【AS4C4M4F0AS4C4M4F15V 4M × 4 CMOS DRAM（快页模式）特点组织： 4】,IC型号AS4C4M4F0-50TC,AS4C4M4F0-50TC PDF资料,AS4C4M4F0-50TC经销商,ic,电子元器件-51电子网

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

5V 4M × 4 CMOS DRAM（快页模式）

特点

组织： 4,194,304字× 4位

高速

- 50/60 ns的RAS访问时间

- 25/30 ns的列地址访问时间

- 12/15 NS CAS访问时间

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

闩锁电流

≥

200毫安

ESD保护

≥

2000毫伏

工业和商业温度可

- 300万， 26分之24针SOJ

- 300万， 26分之24针TSOP

低功耗

- 活动： 908毫瓦最大

- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O

快速页模式

刷新

- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔

AS4C4M4F0

- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔

AS4C4M4F1

- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新

管脚配置

SOJ

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

*NC/A11

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

*NC/A11

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

引脚名称

TSOP

26

25

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

PIN码（ S）

A0到A11

RAS

CAS

WE

I / O0至I / O 3

OE

V

CC

GND

描述

地址输入

行地址选通

列地址选通

写使能

输入/输出

OUTPUT ENABLE

动力

地

AS4C4M4F0

* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本

选购指南

符号

最大的RAS访问时间

最大列地址访问时间

最大CAS访问时间

最大输出使能（ OE ）访问时间

最小的读或写周期时间

最小快速页模式周期时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

4/11/01; v.0.9

AS4C4M4F0

AS4C4M4F0-50

AS4C4M4F1-50

50

25

12

13

85

25

135

1.0

AS4C4M4F0-60

AS4C4M4F1-60

60

30

15

100

30

120

1.0

单位

ns

mA

18 P. 1

t

RAC

t

CAA

t

CAC

t

OEA

t

RC

t

PC

I

CC1

I

CC5

半导体联盟

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

功能说明

该AS4C4M4F0和AS4C4M4F1是高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）组织成设备

4194304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术，并导致较高的创新设计制造技术

速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列优化

使用如在个人计算机，工作站，路由器和交换机应用主存储器。

这些设备的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作

非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器

RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的

之前CAS断言列地址。

刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：

RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。

隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用

前面的有效数据。

CAS先于RAS的刷新（ CBR ）： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。

输出高阻抗（ OE和WE都不在乎）。

正常读取或写入周期刷新被访问的行。

自刷新周期

刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：

RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。

隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用

前面的有效数据。

CAS先于RAS的刷新（ CBR ）： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。

输出高阻抗（ OE和WE都不在乎）。

正常读取或写入周期刷新被访问的行。

自刷新周期

该AS4C4M4F0和AS4C4M4F1可在标准26分之24引脚塑料SOJ和第24/ 26引脚塑料TSOP封装。该

AS4C4M4F0和AS4C4M4F1操作与5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。

对于4K刷新逻辑框图。

V

CC

GND

刷新

调节器

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

缓冲器

I / O0至I / O 3

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

WE

WE时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

OE

地址缓冲器

行解码器

4096 × 1024 × 4

ARRAY

(16,777,216)

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18 P. 2

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

为2K刷新逻辑框图。

V

CC

GND

刷新

调节器

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

缓冲器

I / O0至I / O 3

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

WE

WE时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

OE

地址缓冲器

行解码器

2048 × 2048 × 4

ARRAY

(16,777,216)

衬底偏压

发电机

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作环境温度

V

IL

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

产业

T

A

民

4.5

0.0

2.4

–0.5

0

-40

公称

5.0

0.0

–

最大

5.5

0.0

V

CC

0.8

70

85

单位

V

°C

分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18第3页

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

绝对最大额定值

参数

输入电压

输入电压（ DQS）

电源电压

存储温度（塑料）

焊接温度·时间

功耗

短路输出电流

符号

V

in

V

DQ

V

CC

T

英镑

T

SOLDER

P

D

I

OUT

民

-1.0

-55

–

最大

+7.0

V

CC

+ 0.5

+7.0

+150

260 × 10

1

50

单位

V

°C

o

秒

W

mA

DC电气特性

-50

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

平均供电

目前， RAS刷新

模式或CBR

快页模式平均

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

输出电压

CAS前RAS刷新

当前

符号

I

IL

I

OL

I

CC1

I

CC2

I

CC3

I

CC4

I

CC5

V

OH

V

OL

I

CC6

测试条件

0V

≤

V

in

≤

+5.5V,

被测= 0V引脚不

D

OUT

残疾人， 0V

≤

V

OUT

≤

+5.5V

RAS ， CAS地址骑自行车;吨

RC

=分钟

RAS CAS =

≥

V

IH

RAS骑自行车， CAS

≥

V

IH

,

t

RC

= RAS后XCAS低低分钟。

RAS = V

IL

中国科学院，

针对循环：吨

HPC

=分钟

RAS CAS = = V

CC

- 0.2V

I

OUT

= -5.0毫安

I

OUT

= 4.2毫安

RAS ， CAS骑自行车，T

RC

=分钟

RAS = = UCAS LCAS

≤

0.2V,

WE = OE

≥

V

CC

- 0.2V,

所有其他输入在0.2V或

V

CC

- 0.2V

民

-5

–

最大

+5

135

2.0

民

-5

–

-60

最大

+5

120

2.0

单位

A

mA

1,2

笔记

–

120

–

110

mA

1

–

2.4

–

130

1.0

–

0.4

120

–

2.4

–

120

1.0

–

0.4

110

mA

V

mA

1, 2

自刷新电流

I

CC7

–

0.6

–

0.6

mA

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18第4页

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

通用于所有波形AC参数

-50

符号

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

T

t

REF

t

CP

t

拉尔

t

ASC

t

CAH

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

CAS到RAS保持时间

RAS到CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

转换时间（上升和下降）

刷新周期

CAS预充电时间

列地址到RAS交货时间

列地址设置时间

列地址保持时间

民

80

30

50

8

15

12

10

40

5

0

8

1

–

8

25

0

8

最大

–

10K

35

25

–

50

64

–

民

100

40

60

10

15

12

10

50

5

0

10

1

–

10

30

0

10

-60

最大

–

10K

43

30

–

50

64

–

单位

ns

ms

ns

4,5

3

6

7

笔记

读周期

-50

符号

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

RCS

t

RCH

t

RRH

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

民

–

0

最大

50

12

25

–

民

–

0

-60

最大

60

15

30

–

单位

ns

9

笔记

6

6,13

7,13

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18第5页

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

5V 4M × 4 CMOS DRAM（快页模式）

特点

组织： 4,194,304字× 4位

高速

- 50/60 ns的RAS访问时间

- 25/30 ns的列地址访问时间

- 12/15 NS CAS访问时间

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

闩锁电流

≥

200毫安

ESD保护

≥

2000毫伏

工业和商业温度可

- 300万， 26分之24针SOJ

- 300万， 26分之24针TSOP

低功耗

- 活动： 908毫瓦最大

- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O

快速页模式

刷新

- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔

AS4C4M4F0

- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔

AS4C4M4F1

- RAS-只或CAS先于RAS的刷新或自刷新

管脚配置

SOJ

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

*NC/A11

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

26

25

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

V

CC

I/O0

I/O1

WE

RAS

*NC/A11

A10

A0

A1

A2

A3

V

CC

1

2

3

4

5

6

8

9

10

11

12

13

引脚名称

TSOP

26

25

24

23

22

21

19

18

17

16

15

14

GND

I/O3

I/O2

CAS

OE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

PIN码（ S）

A0到A11

RAS

CAS

WE

I / O0至I / O 3

OE

V

CC

GND

描述

地址输入

行地址选通

列地址选通

写使能

输入/输出

OUTPUT ENABLE

动力

地

AS4C4M4F0

* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本

选购指南

符号

最大的RAS访问时间

最大列地址访问时间

最大CAS访问时间

最大输出使能（ OE ）访问时间

最小的读或写周期时间

最小快速页模式周期时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

4/11/01; v.0.9

AS4C4M4F0

AS4C4M4F0-50

AS4C4M4F1-50

50

25

12

13

85

25

135

1.0

AS4C4M4F0-60

AS4C4M4F1-60

60

30

15

100

30

120

1.0

单位

ns

mA

18 P. 1

t

RAC

t

CAA

t

CAC

t

OEA

t

RC

t

PC

I

CC1

I

CC5

半导体联盟

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

功能说明

该AS4C4M4F0和AS4C4M4F1是高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM）组织成设备

4194304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术，并导致较高的创新设计制造技术

速度，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列优化

使用如在个人计算机，工作站，路由器和交换机应用主存储器。

这些设备的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作

非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器

RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的

之前CAS断言列地址。

刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：

RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。

隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用

前面的有效数据。

CAS先于RAS的刷新（ CBR ）： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。

输出高阻抗（ OE和WE都不在乎）。

正常读取或写入周期刷新被访问的行。

自刷新周期

刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：

RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。

隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用

前面的有效数据。

CAS先于RAS的刷新（ CBR ）： CAS断言之前， RAS 。刷新地址由内部产生。

输出高阻抗（ OE和WE都不在乎）。

正常读取或写入周期刷新被访问的行。

自刷新周期

该AS4C4M4F0和AS4C4M4F1可在标准26分之24引脚塑料SOJ和第24/ 26引脚塑料TSOP封装。该

AS4C4M4F0和AS4C4M4F1操作与5V ± 0.5V的单电源供电，并提供TTL兼容的输入和输出。

对于4K刷新逻辑框图。

V

CC

GND

刷新

调节器

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

缓冲器

I / O0至I / O 3

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

WE

WE时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

OE

地址缓冲器

行解码器

4096 × 1024 × 4

ARRAY

(16,777,216)

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18 P. 2

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

为2K刷新逻辑框图。

V

CC

GND

刷新

调节器

列解码器

SENSE AMP

数据

I / O

缓冲器

I / O0至I / O 3

RAS

RAS时钟

发电机

CAS

CAS时钟

发电机

WE

WE时钟

发电机

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

OE

地址缓冲器

行解码器

2048 × 2048 × 4

ARRAY

(16,777,216)

衬底偏压

发电机

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

工作环境温度

V

IL

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

产业

T

A

民

4.5

0.0

2.4

–0.5

0

-40

公称

5.0

0.0

–

最大

5.5

0.0

V

CC

0.8

70

85

单位

V

°C

分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18第3页

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

绝对最大额定值

参数

输入电压

输入电压（ DQS）

电源电压

存储温度（塑料）

焊接温度·时间

功耗

短路输出电流

符号

V

in

V

DQ

V

CC

T

英镑

T

SOLDER

P

D

I

OUT

民

-1.0

-55

–

最大

+7.0

V

CC

+ 0.5

+7.0

+150

260 × 10

1

50

单位

V

°C

o

秒

W

mA

DC电气特性

-50

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流

TTL待机功耗

电源电流

平均供电

目前， RAS刷新

模式或CBR

快页模式平均

电源电流

CMOS备用电源

电源电流

输出电压

CAS前RAS刷新

当前

符号

I

IL

I

OL

I

CC1

I

CC2

I

CC3

I

CC4

I

CC5

V

OH

V

OL

I

CC6

测试条件

0V

≤

V

in

≤

+5.5V,

被测= 0V引脚不

D

OUT

残疾人， 0V

≤

V

OUT

≤

+5.5V

RAS ， CAS地址骑自行车;吨

RC

=分钟

RAS CAS =

≥

V

IH

RAS骑自行车， CAS

≥

V

IH

,

t

RC

= RAS后XCAS低低分钟。

RAS = V

IL

中国科学院，

针对循环：吨

HPC

=分钟

RAS CAS = = V

CC

- 0.2V

I

OUT

= -5.0毫安

I

OUT

= 4.2毫安

RAS ， CAS骑自行车，T

RC

=分钟

RAS = = UCAS LCAS

≤

0.2V,

WE = OE

≥

V

CC

- 0.2V,

所有其他输入在0.2V或

V

CC

- 0.2V

民

-5

–

最大

+5

135

2.0

民

-5

–

-60

最大

+5

120

2.0

单位

A

mA

1,2

笔记

–

120

–

110

mA

1

–

2.4

–

130

1.0

–

0.4

120

–

2.4

–

120

1.0

–

0.4

110

mA

V

mA

1, 2

自刷新电流

I

CC7

–

0.6

–

0.6

mA

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

18第4页

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

通用于所有波形AC参数

-50

符号

t

RC

t

RP

t

RAS

t

CAS

t

RCD

t

拉德

t

RSH

t

CSH

t

CRP

t

ASR

t

RAH

t

T

t

REF

t

CP

t

拉尔

t

ASC

t

CAH

参数

随机读或写周期时间

RAS预充电时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

RAS到CAS的延迟时间

RAS到列地址的延迟时间

CAS到RAS保持时间

RAS到CAS保持时间

CAS到RAS预充电时间

行地址建立时间

行地址保持时间

转换时间（上升和下降）

刷新周期

CAS预充电时间

列地址到RAS交货时间

列地址设置时间

列地址保持时间

民

80

30

50

8

15

12

10

40

5

0

8

1

–

8

25

0

8

最大

–

10K

35

25

–

50

64

–

民

100

40

60

10

15

12

10

50

5

0

10

1

–

10

30

0

10

-60

最大

–

10K

43

30

–

50

64

–

单位

ns

ms

ns

4,5

3

6

7

笔记

读周期

-50

符号

t

RAC

t

CAC

t

AA

t

RCS

t

RCH

t

RRH

参数

从RAS访问时间

从CAS访问时间

从地址访问时间

READ命令设置时间

读命令保持时间CAS

读命令保持时间RAS

民

–

0

最大

50

12

25

–

民

–

0

-60

最大

60

15

30

–

单位

ns

9

笔记

6

6,13

7,13

4/11/01; v.0.9

半导体联盟

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