AS4C1M16F5
5V 1M × 16的CMOS DRAM（快页模式）
特点
组织： 1,048,576字× 16位
高速
- NS 50/60
RAS
存取时间
- 20/25 ns的快速页面周期时间
- 13/17 NS
CAS
存取时间
低功耗
- 活动：
880毫瓦最大（ AS4C1M16E0-60 ）
- 待机： 11毫瓦最大， CMOS DQ
快速页模式
1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
-
RAS
- 只或
CAS
-before-
RAS
刷新
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态DQ
JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
5V电源
工业和商业温度可
管脚配置
SOJ
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
引脚名称
TSOP II
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
PIN码（ S）
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
V
SS
DQ12
DQ11
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
V
CC
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
NC
NC
WE
RAS
A2
A3
VCC
A4
V
SS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
V
CC
V
SS
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选购指南
符号
最大
RAS
存取时间
最大列地址访问时间
最大
CAS
存取时间
最大输出使能（
OE
）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
AS4C1M16F5-50
50
25
13
13
84
20
170
2.0
AS4C1M16F5-60
60
30
17
15
104
25
160
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; v.0.9.1
半导体联盟
21 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C1M16F5
功能说明
该AS4C1M16F5是作为一个高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
1,048,576字× 16位。该AS4C1M16F5采用先进的CMOS技术和创新的设计制造
技术导致高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该
联盟16Mb的DRAM的家族被用作个人和便携式个人电脑，工作站，以及多媒体主存储器优化
和路由器切换应用程序。
该AS4C1M16F5具有高速页面模式操作，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）
以非常高的速度（距离可以被执行15纳秒
XCAS
），由行内切换列地址。行和列
地址被交替地锁存到使用的下降沿输入缓冲器
RAS
和
XCAS
分别输入。另外，
RAS
用于
使列地址锁存器透明，使应用程序的列地址的前
XCAS
断言。该
AS4C1M16F5提供了双
UCAS
和
LCAS
用于读取和写入访问独立字节控制。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
RAS
- 只刷新：
RAS
是断言，而
XCAS
保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新：
XCAS
保持为低，而
RAS
被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
CAS
-before-
RAS
刷新（CBR） ：至少有一个
XCAS
之前被置
RAS
。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（
OE
和
WE
也不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16F5是标准的42引脚塑料SOJ和44 / 50-引脚TSOP II封装形式，分别。它的工作
用5V ±0.5V单个电源。该装置提供TTL兼容的输入和输出。
逻辑框图
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
RAS
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
符号
AS4C1M16F5
AS4C1M16F5
广告
产业
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
V
IL
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
4/11/01; v.0.9.1
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AS4C1M16F5
5V 1M × 16的CMOS DRAM（快页模式）
特点
组织： 1,048,576字× 16位
高速
- NS 50/60
RAS
存取时间
- 20/25 ns的快速页面周期时间
- 13/17 NS
CAS
存取时间
低功耗
- 活动：
880毫瓦最大（ AS4C1M16E0-60 ）
- 待机： 11毫瓦最大， CMOS DQ
快速页模式
1024刷新周期， 16毫秒刷新间隔
-
RAS
- 只或
CAS
-before-
RAS
刷新
读 - 修改 - 写
TTL兼容，三态DQ
JEDEC标准封装，引脚排列
- 400万， 42引脚SOJ
- 400万，44个/ 50-引脚TSOP II
5V电源
工业和商业温度可
管脚配置
SOJ
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
引脚名称
TSOP II
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
PIN码（ S）
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
写使能
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
动力
地
V
SS
DQ12
DQ11
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
V
CC
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
A0到A9
RAS
DQ1到DQ16
OE
WE
UCAS
LCAS
NC
NC
WE
RAS
A2
A3
VCC
A4
V
SS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
V
CC
V
SS
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选购指南
符号
最大
RAS
存取时间
最大列地址访问时间
最大
CAS
存取时间
最大输出使能（
OE
）访问时间
最小的读或写周期时间
最小快速页模式周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
AS4C1M16F5-50
50
25
13
13
84
20
170
2.0
AS4C1M16F5-60
60
30
17
15
104
25
160
2.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
mA
4/11/01; v.0.9.1
半导体联盟
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版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4C1M16F5
功能说明
该AS4C1M16F5是作为一个高性能的16兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
1,048,576字× 16位。该AS4C1M16F5采用先进的CMOS技术和创新的设计制造
技术导致高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。该
联盟16Mb的DRAM的家族被用作个人和便携式个人电脑，工作站，以及多媒体主存储器优化
和路由器切换应用程序。
该AS4C1M16F5具有高速页面模式操作，其中阅读和单一行中写入操作（或页面）
以非常高的速度（距离可以被执行15纳秒
XCAS
），由行内切换列地址。行和列
地址被交替地锁存到使用的下降沿输入缓冲器
RAS
和
XCAS
分别输入。另外，
RAS
用于
使列地址锁存器透明，使应用程序的列地址的前
XCAS
断言。该
AS4C1M16F5提供了双
UCAS
和
LCAS
用于读取和写入访问独立字节控制。
刷新A0到A9的1024种地址组合必须进行使用，每16毫秒：
RAS
- 只刷新：
RAS
是断言，而
XCAS
保持高电平。每1024行，必须选通。输出保持高阻抗。
隐藏刷新：
XCAS
保持为低，而
RAS
被触发。输出保持低阻抗与以前的有效数据。
CAS
-before-
RAS
刷新（CBR） ：至少有一个
XCAS
之前被置
RAS
。刷新地址由内部产生。
输出高阻抗（
OE
和
WE
也不在乎） 。
正常读取或写入周期刷新被访问的行。
该AS4C1M16F5是标准的42引脚塑料SOJ和44 / 50-引脚TSOP II封装形式，分别。它的工作
用5V ±0.5V单个电源。该装置提供TTL兼容的输入和输出。
逻辑框图
刷新
调节器
V
CC
GND
RAS时钟
发电机
列解码器
SENSE AMP
数据
DQ
缓冲器
DQ1到DQ16
RAS
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
WE
WE时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
地址缓冲器
OE
行解码器
1024 × 1024 × 16
ARRAY
(16,777,216)
衬底偏压
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
符号
AS4C1M16F5
AS4C1M16F5
广告
产业
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
0.0
2.4
–0.5
0
-40
公称
5.0
0.0
–
–
–
–
最大
5.5
0.0
V
CC
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
V
IL
分-3.0V为脉冲宽度小于5纳秒。
推荐工作条件适用于在本文档中unlesss另有规定。
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半导体联盟
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