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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1133页 > AS4C4M4E1Q
2001年3月
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
4M
4 CMOS QuadCAS DRAM （ EDO ）系列
特点
组织： 4,194,304字× 4位
高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 495毫瓦最大
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
扩展数据输出
刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔
4C4M4EOQ
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔
AS4C4M4E1Q
- RAS -只和隐藏刷新或CAS先于RAS刷新
或自刷新
TTL兼容
4个独立的CAS引脚允许独立的I / O操作
JEDEC标准封装
- 300万， 28引脚SOJ
- 300万， 28引脚TSOP
5V电源
闩锁电流
≥
200毫安
ESD保护
≥
2000毫伏
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
AS4C4M4E0
11
12
13
14
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
3/22/01; v.1.0
AS4C4M4E0
4C4M4EOQ/E1Q-50
50
25
12
13
85
20
110
1.0
4C4M4EOQ/E1-60
60
30
15
15
100
24
100
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
16 P. 1
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
半导体联盟
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
功能说明
该4C4M4EOQ和AS4C4M4E1Q是高性能的16兆位的CMOS四路CAS动态随机存取存储器（ DRAM ）
组织为4,194,304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术和创新的设计制造技术
导致高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列
优化用于在个人计算机，工作站，路由器和交换机的应用程序的主存储器。
这些产品的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
之前CAS断言列地址。
扩展数据输出（ EDO ）阅读模式支持使用50 ns的设备50 MHz的操作。四个独立的CAS引脚允许独立的I / O
操作使奇偶校验模式下运行的设备。与此相反，以“快页模式”的设备，数据后仍然活跃在输出
CAS撤除高，给系统逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出阻抗，防止公交车
在争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出还要高阻抗， RAS和CAS的最后occurrance
要高。
刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个CAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个CAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
该4C4M4EOQ和AS4C4M4E1Q可在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚塑料TSOP封装。该4C4M4EOQ和
AS4C4M4E1Q操作与5V的± 0.5V单电源供电。所有提供TTL兼容的输入和输出。
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16 P. 2
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
对于4K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
为2K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
符号
V
CC
GND
输入电压
工作环境温度
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
公称
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
V
IH
V
IL
T
A
V
IL
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第3页
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压（ DQS）
电源电压
存储温度（塑料）
焊接温度·时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
-55
–
–
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260 × 10
1
50
单位
V
V
V
°C
o
秒
W
mA
DC电气特性（ AS4C4M4E0 / E1 ）
-50
参数
符号测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V,
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS的分低后XCAS
低。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
RAS = = UCAS LCAS
≤
0.2V,
WE = OE
≥
V
CC
- 0.2V,
所有其他输入在0.2V或
V
CC
- 0.2V
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
110
2.0
民
-5
-5
–
–
-60
最大
+5
+5
100
2.0
单位
A
A
mA
mA
1,2
笔记
输入漏电流I
IL
输出漏电流I
OL
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
I
CC1
I
CC2
平均供电
目前， RAS刷新我
CC3
模式或CBR
EDO页模式
平均电源I
CC4
当前
CMOS备用电源
I
CC5
电源电流
输出电压
V
OH
V
OL
–
110
–
100
mA
1
–
90
–
80
mA
1, 2
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
110
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
100
mA
V
V
mA
CAS前RAS刷新
I
CC6
当前
自刷新电流
I
CC7
–
0.6
–
0.6
mA
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第4页
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
DC电气特性（ AS4LC4M4E0 / E1 ）
-50
参数
输入leakag
权证
光凭目前
符号测试条件
I
IL
0V
≤
V
in
≤
V
CC
（最大）
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
（最大）
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
,
所有其他输入在V
IH
或V
IL
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS后XCAS低低分钟。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V,
F=0
I
OUT
= -2.0毫安
I
OUT
= 2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
RAS = = UCAS LCAS
≤
0.2V,
WE = OE = V
CC
- 0.2V,
所有其他输入在0.2V或V
CC
-
0.2V
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
85
2.0
民
-5
-5
–
–
-60
最大
+5
+5
75
2.0
单位
A
A
笔记
输出漏电流I
OL
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前， RAS刷新
模式或CBR
EDO页模式
平均供电
当前
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
I
CC1
I
CC2
I
CC3
mA
mA
4,5
–
80
–
70
mA
4
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
–
85
–
75
mA
4, 5
–
2.4
–
–
200
–
0.4
80
–
2.4
–
–
200
–
0.4
70
A
V
V
mA
CAS前RAS刷新
I
CC6
当前
自刷新电流
I
CC7
–
0.3
–
0.3
mA
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第5页
2001年3月
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
4M
4 CMOS QuadCAS DRAM （ EDO ）系列
特点
组织： 4,194,304字× 4位
高速
- 50/60 ns的RAS访问时间
- 25/30 ns的列地址访问时间
- 12/15 NS CAS访问时间
低功耗
- 活动： 495毫瓦最大
- 待机： 5.5毫瓦最大， CMOS I / O
扩展数据输出
刷新
- 4096刷新周期， 64毫秒刷新间隔
4C4M4EOQ
- 2048刷新周期， 32毫秒刷新间隔
AS4C4M4E1Q
- RAS -只和隐藏刷新或CAS先于RAS刷新
或自刷新
TTL兼容
4个独立的CAS引脚允许独立的I / O操作
JEDEC标准封装
- 300万， 28引脚SOJ
- 300万， 28引脚TSOP
5V电源
闩锁电流
≥
200毫安
ESD保护
≥
2000毫伏
管脚配置
SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
V
CC
I/O0
I/O1
WE
RAS
*NC/A11
CAS0
CAS1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
TSOP
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
GND
I/O3
I/O2
CAS3
OE
A9
CAS2
NC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PIN码（ S）
A0到A11
RAS
CAS
WE
I / O0至I / O 3
OE
V
CC
GND
NC
描述
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
AS4C4M4E0
11
12
13
14
* NC在2K刷新版本; A11的4K刷新版本
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最小的超页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
3/22/01; v.1.0
AS4C4M4E0
4C4M4EOQ/E1Q-50
50
25
12
13
85
20
110
1.0
4C4M4EOQ/E1-60
60
30
15
15
100
24
100
1.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
16 P. 1
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
半导体联盟
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
功能说明
该4C4M4EOQ和AS4C4M4E1Q是高性能的16兆位的CMOS四路CAS动态随机存取存储器（ DRAM ）
组织为4,194,304字× 4位。该器件采用先进的CMOS技术和创新的设计制造技术
导致高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该联盟16Mb的DRAM系列
优化用于在个人计算机，工作站，路由器和交换机的应用程序的主存储器。
这些产品的功能，使阅读和单一行中写入操作（或页面）可在执行高速页面模式操作
非常高的速度由行内切换列地址。行和列地址被交替地锁存到使用输入缓冲器
RAS和CAS的下降沿分别输入。另外， RAS是用来使列地址锁存器透明，使应用程序的
之前CAS断言列地址。
扩展数据输出（ EDO ）阅读模式支持使用50 ns的设备50 MHz的操作。四个独立的CAS引脚允许独立的I / O
操作使奇偶校验模式下运行的设备。与此相反，以“快页模式”的设备，数据后仍然活跃在输出
CAS撤除高，给系统逻辑更多的时间来锁存数据。用OE和WE控制输出阻抗，防止公交车
在争用读 - 修改 - 写和共享总线的应用程序。输出还要高阻抗， RAS和CAS的最后occurrance
要高。
刷新A0到A11的4096种地址组合必须进行使用每64毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每4096行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个CAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
刷新A0到A10的2048种地址组合必须进行使用每32毫秒：
RAS只刷新： RAS断言，而CAS是高举。每2048行必须被选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新： CAS为低，而RAS被触发。刷新地址由内部产生。输出保持低阻抗用
前面的有效数据。
CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ：至少有一个CAS先于RAS断言。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（ OE和WE都不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
自刷新周期
该4C4M4EOQ和AS4C4M4E1Q可在标准的28引脚塑料SOJ和28引脚塑料TSOP封装。该4C4M4EOQ和
AS4C4M4E1Q操作与5V的± 0.5V单电源供电。所有提供TTL兼容的输入和输出。
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16 P. 2
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
对于4K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
为2K刷新逻辑框图。
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
SENSE AMP
数据
I / O
缓冲器
I / O0至I / O 3
RAS
RAS时钟
发电机
CAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
OE
地址缓冲器
行解码器
4,194,304 × 4
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
符号
V
CC
GND
输入电压
工作环境温度
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
公称
5.0
0.0
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
V
IH
V
IL
T
A
V
IL
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第3页
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
绝对最大额定值
参数
输入电压
输入电压（ DQS）
电源电压
存储温度（塑料）
焊接温度·时间
功耗
短路输出电流
符号
V
in
V
DQ
V
CC
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
-55
–
–
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
+150
260 × 10
1
50
单位
V
V
V
°C
o
秒
W
mA
DC电气特性（ AS4C4M4E0 / E1 ）
-50
参数
符号测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V,
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS的分低后XCAS
低。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
I
OUT
= -5.0毫安
I
OUT
= 4.2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
RAS = = UCAS LCAS
≤
0.2V,
WE = OE
≥
V
CC
- 0.2V,
所有其他输入在0.2V或
V
CC
- 0.2V
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
110
2.0
民
-5
-5
–
–
-60
最大
+5
+5
100
2.0
单位
A
A
mA
mA
1,2
笔记
输入漏电流I
IL
输出漏电流I
OL
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
I
CC1
I
CC2
平均供电
目前， RAS刷新我
CC3
模式或CBR
EDO页模式
平均电源I
CC4
当前
CMOS备用电源
I
CC5
电源电流
输出电压
V
OH
V
OL
–
110
–
100
mA
1
–
90
–
80
mA
1, 2
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
110
–
2.4
–
–
1.0
–
0.4
100
mA
V
V
mA
CAS前RAS刷新
I
CC6
当前
自刷新电流
I
CC7
–
0.6
–
0.6
mA
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第4页
AS4C4M4EOQ
AS4C4M4E1Q
DC电气特性（ AS4LC4M4E0 / E1 ）
-50
参数
输入leakag
权证
光凭目前
符号测试条件
I
IL
0V
≤
V
in
≤
V
CC
（最大）
被测= 0V引脚不
D
OUT
残疾人， 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
（最大）
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = = UCAS LCAS
≥
V
IH
,
所有其他输入在V
IH
或V
IL
RAS骑自行车， UCAS = LCAS
≥
V
IH
,
t
RC
= RAS后XCAS低低分钟。
RAS = V
IL
， UCAS或LCAS ，
针对循环：吨
HPC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V,
F=0
I
OUT
= -2.0毫安
I
OUT
= 2毫安
RAS ， UCAS或LCAS骑自行车，T
RC
=
民
RAS = = UCAS LCAS
≤
0.2V,
WE = OE = V
CC
- 0.2V,
所有其他输入在0.2V或V
CC
-
0.2V
民
-5
-5
–
–
最大
+5
+5
85
2.0
民
-5
-5
–
–
-60
最大
+5
+5
75
2.0
单位
A
A
笔记
输出漏电流I
OL
工作电源
电源电流
TTL待机功耗
电源电流
平均供电
目前， RAS刷新
模式或CBR
EDO页模式
平均供电
当前
CMOS备用电源
电源电流
输出电压
I
CC1
I
CC2
I
CC3
mA
mA
4,5
–
80
–
70
mA
4
I
CC4
I
CC5
V
OH
V
OL
–
85
–
75
mA
4, 5
–
2.4
–
–
200
–
0.4
80
–
2.4
–
–
200
–
0.4
70
A
V
V
mA
CAS前RAS刷新
I
CC6
当前
自刷新电流
I
CC7
–
0.3
–
0.3
mA
3/22/01; v.1.0
半导体联盟
16第5页
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厂家
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