB
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,
海岸,停了下来, CP已禁用,我
DEAD
= 170 A
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 0毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 15 V, V
IN
≠
V
CP
,海岸,
停下来,我
DEAD
= 170 μA ,我
CP
= 15毫安
RESET = 0
空载
I
REG5
= 4.0毫安
I
REG5
= 0 - 6.4毫安, V
BB
= 40 V
V
BB
= 40 V, V
REG5
= 0
V
BB
= 14 - 40 V,I
CP
= 15毫安
V
BB
= 7 V,I
CP
= 15毫安
SR = 1 , MODE = 0 ,使能PWM =
I
CP
= 15毫安, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 14 V - 40 V
V
IN
= V
CP
, V
BB
= 7 V
RESET = 1 ,V
BB
= V
IN
= 40 V ,海岸,停止
V
IN
= 15 V ,无负载
I
REG13
= 15毫安, V
IN
= 11 V - 14 V
V
IN
= 15 V - 40 V,I
REG13
= 15毫安
V
IN
= 40 V,I
REG13
= 0 - 15毫安
V
IN
= 40 V, V
REG13
= 0(脉冲)
RESET = 0 V
REG5
= 4 V
RESET = 1到V
REG13
,紫外线清除
–
–
–
–
–
–
–
4.5
–
–
–
11.7
15
–
–
–
–
12.6
–
–
–
–
10
–
4.8
4.3
5.0
4.8
35.4
35.1
–
5.0
5.0
5.0
28
13
–
500
2.5
3.5
1.4
13.3
0.7
2.0
2.0
60
30
1.4
7.0
7.0
7.0
7.0
40.0
40.0
1.0
5.5
–
–
–
13.8
–
–
–
–
–
14.0
–
–
–
–
–
–
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mV
mV
mA
V
V
mA
mV
ms
ms
mA
V
V
mV
mV
mA
s
ms
VREG5输出电压
VREG5线路调整
VREG5负载调节
VREG5短路电流
VCP输出电压电平
VCP栅极驱动器
VCP输出电压纹波
VCP打气时间
VREG13静态输入电流
VREG13输出电压
VREG13电压差
VREG13线路调整
VREG13负载调节
VREG13短路电流
进入到睡眠响应时间
唤醒响应时间
V
REG5
V
REG5
V
REG5
I
REG5M
V
CP
I
CP
V
CP (PP)的
t
up
I
REG13
V
REG13
V
REGDV
V
REG13
V
REG13
I
REG13M
t
睡觉
t
WAKE
V
BB
+9.5 V
BB
+10.7 V
BB
+11.8
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
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4
115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
3940
全桥电源
MOSFET控制器
V
IN
≤
V
BB
= 7 V至40 V ,C
p
= 0.47 μF ,C
r
= 1 μF ,C
REG5
= 0.1 μF ,C
REG13
= 10 μF ,C
BOOT
= 0.1 μF , PWM = 22.5千赫
方波。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
IN(0)
V
DSL (H)的
I
xU
r
SDU(上)
t
r
V
DSL (L)的
I
xL
r
DSL (上)
t
f
t
pd
t
SK ( O)
t
DEAD
输入高电平(逻辑1 ) ,除了RESET 。
输入高电平(逻辑1) RESET
低电平输入(逻辑0 )
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V,除了RESET ( 0 )
V
IN
= 0.8 V, RESET ( 0 )
GHX :我
xU
= -10毫安,V
sx
= 0
在GLx :我
xU
= -10毫安,V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
SDU
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 25°C
I
xU
= -150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
, 20 %80% ,C
L
= 3300 pF的
GHX :我
xL
= 10 mA时, V
sx
= 0
在GLx :我
xL
= 10 mA时, V
LSS
= 0
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 25°C
V
DSL
= 10 V ,T
J
= 135°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 25°C
I
xL
= 150毫安,T
J
= 135°C
测量V
DSL
中,80 %至20% ,C
L
= 3300 pF的
逻辑输入来卸载GHX ,在GLx
由上升沿或下降沿进行分组
长= 0时,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 0时,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
长= 1,R
DEAD
= 12.1 kΩ的(我
DEAD
= 167 A)
长= 1,R
DEAD
= 499 kΩ的(我
DEAD
= 4 A)
2.0
2.2
–
–
–
–
–
–
–
40
16
–
–
–
0.8
100
40
1.0
V
REG13
V
REG13
–
–
13
23
–
150
150
–
–
6.0
7.5
–
225
50
–
11.0
–
345
符号
条件
民
范围
典型值
最大
电气特性:
除非另有说明,在T
A
= -40 ° C至+ 135 ° C,T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C,
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
mA
mA
ns
mV
mV
mA
mA
ns
ns
ns
s
s
s
s
逻辑输入电流
门极驱动, GHX ,在GLx (内源或上层交换机级)
输出高电压
源电流(脉冲)
源导通电阻
源负载上升时间
输出低电压
灌电流(脉冲)
沉导通电阻
沉负载下降时间
门极驱动, GHX ,在GLx (一般)
传播延迟
输出偏移时间
死区时间
(直通预防)
GHX之间, GLX转换
同相的
–
–
0.3
–
8.3
–
–
–
–
–
–
–
V
REG13
- 2.2 –
V
REG13
- 0.2 –
–
700
400
–
4.0
–
7.0
–
–
90
–
–
–
550
1.8
3.0
–
–
–
800
–
–
–
70
门极驱动, GHX ,在GLx (内部SINK或更低开关级)
注:典型的数据仅用于设计信息。
负电流去连接定义为走出(采购)的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL (H)的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL (H)的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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