2001年3月
AS4LC4M4E0
AS4LC4M4E1
4Mx4 CMOS DRAM （ EDO ）家庭
特点
组织： 4,194,304字× 4位
高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 500毫瓦最大
- 待机： 3.6毫瓦最大， CMOS I / O
扩展数据输出
刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔AS4LC4M4E0
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔AS4LC4M4E1
- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 300万， 26分之24针SOJ
3V电源
工业和商业温度可
引脚名称
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
TSOP
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
AS4LC4M4E0
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
A9
A8
A7
A6
A5
A4
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
AS4LC4M4E0
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
V
CC
A3
V
CC
GND
GND
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
AS4LC4M4E0 / E1-50 AS4LC4M4E0 / E1-60单位
50
25
12
13
80
25
120
1.0
60
30
15
15
100
30
110
1.0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
15 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4LC4M4E0
AS4LC4M4E1
功能说明
该AS4LC4M4E0和AS4LC4M4E1是CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）举办的高性能16兆
4194304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术，并导致较高的创新设计制造技术
速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列优化
使用如在个人计算机，工作站，路由器和交换机应用主存储器。
这些产品的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
之前CAS断言列地址。
扩展数据输出（ EDO ）阅读模式使60MHz的操作使用60ns的设备。而相比之下， “快速页面方式的设备中，数据保持有效
上后CAS撤除高输出，使系统逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出阻抗和
防止在总线争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出还要高阻抗的最后occurrance
RAS和CAS变高。
刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
该AS4LC4M4E0和AS4LC4M4E1可在标准26分之24引脚塑料SOJ和第24/ 26引脚塑料TSOP封装。该
AS4LC4M4E0和AS4LC4M4E1与操作的3V ± 0.3V单电源供电。所有提供TTL兼容的输入和输出。
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
15 P. 2
AS4LC4M4E0
AS4LC4M4E1
对于4K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
OE
地址缓冲器
行解码器
4096 × 1024 × 4
ARRAY
(16,777,216)
为2K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
OE
地址缓冲器
行解码器
2048 × 2048 × 4
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
广告
产业
T
A
民
3.0
0.0
2.0
–0.5
0
-40
公称
3.3
0.0
–
–
–
–
最大
3.6
0.0
V
CC
+0.5V
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压（ DQS）
电源电压
存储温度（塑料）
焊接温度·时间
4/11/01; V.1.1
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
民
-1.0
-1.0
-1.0
-55
–
最大
4.6
4.6
4.6
+150
260 × 10
单位
V
V
V
°C
o
秒
半导体联盟
15第3页
QQ：2881677436 复制
